微芯科技推出新款SST12LP17E和SST12LP18E器件

　　全球領先的整合單片機、模擬器件和閃存專利解決方案的供應商美國微芯科技公司宣布，推出新款SST12LP17E和SST12LP18E器件，擴展其RF 功率放大器產(chǎn)品線。SST12LP17E是同類產(chǎn)品中體積最小但能完全匹配的功率放大器，只需要一個DC旁路電容即可實現(xiàn)最優(yōu)性能。SST12LP18E是Microchip廣受歡迎的SST12LP14E功率放大器的一款替代產(chǎn)品，具備更低的成本和電壓。它的工作電壓是Microchip全線RF功率放大器中最低的，并可在-20℃至+85℃條件下工作。

　　新器件可工作于2.7V的低電壓，線性輸出功率高達18.5 dBm為2.5% EVM于IEEE 802.11g OFDM 54 Mbps標準下，輸出23.5 dBm時附加功率效率高達38%于IEEE 802.11b標準下。這些功率放大器采用8引腳2 mm x 2 mm x 45 mm QFN封裝。它們是小尺寸、高效率和低電池電壓工作的嵌入式WLAN應用的理想選擇，如消費電子市場、手機、游戲機、打印機和平板電腦。

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微芯科技(20071) 微芯科技(20071)
SST12LP17E(6701) SST12LP17E(6701)
SST12LP18E(6418) SST12LP18E(6418)

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探索HMC408LP3 / 408LP3E：5.1 - 5.9 GHz高功率放大器的卓越性能

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探索 HMC373LP3/LP3E：700 - 1000 MHz 低噪聲放大器解決方案

詳細探討一下 Analog Devices 推出的 HMC373LP3/LP3E 這款 GaAs PHEMT MMIC 低噪聲放大器，看看它有哪些獨特的特性和應用場景。文件下載： HMC373.pdf

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深入解析HMC372LP3/LP3E：700 - 1000 MHz低噪聲放大器的卓越之選

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LP5862 LED矩陣驅(qū)動器技術解析與應用指南

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LP5018/LP5024 LED驅(qū)動器技術文檔總結(jié)

在智能家居和其他使用人機交互的應用中，需要高性能的 RGB LED 驅(qū)動器。閃爍、呼吸、追逐等LED動畫效果極大地改善了用戶體驗，最小的系統(tǒng)噪音至關重要。 LP50xx 器件是一款 18 通道

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LP5012 12通道I2C恒流RGB LED驅(qū)動器技術手冊

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?LP5862 LED矩陣驅(qū)動器技術文檔總結(jié)

LP586x 器件是高性能 LED 矩陣驅(qū)動器系列。該器件集成了 18 個恒流灌電流和 N 個（N = 1/2/4/6/8/11）開關 MOSFET，以支持 N 個 × 18 個 LED 點或

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LP586x 器件是高性能 LED 矩陣驅(qū)動器系列。該器件集成了 18 個恒流灌電流和 N 個（N = 1/2/4/6/8/11）開關 MOSFET，以支持 N 個 × 18 個 LED 點或

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上新 | 原創(chuàng)專利，巨省空間，LP-12系列90°工業(yè)級連接器新品隆重上市

新品上線凌科LP-12系列90°工業(yè)級連接器新品正式上線啦！它凝聚原創(chuàng)專利技術，集節(jié)省安裝空間、IP68/IPX9K防水、接線快速、2000+次插拔壽命、可視化等優(yōu)勢于一體，堪稱緊湊型設備與小空間

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LPK8727芯茂微代理12W自供電原邊反饋控制芯片

3717BSH ，LP3717BSL，3783AL，3783AS，3783BL。 LPK8727芯茂微代理12W自供電原邊反饋控制芯片產(chǎn)品供應

2025-05-23 16:02:36

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HMC582LP5/582LP5E采用SMT封裝的VCO技術手冊

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HMC534LP5/534LP5E采用SMT封裝的VCO技術手冊

HMC534LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC534LP5(E)集成了諧振器、負電阻器件和變?nèi)荻O管，可輸出半頻，并提供4分頻輸出。由于

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760

HMC512LP5/LP5E采用SMT封裝的VCO技術手冊

HMC512LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC512LP5(E)集成了諧振器、負電阻器件和變?nèi)荻O管，可輸出半頻，并提供4分頻輸出。由于

2025-04-30 09:42:59

679

HMC510LP5/510LP5E采用SMT封裝的VCO技術手冊

HMC510LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC510LP5(E)集成了諧振器、負電阻器件和變?nèi)荻O管，可輸出半頻，并提供4分頻輸出。由于

2025-04-30 09:28:03

770

HMC508LP5/508LP5E采用SMT封裝的VCO技術手冊

HMC508LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。HMC508LP5(E)集成了諧振器、負電阻器件和變?nèi)荻O管，可輸出半頻。由于振蕩器的單芯片結(jié)構

2025-04-30 09:19:39

798

HMC507LP5/507LP5E采用SMT封裝的VCO技術手冊

HMC507LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。HMC507LP5(E)集成了諧振器、負電阻器件和變?nèi)荻O管，可輸出半頻。由于振蕩器的單芯片結(jié)構

2025-04-29 18:09:54

751

HMC389LP4/389LP4E集成緩沖放大器的MMIC VCO SMT，3.35-3.55GHz技術手冊

HMC389LP4和HMC389LP4E是GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO，集成諧振器、負電阻器件、變?nèi)荻O管和緩沖放大器。由于振蕩器的單芯片結(jié)構，VCO的相位

2025-04-29 14:21:53

761

HMC699LP5/699LP5E 7GHz整數(shù)N分頻頻率合成器SMT技術手冊

HMC699LP5(E)是一款頻率合成器，集成寬帶極性可反轉(zhuǎn)數(shù)字PFD和鎖定檢測輸出。該分頻器工作范圍為160 - 7000 MHz，連續(xù)整數(shù)分頻比N為56至519，非連續(xù)分頻比N為16至54

2025-04-27 17:41:15

778

HMC698LP5/698LP5E 7GHz整數(shù)N分頻頻率合成器SMT技術手冊

HMC698LP5(E)是一款頻率合成器，集成寬帶極性可反轉(zhuǎn)數(shù)字PFD和鎖定檢測輸出。該分頻器的無條件工作范圍為80 - 7000 MHz，連續(xù)整數(shù)分頻比為12至259。由于高工作頻率以及超低

2025-04-27 17:09:35

735

HMC759LP3E 0.25dB LSB 7位數(shù)字衰減器，采用SMT封裝，10-300MHz技術手冊

HMC759LP3E是一款7位BiCMOS數(shù)字衰減器，采用低成本無引腳SMT封裝。這款多功能數(shù)字衰減器采用針對接近直流操作的片外交流接地電容，適合各種RF和IF應用。控制接口兼容CMOS/TTL

2025-04-24 16:35:45

697

HMC1044LP3E可編程諧波低通濾波器，1-3GHz 3dB帶寬技術手冊

HMC1044LP3E是一款針對所有采用正交調(diào)制器和/或解調(diào)器應用的可編程帶寬LPF（低通濾波器）。 HMC1044LP3E可濾除LO諧波，從而確保LO對調(diào)制器邊帶抑制或解調(diào)器鏡像抑制性能的貢獻非常小或為零。

2025-04-23 10:48:44

836

HMC694LP4/694LP4E模擬可變增益放大器，采用SMT封裝，6-17GHz技術手冊

HMC694LP4E是一款GaAs MMIC PHEMT模擬可變增益放大器，工作頻率范圍為6至17 GHz。該放大器適合微波無線電應用，提供高達22 dB增益、+22 dBm輸出P1dB、+30

2025-04-21 11:41:44

820

HMC996LP4E模擬可變增益放大器，采用SMT封裝，5-12GHz技術手冊

HMC996LP4E是一款GaAs PHEMT MMIC模擬可變增益放大器和/或驅(qū)動器放大器，工作頻率范圍為5至12 GHz。該放大器提供高達18.5 dB增益、高達+23 dBm P1dB以及

2025-04-19 15:22:59

684

HMC6187LP4E可變增益放大器，采用SMT封裝，27-31.5GHz技術手冊

HMC6187LP4E是一款GaAs MMIC pHEMT模擬可變增益放大器和/或驅(qū)動器放大器，工作頻率范圍為27至31.5 GHz，適合用于微波無線電應用。該放大器最高可提供19 dB增益

2025-04-19 15:14:00

813

HMC942LP4E x2有源倍頻器，25-31GHz輸出技術手冊

HMC942LP4E是一款x2有源寬帶倍頻器，使用GaAs pHEMT技術，采用符合RoHS標準的無引腳SMT封裝。由+4 dBm信號驅(qū)動時，該倍頻器在13至24.6 GHz范圍內(nèi)提供+17

2025-04-18 14:47:04

662

HMC705LP4/HMC705LP4E 6.5GHz可編程分頻器SMT技術手冊

HMC705LP4(E)是一款低噪聲GaAs HBT可編程分頻器，采用4x4 mm無引腳表貼封裝。該分頻器可以通過編程設置為以N = 1到N = 17之間的任意數(shù)字進行分頻（最高6.5 GHz

2025-04-18 14:14:51

916

HMC695LP4/HMC695LP4E x4有源倍頻器，11.4-13.2GHz輸出技術手冊

、溫度和電源電壓變化很小。相對于輸出信號電平，無用基波和次諧波抑制大于25 dBc（典型值）。 100 kHz失調(diào)時，加性SSB相位噪聲低至-140 dBc/Hz，可幫助用戶保持良好的系統(tǒng)噪聲性能。 HMC695LP4(E)非常適合LO乘法器鏈路，與傳統(tǒng)方法相比可以減少器件數(shù)量。

2025-04-18 14:07:00

732

HMC575LP4/575LP4E x2有源倍頻器，采用SMT封裝技術手冊

HMC575LP4(E)是一款x2有源寬帶倍頻器，使用GaAs PHEMT技術，采用符合RoHS標準的無引腳SMT封裝。由3 dBm信號驅(qū)動時，該倍頻器提供+17 dBm的典型輸出功率，在6至9 GHz的頻率下工作。相對于輸出信號電平，F(xiàn)o和3Fo隔離為15 dBc。

2025-04-18 11:19:41

918

HMC494LP3/494LP3E使用InGaP HBT技術，8分頻，采用SMT封裝技術手冊

HMC494LP3(E)是一款低噪聲8分頻靜態(tài)分頻器，使用InGaP GaAs HBT技術，采用無引腳3x3 mm QFN表面貼裝塑料封裝。此器件在DC（使用方波輸入）至18 GHz的輸入頻率下工

2025-04-18 10:18:56

734

HMC493LP3/493LP3E使用InGaP HBT技術，4分頻，采用SMT封裝技術手冊

HMC493LP3(E)是一款低噪聲4分頻靜態(tài)分頻器，使用InGaP GaAs HBT技術，采用無引腳3x3 mm QFN表面貼裝塑料封裝。此器件在DC（使用方波輸入）至18 GHz的輸入頻率下工

2025-04-18 09:59:26

838

HMC492LP3/492LP3E InGaP HBT 2分頻 SMT，DC-18GHz技術手冊

HMC492LP3（E）是一款低噪聲 2 分頻靜態(tài)分頻器，采用 InGaP GaAs HBT 技術，采用無引腳 3x3 mm QFN 表面貼裝塑料封裝。該器件采用單個 +5V DC 電源，在 DC

2025-04-18 09:48:50

789

HMC443LP4/443LP4E x4有源倍頻器，采用SMT封裝技術手冊

和電源電壓下變化很小。在輸出信號電平方面，對無用基波和次諧波的抑制>25 dBc（典型值）。 100 kHz偏置時的低加性SSB相位噪聲為-142 dBc/Hz，有助于用戶保持良好的系統(tǒng)噪聲性能。 HMC443LP4(E)非常適合在LO倍頻鏈中使用，與傳統(tǒng)方法相比，可以減少器件數(shù)量。

2025-04-17 16:42:19

796

HMC370LP4/370LP4E x4有源倍頻器SMT技術手冊

、溫度和電源電壓變化很小。相對于輸入信號電平，無用基波和次諧波抑制大于22 dBc（典型值）。 100 kHz失調(diào)時，加性SSB相位噪聲低至-140 dBc/Hz，可幫助用戶保持良好的系統(tǒng)噪聲性能。 HMC370LP4(E)非常適合LO倍頻器鏈路，與傳統(tǒng)方法相比可以減少器件數(shù)量。

2025-04-17 11:30:11

775

HMC368LP4/368LP4E x2有源倍頻器SMT技術手冊

的典型輸出功率。 Fo和3Fo隔離為18 dB（典型值）。 100 kHz失調(diào)時，加性SSB相位噪聲低至-140 dBc/Hz，可幫助用戶保持良好的系統(tǒng)噪聲性能。 HMC368LP4(E)非常適合LO倍頻器鏈路，與傳統(tǒng)方法相比可以減少器件數(shù)量。

2025-04-17 11:15:55

836

HMC631LP3/631LP3E HBT矢量調(diào)制器，采用SMT封裝技術手冊

HMC631LP3和HMC631LP3E均為高動態(tài)范圍矢量調(diào)制器RFIC，可用于RF預失真和前饋消除電路以及RF消除、波束成形和幅度/相位校正電路。 HMC631LP3(E)的I和Q端口可用來連續(xù)

2025-04-09 11:22:37

859

HMC630LP3/630LP3E HBT矢量調(diào)制器，采用SMT封裝技術手冊

HMC630LP3和HMC630LP3E均為高動態(tài)范圍矢量調(diào)制器RFIC，可用于RF預失真和前饋消除電路以及RF波束成形和幅度/相位校正電路。 HMC630LP3(E)的I和Q端口可用來連續(xù)改變RF

2025-04-09 11:16:06

911

HMC500LP3/500LP3E HBT矢量調(diào)制器，采用SMT封裝技術手冊

HMC500LP3(E)是一款高動態(tài)范圍的矢量調(diào)制器RFIC，用于RF預失真和前饋消除電路，以及RF消除和波束成形幅度/相位校正電路。可以使用HMC500LP3(E)的I/Q端口，持續(xù)改變RF信號

2025-04-09 10:55:15

826

HMC1133LP5E GaAs MMIC 6位數(shù)字移相器，4.8-6.2GHz技術手冊

HMC1133LP5E是一款6位數(shù)字移相器，額定頻率范圍為4.0至7 GHz，提供360度相位覆蓋，LSB為5.625度。 HMC1133LP5E在所有相態(tài)具有2.8度的極低RMS相位誤差及±0.4

2025-04-09 09:52:51

740

HMC967LP4E I/Q下變頻器，采用SMT封裝技術手冊

HMC967LP4E是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q下變頻器，采用符合RoHS標準的無引腳SMT封裝。該器件提供15 dB的小信號轉(zhuǎn)換增益、2.5 dB的噪聲系數(shù)，并在頻段范圍內(nèi)提供25

2025-04-02 16:10:21

841

12V1A隔離電源芯片LP3669CS

深圳市三佛科技有限公司供應12V1A隔離電源芯片LP3669CS，原裝現(xiàn)貨型號：LP3669CS 品牌：芯茂微封裝：SOP7L VCC電源電壓：-0.3 ~7 V 待機功耗：/ 工作結(jié)溫范圍

2025-04-02 15:34:13

5V0.2A煙霧傳感器電源芯LP2178A

300ma）芯茂微一級代理原裝現(xiàn)貨，技術支持，價格優(yōu)勢 LP2178A產(chǎn)品介紹： LP2178A 是一款高效率高精度的非隔離降壓開關電源恒壓控制驅(qū)動芯片。適用于 85VAC~265VAC 全范圍

2025-04-02 15:12:47

HMC786LP4E集成LO放大器的BiCMOS混頻器技術手冊

HMC786LP4E是一款集成LO放大器的高動態(tài)范圍無源MMIC混頻器，采用4x4 SMT QFN封裝，工作頻率范圍為0.7至1.1 GHz。 LO驅(qū)動為0 dBm時，3G和4G GSM/CDMA

2025-04-02 14:27:23

784

LP3718BSL芯茂微12V1A自供電PSR控制芯片

) LP3718BS18WSOP8L (12V1.5A) LP3718CA 18WASOP6( ) LP3718CD 24WDIP7 (12V 2A ,24V1A) 芯茂微一級代理商原裝，庫存

2025-04-01 17:47:32

HMC1113LP5E GaAs MMIC I/Q下變頻器技術手冊

HMC1113LP5E是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q下變頻器，采用無鉛5 x 5 mm低應力注塑塑料表貼封裝。該器件提供12 dB的小信號轉(zhuǎn)換增益、1.8 dB的噪聲系數(shù)和25 dBc

2025-04-01 13:57:35

861

HMC981LP3E有源偏置控制器技術手冊

HMC981LP3E是一款有源偏置控制器，可自動調(diào)整外部放大器的柵極電壓，從而實現(xiàn)恒定的偏置電流。它可用于為A級區(qū)（漏極電壓為4V至12V，漏極電流最大為200mA）的增強和耗盡型放大器提供合適的偏置，提供了完整的偏置解決方案。

2025-03-21 15:55:37

775

HMC980LP4E高電流有源偏置控制器技術手冊

HMC980LP4E是一款有源偏置控制器，可自動調(diào)整外部放大器的柵極電壓，從而實現(xiàn)恒定的偏置電流。 HMC980LP4E集成控制器，實現(xiàn)了安全的電源開/關、禁用/使能和自動供電序列，從而保證外部

2025-03-21 15:50:49

801

HMC903LP3E GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器技術手冊

、LFCSP封裝。HMC903LP3E放大器的工作頻率范圍為6 GHz至17 GHz，提供18.5 dB的小信號增益，1.7 dB的噪聲系數(shù)（在6 GHz至16 GHz頻段范圍內(nèi)），25 dBm的輸出IP3（全頻段6 GHz至17 GHz），采用3.5 V電源時功耗僅為80 mA。

2025-03-21 15:14:51

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