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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>碳化硅芯片正成為車企爭(zhēng)相綁定的“寵兒

碳化硅芯片正成為車企爭(zhēng)相綁定的“寵兒

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揭秘碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造

眾所周知,對(duì)于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說,高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到,高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到,可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ),高性能的碳化硅器件對(duì)于
2023-04-06 16:19:012204

碳化硅器件介紹與仿真

本推文主要介碳化硅器件,想要入門碳化硅器件的同學(xué)可以學(xué)習(xí)了解。
2023-11-27 17:48:063294

全球最大碳化硅工廠,竟然是建造的?

在量產(chǎn)車型上使用碳化硅芯片之一,而作為一家追求全產(chǎn)業(yè)鏈自主的,比亞迪實(shí)際上在SiC領(lǐng)域也有極為豐富的布局。 ? 比亞迪的SiC 布局——“車圈Wolfspeed ” ? 可能很難想象,作為一家,比亞迪在SiC領(lǐng)域的布局鏈條竟然比一
2024-06-27 00:58:008281

1200V/10A碳化硅肖特基二極管

Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結(jié)溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復(fù)電流?零正向恢復(fù)電壓?高頻工作?開關(guān)特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49

650V/1200V碳化硅肖特基二極管如何選型

  碳化硅(SiC)具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn),被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14

碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點(diǎn)

PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱?,具有低的?dǎo)通損耗?! 〉栊ぬ鼗O管也有兩個(gè)缺點(diǎn),一是反向耐壓VR較低,一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?! 《?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03

碳化硅MOSFET開關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了

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2015-06-01 15:38:39

碳化硅MOSFET是如何制造的?如何驅(qū)動(dòng)碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管?

應(yīng)用,處理此類應(yīng)用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或簡(jiǎn)稱SiC已被證明是一種材料,可以用來構(gòu)建類似MOSFET的組件,使電路具有比以往IGBT更高的效率。如今,SiC受到了很多關(guān)注,不僅因?yàn)樗?/div>
2023-02-24 15:03:59

碳化硅MOSFET的SCT怎么樣?

本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量,并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實(shí)和比較測(cè)量值,對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07

碳化硅SiC技術(shù)導(dǎo)入應(yīng)用的最大痛點(diǎn)

更新?lián)Q代,SiC并不例外  新一代半導(dǎo)體開關(guān)技術(shù)出現(xiàn)得越來越快。下一代寬帶隙技術(shù)仍處于初級(jí)階段,有望進(jìn)一步改善許多應(yīng)用領(lǐng)域的效率、尺寸和成本。雖然,隨著碳化硅技術(shù)的進(jìn)步,未來還將面臨挑戰(zhàn),例如,晶圓
2023-02-27 14:28:47

碳化硅二極管選型表

應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢我司人員!附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購!碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23

碳化硅功率器件可靠性之芯片研發(fā)及封裝篇

要求。測(cè)試新品器件是否合規(guī)比較容易,但判斷器件的物理特征是否會(huì)隨時(shí)間和環(huán)境而變化比較麻煩。本文將從碳化硅芯片研發(fā)和封裝方面探討可靠性問題。  芯片研發(fā)環(huán)節(jié)的可靠性測(cè)試  衡量可靠性可以從器件的故障率入手
2023-02-28 16:59:26

碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些?

  由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27

碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49

碳化硅器件是如何組成逆變器的?

進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13

碳化硅器件的特點(diǎn)是什么

今天我們來聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04

碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

??寡趸砸彩撬蟹茄趸锾沾芍泻玫?。是極其優(yōu)秀的陶瓷材料。碳化硅(SiC)的市場(chǎng)前景隨著信息科技的飛速發(fā)展,我國對(duì)半導(dǎo)體需求越來越多,我國已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國,半導(dǎo)體消費(fèi)量占全球消費(fèi)量的比重
2021-01-12 11:48:45

碳化硅基板——汽車電子發(fā)展新動(dòng)力

精細(xì)化,集成化方向發(fā)展?! ≡谛录夹g(shù)驅(qū)動(dòng)下,汽車電子行業(yè)迎來新一輪技術(shù)革命,行業(yè)整體升級(jí)。在汽車大量電子化的帶動(dòng)之下,用電路板也會(huì)向上成長(zhǎng)。用電路板穩(wěn)定訂單和高毛利率的特點(diǎn)吸引諸多碳化硅基板從業(yè)者
2020-12-16 11:31:13

碳化硅深層的特性

成熟,資源豐富,碳化硅的行業(yè)已經(jīng)具有集群化發(fā)展的趨勢(shì)了,但是行業(yè)規(guī)模很小,政策資金方面的風(fēng)險(xiǎn)能力很大,行業(yè)秩序也需要進(jìn)一步完善。碳化硅的用途也十分廣泛,越來越多的新行業(yè)也正在開發(fā),線切割為代表的新行業(yè)
2019-07-04 04:20:22

碳化硅的歷史與應(yīng)用介紹

硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過,自1893 年以來,粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52

碳化硅的應(yīng)用

碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39

碳化硅肖特基二極管技術(shù)演進(jìn)解析

  01  碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)  碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一,其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢(shì)。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例,其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

  碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(chǎng)(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(49W/mK)使功率半導(dǎo)體器件效率更高,運(yùn)行速度更快
2023-02-28 16:34:16

碳化硅陶瓷線路板,半導(dǎo)體功率器件的好幫手

已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國,半導(dǎo)體消費(fèi)量占全球消費(fèi)量的比重超過40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國
2021-03-25 14:09:37

CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片

哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32

SIC碳化硅二極管

SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11

TGF2023-2-10碳化硅晶體管

TGF2023-2-10碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2023-2-10報(bào)價(jià)TGF2023-2-10代理TGF2023-2-10咨詢熱線TGF2023-2-10現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠
2018-06-12 10:22:42

TO-247封裝碳化硅MOSFET引入輔助源極管腳的必要性

?! ?4 結(jié) 論  引入了輔助源極管腳成為TO-247-4封裝的碳化硅MOSFET,避免了驅(qū)動(dòng)回路和功率回路共用源極線路,實(shí)現(xiàn)了這兩個(gè)回路的解耦。同時(shí),TO-247-4封裝的開關(guān)器件由于沒有來自功率源極造成
2023-02-27 16:14:19

【羅姆BD7682FJ-EVK-402試用體驗(yàn)連載】基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究

項(xiàng)目名稱:基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究試用計(jì)劃:申請(qǐng)理由:碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料,近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場(chǎng)合。為了提高永磁同步電機(jī)伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43

什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對(duì)器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

。雖然碳化硅組件可望成為推動(dòng)電力設(shè)備由機(jī)械轉(zhuǎn)向電子結(jié)構(gòu)的重要推手,但現(xiàn)階段碳化硅組件最主要的應(yīng)用市場(chǎng),其實(shí)是電動(dòng)汽車。電動(dòng)汽車應(yīng)用之所以對(duì)碳化硅組件的需求如此殷切,主要原因在于可實(shí)現(xiàn)更輕巧的電源系統(tǒng)
2021-09-23 15:02:11

創(chuàng)能動(dòng)力推出碳化硅二極管ACD06PS065G

的整體系統(tǒng)尺寸,更小的整體成本,高溫下更高的可靠性,同時(shí)降低功率損耗。創(chuàng)能動(dòng)力可提供碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模組和集成功率模組,用于太陽能逆變器、功率因數(shù)校正、電動(dòng)充電樁和高效率
2023-02-22 15:27:51

功率模塊中的完整碳化硅性能怎么樣?

復(fù)雜的設(shè)計(jì),功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開關(guān)碳化硅器件?  當(dāng)傳統(tǒng)硅器件在功率損耗和開關(guān)頻率方面達(dá)到極限時(shí),碳化硅可能是合適的半導(dǎo)體選擇。高達(dá) 30 至 40kHz,最新一代
2023-02-20 16:29:54

嘉和半導(dǎo)體(GaN)氮化鎵&碳化硅元器件

附件:嘉和半導(dǎo)體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51

圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應(yīng)用

的功率半導(dǎo)體器件選型,并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案。  02  圖騰柱無橋PFC拓?fù)浞治觥 ≡?b class="flag-6" style="color: red">正半周期(VAC大于0)的時(shí)候,T2為主開關(guān)管?! ‘?dāng)T2開通時(shí),電感L儲(chǔ)能,電流
2023-02-28 16:48:24

在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢(shì)

明白碳化硅MOSFET其中好處之一,這個(gè)個(gè)參數(shù)是導(dǎo)通電阻 RDS(on)。在芯片溫度100°C 時(shí),CoolSiC有較低的倍增系數(shù)(multiplication factor,K),約為 1.13,而
2023-03-14 14:05:02

基于碳化硅MOSFET的20KW高效LLC諧振隔離DC/DC變換器方案研究

本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實(shí)現(xiàn)了高頻LLC諧振全橋隔離變換器,如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開關(guān)及低損耗等
2016-08-05 14:32:43

如何用碳化硅(SiC)MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)高性能門極驅(qū)動(dòng)電路

對(duì)于高壓開關(guān)電源應(yīng)用,碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢(shì)。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31

如何用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器?

碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40

應(yīng)用于新能源汽車的碳化硅半橋MOSFET模塊

  采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列  產(chǎn)品型號(hào)  BMF600R12MCC4  BMF400R12MCC4  汽車級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35

歸納碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)

碳化硅器件快速開關(guān)過程中造成嚴(yán)重電壓過沖,也導(dǎo)致?lián)p耗增加及電磁干擾等問題。而雜散電感的大小與開關(guān)換流回路的面積相關(guān)。其中,金屬鍵合連接方式、元件引腳和多個(gè)芯片的平面布局是造成傳統(tǒng)封裝換流回路面積較大的關(guān)鍵
2023-02-22 16:06:08

新型電子封裝熱管理材料鋁碳化硅

新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題,解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題,如果你有類似的困惑,歡迎前來探討,鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時(shí)交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41

淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)的區(qū)別

延遲時(shí)間。碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸延遲需小于200ns,傳輸延遲抖動(dòng)小于20ns,可通過以下方式實(shí)現(xiàn):  · 采用數(shù)字隔離驅(qū)動(dòng)芯片,可以達(dá)到信號(hào)傳輸延遲50ns,并且具有比較高的一致性,傳輸抖動(dòng)
2023-02-27 16:03:36

電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊

面向電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能,特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中,它可提高逆變器的效率,從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16

被稱為第三代半導(dǎo)體材料的碳化硅有著哪些特點(diǎn)

一、什么是碳化硅碳化硅(SiC)又叫金剛砂,它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成,其實(shí)碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了,它的特點(diǎn)是:化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能
2023-02-20 15:15:50

請(qǐng)教碳化硅刻蝕工藝

最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50

107 應(yīng)用如此廣泛的碳化硅廠商名單來咯!應(yīng)用如此廣泛的碳化硅廠商名單來咯!

元器件碳化硅
車同軌,書同文,行同倫發(fā)布于 2022-08-04 15:48:57

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碳化硅(SiC)基地知識(shí) 碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491558

AMEYA360:八英寸碳化硅成中外廠商必爭(zhēng)之地!#碳化硅

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jf_81091981發(fā)布于 2023-07-13 11:39:58

碳化硅 SiC 可持續(xù)發(fā)展的未來 #碳化硅 #SiC #MCU #電子愛好者

工業(yè)控制碳化硅
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碳化硅MOS在直流充電樁上的應(yīng)用

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碳化硅材料技術(shù)對(duì)器件可靠性有哪些影響

前言 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測(cè)是碳化硅價(jià)值鏈中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節(jié),襯底成本占到
2021-08-16 10:46:406521

國內(nèi)碳化硅“先鋒”,基本半導(dǎo)體的碳化硅新布局有哪些?

基本半導(dǎo)體是國內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè),率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件,為業(yè)界熟知,并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動(dòng)中
2021-11-29 14:54:089429

三安集成:碳化硅規(guī)產(chǎn)品“上車”,湖南基地實(shí)現(xiàn)規(guī)模交付

由特斯拉掀起的碳化硅“上車”的行業(yè)革命中,國內(nèi)外新能源紛紛響應(yīng),可謂新能源汽車的“碳化硅元年”。碳化硅功率器件市場(chǎng)有望在2026年突破10億美元的大關(guān)。   作為中國首條、世界第三條碳化硅
2022-01-24 14:18:32977

回顧2021年國內(nèi)外碳化硅產(chǎn)業(yè)重大事件

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠)碳化硅與氮化鎵同屬于第三代半導(dǎo)體材料,均已被列入十四五發(fā)展規(guī)劃綱要。碳化硅與氮化鎵相比,碳化硅的耐壓等級(jí)更高,可使用的平臺(tái)也更廣。尤其是在新能源汽車領(lǐng)域,碳化硅高效、耐高壓的特性被越來越多的認(rèn)可,市場(chǎng)發(fā)展前景逐漸明朗。
2022-01-26 10:43:143816

國內(nèi)碳化硅情況介紹

比亞迪作為國內(nèi),在車上用碳化硅已經(jīng)有差不多5、6 年的歷史,最早是在車載的OBC上用,后面是在車載彈簧、車載電控上面用,目前國內(nèi)在碳化硅車型上,我們用的碳化硅的量是國內(nèi)最多的,去年算上車載電控
2022-08-26 09:15:133124

碳化硅功率器件技術(shù)可靠性!

前言:碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測(cè)是碳化硅價(jià)值鏈中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節(jié),襯底成本占到
2023-01-05 11:23:192135

碳化硅原理是什么

碳化硅原理是什么 碳化硅,是一種無機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N
2023-02-02 14:50:023904

什么是碳化硅(SiC)?

碳化硅(SiC)是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料可用于制造芯片,這是半導(dǎo)體行業(yè)的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂,石油焦,鋸末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:4430593

特斯拉碳化硅技術(shù)怎么樣?特斯拉碳化硅技術(shù)成熟嗎?

特斯拉碳化硅技術(shù)怎么樣?特斯拉碳化硅技術(shù)成熟嗎? 大家都知道碳化硅具有高功率、耐高壓、耐高溫等優(yōu)點(diǎn),碳化硅技術(shù)能夠幫助電動(dòng)汽車實(shí)現(xiàn)快速充電,增加續(xù)航;這個(gè)特性使得眾多的把目光投注過來。 我們
2023-02-02 17:39:093880

碳化硅原理用途及作用

碳化硅的電阻率。碳化硅的電阻率隨溫度的變化而改變,但在一定的溫度范圍內(nèi)與金屬的電阻溫度特性相反。碳化硅的電阻率與溫度的關(guān)系更為復(fù)雜。碳化硅的導(dǎo)電率隨溫度升高到一定值時(shí)出現(xiàn)峰值,繼續(xù)升高溫度,導(dǎo)電率又會(huì)下降。
2023-02-03 09:31:236555

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口,也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn),那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么?碳化硅技術(shù)壁壘有哪些? 1
2023-02-03 15:25:165686

碳化硅技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)_碳化硅工藝

碳化硅,是一種無機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:355708

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進(jìn)過化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長(zhǎng)成為碳化硅晶錠;碳化硅晶錠
2023-02-21 10:04:113177

汽車碳化硅模塊是什么,作用和用途

  汽車碳化硅模塊是一種用于汽車電力傳動(dòng)系統(tǒng)的電子器件,由多個(gè)碳化硅芯片、散熱器、絕緣材料和連接件等組成。碳化硅芯片作為模塊的核心部件,采用現(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)制造而成,可以實(shí)現(xiàn)高功率、高效率、高頻率的控制和開關(guān),適用于電動(dòng)的逆變器、充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等多種應(yīng)用。
2023-02-25 15:03:224048

威邁斯IPO上市關(guān)注:高耐壓的碳化硅成為的新選擇

目前制約碳化硅器件應(yīng)用的主要因素為成本,伴隨著未來碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展完善,相關(guān)器件應(yīng)用滲透率將穩(wěn)步提升,與威邁斯等第三方零部件供應(yīng)商生產(chǎn)成本將進(jìn)一步降低。
2023-03-21 14:08:13740

碳化硅襯底市場(chǎng)群雄逐鹿 碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)流程

全球碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)明顯的行業(yè)上下游收購兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié),已成為兵家必爭(zhēng)之地。
2023-03-23 10:30:042505

碳化硅功率模組有哪些

碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專業(yè)讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場(chǎng),以及未來的發(fā)展趨勢(shì),感謝各位
2023-05-31 09:43:201105

碳化硅MOSFET什么意思

碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:152612

SiC MOSFET碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造

來源:碳化硅芯觀察對(duì)于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言,高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到,高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到,可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ),高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:203965

揭秘碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造

眾所周知,對(duì)于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說,高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到,高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到,可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ),高性能的碳化硅器件對(duì)于器件的設(shè)計(jì)和制造工藝有著極高的要求,
2023-07-10 10:49:091795

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅,也稱為SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅存在許多品種和純度,但半導(dǎo)體級(jí)質(zhì)量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:453687

碳化硅MOSFET芯片設(shè)計(jì)及發(fā)展趨勢(shì)

隨著國內(nèi)對(duì)碳化硅技術(shù)的日益重視和不斷加大的研發(fā)投入,國內(nèi)碳化硅MOSFET芯片設(shè)計(jì)的水平逐步提升,研究和應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷擴(kuò)展。
2023-08-10 18:17:492037

碳化硅功率模塊的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展趨勢(shì)

當(dāng)前,全球碳化硅產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美、歐、日三足鼎立態(tài)勢(shì),碳化硅材料七成以上來自美國公司,歐洲擁有完整的碳化硅襯底、外延、器件以及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈,日本則在碳化硅芯片、模塊和應(yīng)用開發(fā)方面占據(jù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。
2023-08-15 10:07:41739

碳化硅的性能和應(yīng)用場(chǎng)景

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展,碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:224787

igbt和碳化硅區(qū)別是什么?

igbt和碳化硅區(qū)別是什么?? IGBT和碳化硅都是半導(dǎo)體器件,它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面。 一、材料: IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣
2023-08-25 14:50:0421116

碳化硅為什么如此火爆呢

隨著新能源汽車市場(chǎng)的爆發(fā),電動(dòng)汽車已經(jīng)成為碳化硅最大的下游應(yīng)用市場(chǎng),行業(yè)普遍預(yù)估,2027年碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模能達(dá)到60億美元。
2023-09-11 11:52:50852

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

碳化硅,又稱SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導(dǎo)體級(jí)質(zhì)量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:233791

碳化硅特色工藝模塊簡(jiǎn)介

材料的生長(zhǎng)和加工難度較大,其特色工藝模塊的研究和應(yīng)用成為了當(dāng)前碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。 碳化硅特色工藝模塊主要包括以下幾個(gè)方面: 注入摻雜 在碳化硅中,碳硅鍵能較高,雜質(zhì)原子難以在其中擴(kuò)散。因此,在制備碳化硅器件時(shí)
2024-01-11 17:33:141646

為什么碳化硅芯片能夠成為行業(yè)主流

適合高頻應(yīng)用?,F(xiàn)如今,SiC芯片已經(jīng)成為了行業(yè)的新寵。今天我們就來詳細(xì)聊聊,為什么碳化硅芯片能夠成為主流。01碳化硅芯片之所以能夠成為行業(yè)主流,最重要的因素是其擁有
2024-03-25 15:52:321679

碳化硅芯片設(shè)計(jì):創(chuàng)新引領(lǐng)電子技術(shù)的未來

隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)作為一種新型的半導(dǎo)體材料,以其優(yōu)異的物理和化學(xué)性能,在功率電子器件領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造是實(shí)現(xiàn)其廣泛應(yīng)用的關(guān)鍵環(huán)節(jié),本文將對(duì)碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造過程進(jìn)行詳細(xì)的探討。
2024-03-27 09:23:402169

Wolfspeed碳化硅制造工廠取得顯著進(jìn)展

在全球半導(dǎo)體技術(shù)持續(xù)革新的浪潮中,碳化硅芯片作為新一代功率半導(dǎo)體器件的核心材料,逐步成為市場(chǎng)的新寵。近日,半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的佼佼者Wolfspeed公司宣布,其碳化硅芯片制造工廠及材料制造工廠均取得了關(guān)鍵性的進(jìn)展,這一里程碑式的成就無疑將進(jìn)一步鞏固Wolfspeed在碳化硅功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-06-27 14:33:011308

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件以其獨(dú)特的性能和優(yōu)勢(shì),逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),使得碳化硅功率器件在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢(shì)。本文將深入探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展趨勢(shì)。
2024-09-13 10:56:421990

碳化硅SiC在電動(dòng)中的應(yīng)用

碳化硅(SiC)在電動(dòng)中的應(yīng)用主要集中在電力電子系統(tǒng)方面,以下是對(duì)其在電動(dòng)中具體應(yīng)用的分析: 一、電動(dòng)充電設(shè)備 在電動(dòng)充電設(shè)備中,碳化硅主要用于充電機(jī)的整流器、直流/交流轉(zhuǎn)換器等部分
2024-11-25 17:32:492255

碳化硅在半導(dǎo)體中的作用

碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢(shì): 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁帶寬度、高
2025-01-23 17:09:352667

SiC碳化硅二極管公司成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象

結(jié)合國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局和技術(shù)發(fā)展趨勢(shì),SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象,比如2024已經(jīng)有超過兩家SiC碳化硅二極管公司破產(chǎn)清算,僅有碳化硅二極管
2025-02-28 10:34:31753

派恩杰碳化硅產(chǎn)品斬獲歐洲頭部訂單

近日,派恩杰半導(dǎo)體順利斬獲歐洲頭部的量產(chǎn)訂單。這一重大跨越標(biāo)志著派恩杰在碳化硅(SiC)功率器件領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力與產(chǎn)品質(zhì)量獲得國際頂尖的高度認(rèn)可,進(jìn)一步推動(dòng)碳化硅技術(shù)在全球新能源汽車產(chǎn)業(yè)中
2025-09-10 17:32:471194

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