碳化硅功率器件,助力OBC提升功率密度降低重量,讓新能源汽車充電更快,續航更長
2022-09-23 18:31:40
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。尤其在高壓工作環境下,依然體現優異的電氣特性,其高溫工作特性,大大提高了高溫穩定性,也大幅度提高電氣設備的整體效率。 產品可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
不變。這是由于碳化硅肖特基二極管是單極器件,沒有少數載流子注入和自由電荷的存儲。在恢復瞬態,所涉及的電荷只有結耗盡區電荷,而且它比相同結構的Si器件結耗盡區電荷至少小一個數量級。這對于要求工作于高阻斷
2020-09-24 16:22:14
每個橋臂需要4個MOSFET以及各自的驅動,增加了系統復雜度,再比如每個橋臂需要各自的鉗位二極管,增加了系統成本。 本文中,將介紹我們8KW LLC變換器的設計方案。使用Cree的1200V 碳化硅
2018-10-17 16:55:50
次,與之相反,因此它具有更低的功耗(工作效率)。那么,為何碳化硅比氮化鎵更早用于耐高壓應用?原因是,在 MOS場效應管的制造中,碳化硅更容易形成SiO2 (SiO2),「氮化鎵晶片面臨三大難題」(森
2023-02-23 15:46:22
的正向損耗小。 (2)碳化硅功率器件由于具有高的擊穿電場而具有高的擊穿電壓。例如,商用的硅肖特基的電壓小于300V,而第一個商用的碳化硅肖特基二極管的擊穿電壓已達到600V。 (3)碳化硅有高的熱導率
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言,該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量,并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值,對短路行為的動態變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
更小、更輕,所以電池充電的續航里程更長。 碳化硅技術仍在不斷發展,有望獲得更好的性能。在下一代中,導通電阻將隨著開關損耗進一步下降,額定電壓將增加,片芯將進一步縮小,產量提高,從而降低成本。更多的變型
2023-02-27 14:28:47
應用領域。更多規格參數及封裝產品請咨詢我司人員!附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購!碳化硅(SiC)半導體材料是自第一代元素半導體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導體材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能,碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種,主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應用于各種半導體材料當中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
的碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻,然后在特定的大氣和環境條件下在高溫下燒結。然后將一層黃銅作為電觸點噴上火焰。其他標準
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
超過40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國半導體行業協會統計,2019年中國半導體產業市場規模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
上,對介電常數要求嚴格,雖然有低溫共燒陶瓷,仍然無法滿足他們的要求,需要一種性能更好的升級產品,建議可以使用富力天晟的碳化硅基板;因應汽車需求而特別開發的產品(如IC 載板、軟板、銀膠貫孔等),也在向
2020-12-16 11:31:13
電磁性。因碳化硅是一種共價鍵化合物,原子間結合的鍵很強,它具有以下一些獨特的性能,因而得以廣泛應用。1)高熔點。關于碳化硅熔點的數據.不同資料取法不一,有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開關 50A IGBT 的關斷性能優于純硅解決方案,可與 MOSFET 媲美。較之常規的碳化硅 MOSFET,這款即插即用型解決方案可縮短產品上市時間,能以更低成本實現 95
2021-03-29 11:00:47
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過,自1893 年以來,粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料,為什么應用的領域會受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39
第二代碳化硅肖特基二極管-JBS簡介 產業界以第一代標準肖特基結構做成的肖特基二極管(SBD)漏電流大,反向耐壓低,產品競爭力差,商業應用價值低。為了提升產品競爭力,碳化硅肖特基二極管的結構也從標準
2023-02-28 16:55:45
。 基本半導體自主研發推出了650V、1200V、1700V系列標準封裝碳化硅肖特基二極管及1200V碳化硅MOSFET產品,具有極高的工作效率,性能優越達到國際先進水平,可廣泛應用于新能源充電樁、光伏逆變器
2023-02-28 16:34:16
用于一些高壓、高溫、高效率及高功率密度的應用場合。碳化硅(SiC)材料因其優越的物理特性,開始受到人們的關注和研究。自從碳化硅1824年被瑞典科學家Jns Jacob Berzelius發現以來,直到
2021-03-25 14:09:37
、車載電源、太陽能逆變器、充電樁、UPS、PFC 電源等領域有廣泛應用。附上1200V同系列碳化硅MOSFET B1M160120HC B1M080120HC B1M080120HK B1M032120HC B1M018120HC 參數選型表:
2021-11-10 09:10:42
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
通損耗一直是功率半導體行業的不懈追求。 相較于傳統的硅MOSFET和硅IGBT 產品,基于寬禁帶碳化硅材料設計的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導通電阻低,開關損耗小的特點,可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
用于電機驅動領域的優勢,尋找出適合碳化硅功率器件的電機驅動場合,開發工程應用技術。現已有Sct3017AL在實驗室初步用于無感控制驅動技術中,為了進一步測試功率器件性能,為元器件選型和實驗驗證做調研
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結構是如何構成的?
2021-06-18 08:32:43
具有決定性的影響。因此,深入理解柵極氧化層的特性,并掌握其可靠性測試方法,對于推動碳化硅 MOSFET的應用和發展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這一新話題:“什么是柵極
2025-01-04 12:37:34
設計,不管是車身上的動力總成(Powertrain)系統,還是固定安裝在路邊或車庫里的充電樁,導入碳化硅組件的進度都非常快。對車載應用而言,設備的大小跟重量非常關鍵。若車上的逆變器(Inverter)、充電
2021-09-23 15:02:11
的整體系統尺寸,更小的整體成本,高溫下更高的可靠性,同時降低功率損耗。創能動力可提供碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模組和集成功率模組,用于太陽能逆變器、功率因數校正、電動車充電樁和高效率
2023-02-22 15:27:51
本文重點介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能,特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無基板模塊。 分立器件(如 TO-247)是將碳化硅集成到各種應用中的第一步,但對于更強大和更
2023-02-20 16:29:54
附件:嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
本帖最后由 ewaysqian 于 2025-2-12 10:22 編輯
國產碳化硅MOS基于車載OBC與充電樁新技術:
1 車載電源OBC與最新發展
2 雙向OBC關鍵技術
3 11kW全
2022-06-20 16:31:07
的混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合,為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的完美方案。 該器件將傳統
2023-02-28 16:48:24
設計CoolSiC電路時允許選擇新的驅動集成電路器,則值得考慮具有較高欠壓鎖定(約13V)的驅動集成電路,以確保CoolSiC和系統可以在任何異常工作條件下安全運行。 碳化硅MOSFET的另一個優點
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實現了高頻LLC諧振全橋隔離變換器,如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開關及低損耗等
2016-08-05 14:32:43
對于高壓開關電源應用,碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設計一個雙向降壓-升壓轉換器
2021-02-22 07:32:40
摘要: 碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導通電阻低,開關速度快等優點。如何充分發揮碳化硅器件的這些優勢性能則給封裝技術帶來了新的挑戰
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題,解決各行業遇到的各種芯片散熱問題,如果你有類似的困惑,歡迎前來探討,鋁碳化硅做封裝材料的優勢它有高導熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41
的碳化硅功率器件。 而作為車載產品,且承擔的是充電這一功率變換部分,整車廠對于產品中元器件使用的要求,也相應提高。為了更好的滿足這樣的要求提升,車規級器件則成了首選。泰科天潤作為中國碳化硅(SiC
2023-02-27 14:35:13
新能源車載DC/DC電路中,由于輸入電壓范圍極寬,輸出低壓大電流,移相電路是一個好的選項。當然,移相電路同樣可以用在直流快充的系統中來做到更寬輸出電壓范圍。碳化硅MOSFET由于高耐壓,低損耗和低體二極管
2016-08-25 14:39:53
范圍-5V~-15V,客戶根據需求選擇合適值,常用值有-8V、-10V、-15V; · 優先穩定正電壓,保證開通穩定。 2)碳化硅MOSFET:不同廠家碳化硅MOSFET對開關電壓要求不盡相同
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能,特別是在800 V 電池系統和大電池容量中,它可提高逆變器的效率,從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
。由于直流充電樁采用三相四線制供電,可以提供足夠的功率,輸出的電壓和電流調整范圍大,可以實現快充的要求。 二、解決方案: 直流充電樁要實現快充功能,輸出電流大,因此采用三相交流電(380V)供電,本方案采用高性價比的MOS管,輸出搭配碳化硅肖特基二極管。 充電器的特點如下:
2020-07-02 15:50:49
公司等為代表。四、碳化硅半導體應用碳化硅半導體器件,其高頻、高效、高溫的特性特別適合對效率或溫度要求嚴苛的應用。可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。原作者:大年君愛好電子
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
碳化硅(SiC)基地知識
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:49
1558 非氧化物高技術耐火原料中,碳化硅為應用最廣泛、最經濟的一種,可以稱為金鋼砂或耐火砂。 目前中國工業生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種,均為六方晶體,比重為3.20~3.25,顯微硬度為2840~3320kg/mm2。 人類1905年 第一次在隕
2018-01-03 09:48:48
21689 上海大革使用自行研發成功的全碳化硅模塊成功研發50kw,100kw,350kw新能源汽車中壓快速充電樁。使用新型全碳化硅模塊快速充電樁,不僅體積小巧,投入資金少,還能有效提高電力轉換效率,減少充電時間。
2018-04-26 09:05:43
8205 具體來說,在新能源發電系統中,采用碳化硅技術能夠達到的更高的效率意味著其能夠更早地替代傳統的石化燃料發電。英飛凌為光伏串組串逆變器的升壓和逆變部分提供量身定制的模塊系列,可以提升的逆變器效率和性能。在充電樁應用中,英飛凌的全碳化硅解決方案大幅提升功率密度,從而使充電設備變得更加輕巧便捷。
2018-05-04 09:05:01
10071 2020年,當大部分快充電源廠商還在探索65W氮化鎵快充市場時,倍思開創性地推出了業界首款120W氮化鎵+碳化硅快充充電器。也正是這款產品,第一次將“碳化硅快充”從設想變為現實,開啟了碳化硅在快充
2021-04-19 11:37:02
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隨著下游新能源汽車、充電樁、光伏、5G基站等領域的爆發,引爆了對第三代半導體——碳化硅材料襯底、外延與器件方面的巨大市場需求,國內眾多企業紛紛通過加強技術研發與資本投入布局碳化硅產業,今天我們首先
2021-07-29 11:01:18
5164 ,基本半導體總經理和巍巍博士發布了汽車級全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品。至此基本半導體產品布局進一步完善,產品競爭力再度提升,將助力國內第三代半導體產業進一步發展。基本半導體的碳化硅
2021-11-29 14:54:08
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自從碳化硅MOS管在Model3牽引電驅中使用后,整個世界對碳化硅的討論就沒有停過,也促進了碳化硅MOS管在充電樁與新能源汽車中的應用,從而提高充電速度與續航里程。現在,碳化硅MOS出了一系列750 V典型耐壓的,它希望能夠將以前僅用于新能源車、太空飛船和高階工控技術引入消費者的充電頭中。
2022-09-02 10:55:04
2328 碳化硅原理是什么 碳化硅,是一種無機物,化學式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N
2023-02-02 14:50:02
3904 對新材料探索的腳步便從未停止。碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,屬于第三代半導體材料,其禁帶寬度高達3.0eV,相比第一代半導體材料硅,碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍;導熱率為硅的4-5倍;擊穿電壓為硅的8倍;電子飽和漂移速率為硅
2023-02-02 17:39:09
3880 碳化硅的電阻率。碳化硅的電阻率隨溫度的變化而改變,但在一定的溫度范圍內與金屬的電阻溫度特性相反。碳化硅的電阻率與溫度的關系更為復雜。碳化硅的導電率隨溫度升高到一定值時出現峰值,繼續升高溫度,導電率又會下降。
2023-02-03 09:31:23
6555 碳化硅技術壁壘分析:碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口,也是一個很大的挑戰,那么我們來碳化硅技術壁壘分析下碳化硅技術壁壘是什么?碳化硅技術壁壘有哪些? 1
2023-02-03 15:25:16
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碳化硅,是一種無機物,化學式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:35
5708 碳化硅是目前應用最為廣泛的第三代半導體材料,由于第三代半導體材料的禁帶寬度大于2eV,因此一般也會被稱為寬禁帶半導體材料,除了寬禁帶的特點外,碳化硅半導體材料還具有高擊穿電場、高熱導率、高飽和電子
2023-02-12 15:12:32
1748 摘要 一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法。該方法包括提供碳化硅基底;通過在基底上施加一層材料來形成非金屬掩模層;形成掩模層以暴露基底的底層區域;并以第一速率用等離子體蝕刻基底的底層區域,同時以低于
2023-02-20 15:57:34
3 下面我們拿慧制敏造出品的KNSCHA品牌碳化硅功率器件說明。碳化硅 (SiC)二極管采用全新技術,提供比硅材質更勝一籌的開關性能和可靠性。目前主流的能量產而且性能穩定的碳化硅二極管電壓為650V
2023-02-21 09:59:54
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我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末經過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠;碳化硅晶錠
2023-02-21 10:04:11
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在半導體材料領域,碳化硅與氮化鎵無疑是當前最炙手可熱的明星。其中,碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性,其耐高頻耐高溫的性能,是同等硅器件耐壓的10倍。
2023-04-06 11:06:53
1209 讀者的持續關注。 一、簡介 二、碳化硅功率器件產業鏈 三、碳化硅功率器件產業鏈上游 四、碳化硅功率器件設計 五、碳化硅功率器件制造 六、碳化硅功率器件的應用與市場 01 | 碳化硅功率器件的應用 目前市場上常見的碳化硅功率器
2023-05-31 09:43:20
1105 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:15
2612 6.1.2n型區的離子注入6.1離子注入第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.1.1選擇性摻雜技術∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》第6章
2022-01-06 09:17:33
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SHINRY是全球最早實現碳化硅并批量交付的企業之一,開發的碳化硅雙向OBC產品出貨量已過百萬件,使用SiC MOSFET的氫燃料電池汽車DCF(DC/DC Converter for Fuel Cell)市場份額超過50%,在碳化硅器件的應用和推廣方面具備豐富的經驗和市場基礎
2023-06-27 17:41:50
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碳化硅,也稱為SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體,或將其與鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度,但半導體級質量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:45
3687 igbt和碳化硅區別是什么?? IGBT和碳化硅都是半導體器件,它們之間的區別主要體現在以下幾個方面。 一、材料: IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣
2023-08-25 14:50:04
21116 慢充和快充的區別主要體現在充電的功率和充電時間上。慢充充電樁功率較低,適合長時間充電;而快充充電樁功率較高,可以在短時間內迅速充電。由于快充充電樁需要提供更高的功率,因此快充設備的成本和電網負荷管理要求也相應較高。
2023-09-18 12:49:40
9545 碳化硅,又稱SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體,或將其與鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導體級質量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23
3791 MOS管在直流充電樁上的應用,推薦瑞森半導650V/1200V碳化硅MOS系列,600V/650V超結MOS系列
2023-12-08 11:50:15
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碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導體材料,具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優點。由于這些優異的性能,碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領域具有廣泛的應用前景。然而,由于碳化硅
2024-01-11 17:33:14
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為適應未來大功率高壓快充發展趨勢,主流車企及充電運營商已經開始布局大功率快充樁。但高壓快充對充電樁的高效性和安全性都提出了更高的要求,在設備方面亟需采用更耐高壓、 耐高溫、安全的新型器件。
2024-01-17 16:26:36
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2024年以來,包括廣汽集團等4家企業均推出了基于碳化硅技術的汽車充電方案,意味著碳化硅有望在充電基礎設施領域實現大規模應用
2024-01-29 16:53:25
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平煤神馬集團碳化硅半導體粉體驗證線傳來喜訊——實驗室成功生長出河南省第一塊8英寸碳化硅單晶,全面驗證了中宜創芯公司碳化硅半導體粉體在長晶方面的獨特優勢。
2024-02-21 09:32:31
1666 碳化硅(SiC)功率模塊因其高效能和可靠性,正在迅速成為現代電力電子設備中不可或缺的組件。MPRA1C65-S61是一款先進的SiC模塊,特別適用于各種充電設備的設計中。本文將探討
2024-06-06 11:19:33
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充電樁采用碳化硅模塊可以增加近30%的輸出功率,減少50%的損耗。目前在充電樁領域,碳化硅應用處于快速增長階段,預計到2025年將提升至35%,市場規模將達200億元。
2024-07-04 10:39:50
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基本碳化硅MOSFET在充電樁電源單級拓撲實測效率高于進口器件
2025-01-13 09:58:29
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國產碳化硅MOSFET在OBC+DCDC及壁掛小直流樁中的應用
2025-04-02 11:40:19
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