MAX4236, MAX4237 SOT23封裝、甚高精密、

MAX4236/MAX4237為高精度運(yùn)放，在不采用斬波技術(shù)的情況下取得了優(yōu)異的低失調(diào)電壓和低失調(diào)電壓溫度系數(shù)。MAX4236和MAX4237的典型大信號(hào)開(kāi)環(huán)電壓增益為120dB。這些器件的輸入偏置電流極小，僅為1pA。MAX4236的增益帶寬積為1.7MHz，單位增益穩(wěn)定。而MAX4237可穩(wěn)定工作于大于5V/V的閉環(huán)增益，增益帶寬積為7.5MHz。兩種器件均有關(guān)斷功能，使靜態(tài)電流降至小于0.1μA，輸出呈高阻態(tài)。

MAX4236/MAX4237的共模輸入范圍可低于負(fù)電源，輸出可達(dá)到滿擺幅。這些特性使其非常適合于采用+3V或+5V單電源供電的應(yīng)用。MAX4236/MAX4237的額定溫度范圍為-40°C至+85°C，可提供微型SOT23，μMAX?和SO封裝。對(duì)于較高精度的應(yīng)用，A級(jí)μMAX和SO封裝的器件經(jīng)過(guò)測(cè)試可以保證在+25°C下失調(diào)不超過(guò)20μV，漂移小于2μV/°C。

關(guān)鍵特性

超低失調(diào)電壓

20μV (最大值，A級(jí)，+25°C)
50μV (最大值，B級(jí)，6引腳SOT23，+25°C)

超低失調(diào)漂移

2μV/°C (最大值，A級(jí))
4.5μV/°C (最大值，B級(jí)，6引腳SOT23)
5.5μV/°C (最大值，6引腳SOT23)

超低輸入偏置電流：1pA

高開(kāi)環(huán)電壓增益：110dB (最小值，R_L = 100kΩ)

適用于+3V和+5V單電源系統(tǒng)

輸入允許到地：共模輸入范圍覆蓋電源負(fù)端

驅(qū)動(dòng)1kΩ負(fù)載時(shí)輸出可達(dá)滿擺幅

350μA靜態(tài)電流

增益帶寬積

1.7MHz (MAX4236，A_V = 1V/V)
7.5MHz (MAX4237，A_V = 5V/V)

具有帶200pF容性負(fù)載的能力

關(guān)斷模式：靜態(tài)電流僅0.1μA，輸出置于高阻狀態(tài)

提供節(jié)省空間的SOT23和μMAX封裝

應(yīng)用/使用

自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)

電池供電應(yīng)用

心電監(jiān)護(hù)儀

顯示器：工業(yè)、前面板和儀表

電化學(xué)傳感器

工業(yè)：過(guò)程測(cè)量與控制

儀表放大器

面板表

壓阻式傳感器

電表

可編程邏輯控制器(PLC)

應(yīng)變儀

熱電偶放大器

MAX4236、MAX4237：典型應(yīng)用電路
典型應(yīng)用電路

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運(yùn)算放大器(180377) 運(yùn)算放大器(180377)

評(píng)論

低成本SOT23封裝電壓輸出高端電流檢測(cè)放大器MAX4173的應(yīng)用與特性解析

低成本SOT23封裝電壓輸出高端電流檢測(cè)放大器MAX4173的應(yīng)用與特性解析在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，電流監(jiān)測(cè)是一個(gè)至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，特別是在筆記本電腦、手機(jī)等電池供電系統(tǒng)中。今天，我們就來(lái)深入探討一款

2025-12-23 14:45:15

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?3C電子領(lǐng)域高精密加工的適配型動(dòng)力單元

在 3C 電子、精密模具等細(xì)分加工領(lǐng)域，“高速 + 高精度 + 小負(fù)載適配” 是電主軸的核心需求，電主軸以 40mm 外徑的緊湊設(shè)計(jì)，成為該場(chǎng)景下的典型適配方案，其性能參數(shù)與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)精準(zhǔn)匹配了輕載高精密加工的技術(shù)要求。

2025-12-19 14:50:45

131

高精密穩(wěn)幅穩(wěn)相射頻測(cè)試線纜：毫米波測(cè)試的可靠保障

PKR系列高精密射頻線纜滿足18GHz-40GHz寬頻帶穩(wěn)幅穩(wěn)相需求，采用高純銅線、低損耗材料及精密連接技術(shù)，確保高精度測(cè)試。

2025-12-09 10:56:27

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合科泰SOT-23封裝MOS管AO3400的失效原因

SOT-23封裝的AO3400型號(hào)MOS管擊穿失效的案例，過(guò)程中梳理出MOS管最常見(jiàn)的失效原因，以及如何從原理層面規(guī)避這些問(wèn)題。

2025-11-26 09:47:34

615

MAX2769ETI是否可以替換MAX2771ETI的問(wèn)題

BiCMOS 工藝，總噪聲系數(shù)同樣低至 1.4dB，供電電壓也為 2.7V 至 3.3V，封裝形式也是 28 引腳、5mmx5mm 的薄型 QFN 封裝。MAX2771 相對(duì)于 MAX2769 的升級(jí)

2025-09-29 13:45:00

AP2309N-VB一款SOT23封裝P—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

：-5.6A6. 導(dǎo)通電阻：47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V7. 閾值電壓：Vth=-1V**應(yīng)用簡(jiǎn)介：**AP2309N-VB是一款SOT23封裝的P—Chan

2025-08-20 15:24:22

AP2309AGN-VB一款SOT23封裝P—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

(ON)：47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓：Vth=-1V應(yīng)用簡(jiǎn)介：AP2309AGN-VB是一款SOT23封裝的P—Channel溝道

2025-08-20 15:07:49

AP2308GN-VB一款SOT23封裝N—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

=4.5V, VGS=8V- 閾值電壓: Vth = 0.45~1V應(yīng)用簡(jiǎn)介：AP2308GN-VB是一款N-Channel溝道MOSFET，適用于SOT23封裝。主要應(yīng)

2025-08-20 14:51:10

AP2308EN-VB一款SOT23封裝N—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

Ω @ VGS=4.5V, VGS=8V- 閾值電壓：Vth=0.45~1V應(yīng)用簡(jiǎn)介：AP2308EN-VB是一款SOT23封裝的N-Channel溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管，具有高性

2025-08-20 13:57:39

AP2305CGN-HF-VB一款SOT23封裝P—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

AP2305CGN-HF-VB是VBsemi品牌的P—Channel溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管，采用SOT23封裝。以下是該器件的詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明和應(yīng)用簡(jiǎn)介：- **型號(hào)：** AP2305CGN-HF-VB-

2025-08-20 11:25:00

AP2302GN-HF-VB一款SOT23封裝N—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

）：6A - 開(kāi)態(tài)電阻（RDS(ON)）：24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V - 閾值電壓（Vth）：0.45~1V- 封裝：SOT23應(yīng)

2025-08-20 10:12:41

AP2301GN-HF-VB一款SOT23封裝P—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

AP2301GN-HF-VB是VBsemi品牌的SOT23封裝型號(hào)，具體參數(shù)如下：- 品牌: VBsemi- 參數(shù): - 溝道類(lèi)型: P—Channel - 最大工作電壓

2025-08-19 17:56:44

AO3409A-VB一款SOT23封裝P—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

漏極-源極電阻（RDS(ON)）：47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓（Vth）：-1V**封裝：**SOT23**應(yīng)用簡(jiǎn)介：**AO340

2025-08-19 15:12:17

森國(guó)科推出SOT227封裝碳化硅功率模塊

碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體技術(shù)引領(lǐng)者森國(guó)科，推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結(jié)合了高功率密度與系統(tǒng)級(jí)可靠性，為新能源發(fā)電、工業(yè)電源及電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域提供高效能解決方案。

2025-08-16 13:50:09

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REF2920 2.048V、100ppm/°C、50μA，采用3引腳SOT-23封裝系列（帶隙）基準(zhǔn)電壓源技術(shù)手冊(cè)

REF29xx 是一款精密、低功耗、低壓壓差基準(zhǔn)電壓源系列采用微型 3 引腳 SOT-23 封裝。 REF29xx 體積小、功耗低（最大 50 μA），非常適合便攜式和電池供電的應(yīng)用。REF29xx 不需要負(fù)載電容器，但它需要負(fù)載電容器在任何容性負(fù)載下都很穩(wěn)定。

2025-08-14 17:53:56

885

REF2925 2.5V、100ppm/°C、50μA，采用3引腳SOT-23封裝系列（帶隙）基準(zhǔn)電壓源技術(shù)手冊(cè)

2025-08-14 17:09:31

874

REF2933 3.3V、100ppm/°C、50μA，采用3引腳SOT-23封裝系列（帶隙）基準(zhǔn)電壓源技術(shù)手冊(cè)

2025-08-14 16:56:26

873

REF2940 4.096V、100ppm/°C、50μA，采用3引腳SOT-23封裝系列（帶隙）基準(zhǔn)電壓源技術(shù)手冊(cè)

2025-08-14 16:09:35

695

?LM4128/LM4128Q SOT-23精密微功耗串聯(lián)電壓基準(zhǔn)芯片技術(shù)文檔總結(jié)

LM4128 精密基準(zhǔn)電壓源是空間關(guān)鍵型應(yīng)用的理想選擇，具有以下特點(diǎn)：采用 SOT-23 表面貼裝封裝。LM4128 的先進(jìn)設(shè)計(jì)消除了對(duì) 外部穩(wěn)定電容器，同時(shí)確保容性負(fù)載高達(dá) 10 μF 的穩(wěn)定性

2025-08-13 18:17:03

690

AO3405-VB一款SOT23封裝P—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

導(dǎo)通電阻：47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V7. 閾值電壓：Vth=-1V**應(yīng)用簡(jiǎn)介：**AO3405-VB是一款SOT23封裝的P—Channel

2025-08-12 17:32:24

AO3405A-VB一款SOT23封裝P—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

AO3405A-VB是VBsemi品牌的P—Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管，采用SOT23封裝。以下是詳細(xì)參數(shù)和應(yīng)用簡(jiǎn)介：- **參數(shù)說(shuō)明:** - 額定電壓（VDS）: -30V

2025-08-12 17:27:57

AO3404-VB一款SOT23封裝N—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

VBsemi AO3404-VB是一款N-Channel溝道的SOT23封裝場(chǎng)效應(yīng)晶體管。以下是詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明和應(yīng)用簡(jiǎn)介：- 額定電壓（VDS）: 30V- 額定電流（ID）: 6.5A- 開(kāi)態(tài)電阻

2025-08-12 17:24:13

AO3403L-VB一款SOT23封裝P—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

(ON)): 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓 (Vth): -1V**封裝:**- 封裝類(lèi)型: SOT23**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明和應(yīng)用簡(jiǎn)介:

2025-08-12 17:13:16

AM3402RA-VB一款SOT23封裝N—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào)：AM3402RA-VB品牌：VBsemi封裝：SOT23參數(shù)：- N-Channel溝道- 額定電壓（VDS）：30V- 額定電流（ID）：6.5A- 開(kāi)啟電阻（RDS(ON)）：30m

2025-08-12 15:00:59

AM3401E3VR-VB一款SOT23封裝P—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

：-5.6A- 開(kāi)啟電阻：47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓：Vth=-1V**應(yīng)用簡(jiǎn)介：**AM3401E3VR-VB是一款SOT23封裝的P—

2025-08-12 14:56:20

AM2381P-VB一款SOT23封裝P—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

AM2381P-VB是VBsemi品牌的P—Channel溝道場(chǎng)效應(yīng)管，采用SOT23封裝。以下是詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明和應(yīng)用簡(jiǎn)介：- 電壓（Vds）：-60V- 電流（Id）：-5.2A- 導(dǎo)通電阻（RDS

2025-08-12 14:19:19

AM2359P-T1-PF-VB一款SOT23封裝P—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

；Vth=-2V 封裝：SOT23詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明：- 型號(hào)：AM2359P-T1-PF-VB- 品牌：VBsemi- 參數(shù)： - 封裝類(lèi)型：SOT23&nbs

2025-08-12 14:01:51

AM2359PE-T1-PF-VB一款SOT23封裝P—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

(ON)=40mΩ@VGS=10V,VGS=20V- 閾值電壓：Vth=-2V應(yīng)用簡(jiǎn)介：AM2359PE-T1-PF-VB是一款SOT23封裝的P—Channel溝道MOSF

2025-08-12 13:59:20

AM2336NW-T1-VB一款SOT23封裝N—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

AM2336NW-T1-VB是VBsemi品牌的SOT23封裝N-Channel溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。以下是詳細(xì)參數(shù)和應(yīng)用簡(jiǎn)介：**詳細(xì)參數(shù)：**- 封裝：SOT23- 極性：N-Channel- 額定

2025-08-12 11:21:42

AM2326N-T1-PF-VB一款SOT23封裝N—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

Ω @ VGS=4.5V, VGS=8V- 閾值電壓：Vth=0.45~1V**應(yīng)用簡(jiǎn)介：**AM2326N-T1-PF-VB是一款SOT23封裝的N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶

2025-08-12 10:44:02

AFP3405S23RG-VB一款SOT23封裝P—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

開(kāi)啟電阻：47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓：-1V**封裝：** SOT23**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明：**- **溝道類(lèi)型（Channel Ty

2025-08-11 16:01:41

AFP2343AS23RG-VB一款SOT23封裝P—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

參數(shù)說(shuō)明：- 型號(hào): AFP2343AS23RG-VB- 品牌: VBsemi- 封裝: SOT23- 溝道類(lèi)型: P—Channel- 最大電壓: -20V- 最大電流: -4A- 導(dǎo)通電

2025-08-11 15:34:10

AFP2337AS23RG-VB一款SOT23封裝P—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

(ON) = 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓: Vth = -1V應(yīng)用簡(jiǎn)介:AFP2337AS23RG-VB是一款SOT23封裝的P-

2025-08-11 15:29:12

AFP2323AS23RG-VB一款SOT23封裝P—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

阻 (RDS(ON)): 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓 (Vth): -1V**封裝:**- 封裝類(lèi)型: SOT23**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明和

2025-08-11 15:20:20

AFP2317S23RG-VB一款SOT23封裝P—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

VBsemi AFP2317S23RG-VB是一款SOT23封裝的P—Channel溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管，設(shè)計(jì)用于電子設(shè)備和模塊。以下是該產(chǎn)品的詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明和應(yīng)用簡(jiǎn)介：- **參數(shù)說(shuō)明:**

2025-08-11 15:06:57

AFP2309AS23RG-VB一款SOT23封裝P—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

(ON)=40mΩ@VGS=10V,VGS=20V- 閾值電壓：Vth=-2V應(yīng)用簡(jiǎn)介：AFP2309AS23RG-VB是一款SOT23封裝的P—Channel溝道MOSFET

2025-08-11 14:52:09

AFP2307AS23RG-VB一款SOT23封裝P—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

AFP2307AS23RG-VB是VBsemi品牌的P—Channel溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管，采用SOT23封裝。參數(shù)包括工作電壓-20V，電流-4A，導(dǎo)通電阻RDS(ON)=57mΩ（在VGS=4.5V

2025-08-11 14:49:14

AFP2303S23RG-VB一款SOT23封裝P—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

, VGS=20V- 閾值電壓：-1V封裝為SOT23。該器件適用于SOT23封裝，廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域和模塊：1. **電源管理模塊：** 由于其負(fù)載特性和低漏電流，可

2025-08-11 14:37:16

AFP2303AS23RG-VB一款SOT23封裝P—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

型號(hào)：AFP2303AS23RG-VB品牌：VBsemi封裝：SOT23**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明：**- 溝道類(lèi)型：P—Channel- 最大承受電壓：-30V- 最大電流：-5.6A- 開(kāi)態(tài)電阻（RDS

2025-08-11 14:34:51

AFP2301AS23RG-VB一款SOT23封裝P—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

AFP2301AS23RG-VB是VBsemi品牌的P—Channel溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管，采用SOT23封裝。參數(shù)包括工作電壓-20V，電流-4A，導(dǎo)通電阻RDS(ON)=57mΩ（在VGS=4.5V

2025-08-11 14:24:21

AFN3416S23RG-VB一款SOT23封裝N—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

AFN3416S23RG-VB是VBsemi品牌的N-Channel溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管，采用SOT23封裝。以下是詳細(xì)參數(shù)：- 額定電壓 (VDS): 20V- 額定電流 (ID): 6A- 漏極-源

2025-08-11 13:57:16

AFN3414S23RG-VB一款SOT23封裝N—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

AFN3414S23RG-VB品牌：VBsemi參數(shù)：SOT23；N-Channel溝道，20V；6A；RDS(ON)=24mΩ @ VGS=4.5V，VGS=8V；Vth=0.45~1V；封裝

2025-08-11 13:53:23

AFN3406AS23RG-VB一款SOT23封裝N—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

**AFN3406AS23RG-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明和應(yīng)用簡(jiǎn)介:**- **型號(hào)：** AFN3406AS23RG-VB- **品牌：** VBsemi- **封裝：** SOT23**參數(shù)

2025-08-11 13:41:13

AFN3402S23RG-VB一款SOT23封裝N—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

Ω @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓：Vth=1.2~2.2V應(yīng)用簡(jiǎn)介：AFN3402S23RG-VB是一款SOT23封裝的N—Channel溝道場(chǎng)

2025-08-11 11:53:27

ACE2302CBM+H-VB一款SOT23封裝N—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

Ω @ VGS=4.5V, VGS=8V- 閾值電壓（Vth）：0.45~1V應(yīng)用簡(jiǎn)介：ACE2302CBM+H-VB是一款SOT23封裝的N—Channel溝道MOSFE

2025-08-09 16:06:31

AAT8401-VB一款SOT23封裝P—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

、VGS=12V時(shí)）- 閾值電壓：-0.81V應(yīng)用簡(jiǎn)介：AAT8401-VB適用于需要P—Channel MOSFET的電路設(shè)計(jì)。其SOT23封裝和優(yōu)越的電性能使

2025-08-09 15:51:05

336P-VB一款SOT23封裝P—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

=-0.81V- **封裝：** SOT23**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明和應(yīng)用簡(jiǎn)介:**1. **SOT23封裝：** 小型SOT23封裝適合緊湊的電路設(shè)計(jì)，有助于節(jié)省空間。

2025-08-09 10:19:33

2SK543-VB一款SOT23封裝N—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

=4.5V, VGS=8V- 閾值電壓 (Vth): 0.45~1V**應(yīng)用簡(jiǎn)介:**2SK543-VB是一款SOT23封裝的N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管，具有卓越的電氣性能，適

2025-08-09 10:13:33

2SK520-VB一款SOT23封裝P—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

2SK520-VB，品牌VBsemi，SOT23封裝，P—Channel溝道，-30V，-5.6A，RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V，VGS=20V，Vth=-1V。**詳細(xì)參數(shù)

2025-08-09 10:01:55

2SK3290BNTL-VB一款SOT23封裝N—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

Ω @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓（Vth）：1.2~2.2V應(yīng)用簡(jiǎn)介：該器件適用于SOT23封裝，具有N-Channel溝道。其主要特性包括低

2025-08-08 17:44:30

2SK3000-VB一款SOT23封裝N—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

(ON)）：30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓（Vth）：1.2~2.2V應(yīng)用簡(jiǎn)介：2SK3000-VB是一款N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管，采用SOT23封裝，

2025-08-08 17:41:00

2SK2273-VB一款SOT23封裝N—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

=4.5V, VGS=8V- 閾值電壓: Vth = 0.45~1V應(yīng)用簡(jiǎn)介：2SK2273-VB是一款N-Channel溝道MOSFET，適用于SOT23封裝。主要應(yīng)用

2025-08-08 17:21:38

2SK1582-VB一款SOT23封裝N—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

VGS=10V、VGS=20V時(shí)為30mΩ- 閾值電壓（Vth）：1.2~2.2V應(yīng)用概述：VBsemi 2SK1582-VB 是一款SOT23封裝的N-通道MOS

2025-08-08 17:02:46

2SK1215-VB一款SOT23封裝N—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

2SK1215-VB是VBsemi品牌的SOT23封裝N-Channel溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。以下是詳細(xì)參數(shù)和應(yīng)用簡(jiǎn)介：**詳細(xì)參數(shù)：**- 封裝：SOT23- 極性：N-Channel- 額定電壓

2025-08-08 16:59:42

2SJ626-T1B-A-VB一款SOT23封裝P—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

2SJ626-T1B-A-VB 品牌：VBsemi 參數(shù)：SOT23；P—Channel溝道，-60V；-5.2A；RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2V 封裝

2025-08-08 16:56:52

2SJ501-VB一款SOT23封裝P—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

Ω @ VGS=4.5V, VGS=12V- 閾值電壓：Vth = -0.81V應(yīng)用簡(jiǎn)介：2SJ501-VB是一款SOT23封裝的P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管，具有低閾值電壓和低開(kāi)

2025-08-08 16:38:27

2SJ209-T1B-A-VB一款SOT23封裝P—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

封裝：SOT23詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明：- 型號(hào)：2SJ209-T1B-A-VB- 絲印：VB2101K- 品牌：VBsemi- 參數(shù)： - 封裝類(lèi)型：SOT23

2025-08-07 17:44:36

2SJ204-VB一款SOT23封裝P—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

, VGS=20V；Vth=-1.87V- **封裝：** SOT23**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明：**- **型號(hào)：** 2SJ204-VB- **封裝類(lèi)型：** SOT2

2025-08-07 17:41:17

132X-VB一款SOT23封裝P—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

(ON)=57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V- 閾值電壓：Vth=-0.81V**封裝：**- 封裝類(lèi)型：SOT23**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明：**- **溝

2025-08-06 10:26:37

中低壓MOS管MDD2304數(shù)據(jù)手冊(cè)

低導(dǎo)通電阻 @VGS=10V ?5V邏輯電平控制 ?N溝道 SOT23封裝 ?無(wú)鉛，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

2025-07-10 14:06:25

中低壓MOS管MDD2303數(shù)據(jù)手冊(cè)

低導(dǎo)通電阻 @柵源電壓=-10V ?-5V邏輯電平控制 ?P溝道SOT23封裝 ?無(wú)鉛工藝，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

2025-07-10 14:04:22

支持60V70V80V100V45A大電流方案N通道MOS管HC025N10L高性?xún)r(jià)比高效率穩(wěn)定

45A，開(kāi)啟電壓低至 1.2V。封裝形式：常用封裝有 DFN3333、SOT89 - 3、SOT23 - 3、SOP - 8、TO - 252、TO - 220 等。其中，采用 TO - 252

2025-07-10 14:03:45

LMR12010 3V 至 20V、1A 降壓型 DC/DC 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，采用 SOT-23 封裝數(shù)據(jù)手冊(cè)

LMR12010穩(wěn)壓器是一款單片、高頻、PWM 降壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器，采用 6 引腳薄型 SOT23 封裝。它提供所有有源功能，可在盡可能小的 PCB 面積內(nèi)提供具有快速瞬態(tài)響應(yīng)和精確調(diào)節(jié)的本地 DC/DC 轉(zhuǎn)換。

2025-07-07 09:37:41

719

一線單芯100W五芯線方案USB TYPE-C接口eMarker芯片支持VBUS或VCONN供電

范圍：2.9V?42V#VIN最低2.9V工作，支持VCONN直接供電#VIN最高42V工作，支持VBUS直接供電#CC耐壓高達(dá)36V#完美適配100W20V/5A線材應(yīng)用#封裝：SOT23(小23封裝)應(yīng)用領(lǐng)域：#USB Type-C線纜

2025-07-03 10:57:22

240W快充數(shù)據(jù)線USB TYPE-C接口eMarket芯片支持PD3.2協(xié)議支持VBUS/VCONN供電

支持60V VBUS#CC耐壓高達(dá)36V#完美適配240W48V/5A線材應(yīng)用#封裝：SOT23(小23封裝)應(yīng)用領(lǐng)域：#USB Type-C線纜

2025-07-03 10:47:34

用于USB線材TYPE-C Emarket 140W功率芯片

應(yīng)用#內(nèi)置高壓保護(hù)：保護(hù)線纜可靠工作于最高28V電壓# 封裝： SOT23（小23封裝）應(yīng)用領(lǐng)域：#USB Type-C線纜

2025-07-02 17:34:48

高速信號(hào)雙通道SOT-23低電容ESD防護(hù)

上海雷卯常常接到新老客戶(hù)咨詢(xún)：“有高速信號(hào)用的兩通道雙向3.3V或5V....電壓ESD二極管嗎？我們有兩個(gè)I/O口需要做靜電防護(hù)，比如SOT-23封裝。”為滿足客戶(hù)需求上海雷卯研發(fā)推出以下雙通道系列ESD，封裝SOT-23，廣泛應(yīng)用于

2025-07-01 22:15:38

657

Analog Devices / Maxim Integrated MAX22005EVKIT評(píng)估套件數(shù)據(jù)手冊(cè)

總共支持多達(dá)26種配置。Analog Devices MAX22005EVKIT評(píng)估套件預(yù)裝有MAX22005，采用LGA-48封裝。該套件可使用USB電纜連接到安裝了Windows系統(tǒng)的個(gè)人電腦。借助圖形用戶(hù)界面 (GUI)，用戶(hù)可以輕松配置目標(biāo)器件。

2025-07-01 11:25:50

549

Analog Devices / Maxim Integrated MAX40110與MAX40111精密運(yùn)算放大器數(shù)據(jù)手冊(cè)

Analog Devices MAX40110和MAX40111精密運(yùn)算放大器是是1.8V 15MHz低功耗軌到軌I/O運(yùn)算放大器，上電時(shí)間不到1ms。MAX40110和MAX40111將高速

2025-07-01 11:19:09

615

Analog Devices / Maxim Integrated MAX40110EVKIT和MAX40111EVKIT評(píng)估套件特性/布局

Analog Devices MAX40110EVKIT和MAX40111EVKIT評(píng)估套件為MAX40110和MAX40111精密運(yùn)算放大器提供演示平臺(tái)。 MAX40110和MAX

2025-07-01 11:14:26

588

零電容！零電容！零電容！30V/150mA低功耗高精度線性穩(wěn)壓器，打造固定輸出5V/3.3V方案首選

基準(zhǔn)源，電流檢測(cè)，恒流控制，功率管和過(guò)溫保護(hù)等電路模塊。PC0705使用SOT23封裝。產(chǎn)品特征:#輸入工作電壓范圍：1?30V#輸入輸出無(wú)需電容即可穩(wěn)定工作#靜態(tài)功耗6uA#75dBPSRR#輸出

2025-06-25 10:23:51

Analog Devices / Maxim Integrated MAX22707精密過(guò)零檢測(cè)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

Analog Devices MAX22707精密過(guò)零檢測(cè)器可根據(jù)交流線路輸入提供可靠、可重復(fù)的過(guò)零檢測(cè)信號(hào) MAX22707使用開(kāi)關(guān)電容器濾波器確保將過(guò)零延遲降至最低，同時(shí)跟蹤輸入頻率的變化

2025-06-24 09:56:39

570

TPS562219A 17V 輸入、2A 同步降壓穩(wěn)壓器，采用 SOT-23 封裝，具有電源正常和軟啟動(dòng)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS562219A 是一款2A同步降壓轉(zhuǎn)換器，采用8引腳SOT-23封裝。它適用于多種應(yīng)用，包括數(shù)字電視電源、高清藍(lán)光播放器和網(wǎng)絡(luò)家庭終端等。該轉(zhuǎn)換器具有寬輸入電壓范圍（4.5V至17V）和可調(diào)輸出電壓范圍（0.76V至7V）。

2025-06-19 09:37:14

603

TPS565208 4.5V 至 17V、5A 同步降壓穩(wěn)壓器，采用 SOT23 封裝數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS565208 是一款簡(jiǎn)單易用的 5A 同步降壓轉(zhuǎn)換器，采用 SOT-23 封裝。該器件經(jīng)過(guò)優(yōu)化，以最少的外部元件數(shù)量運(yùn)行，并經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可實(shí)現(xiàn)低待機(jī)電流。

2025-06-17 14:29:45

638

替代MAX985/MAX989/MAX993低功耗推挽輸出差分比較器

:+2.7V~5.5V工業(yè)溫度范圍:-40℃~125℃封裝形式:PC985:SOT23-5/ SOT353PC989:SOP8/MSOP8PC993:SOPI4/TSSOP14

2025-05-21 10:02:01

MAX9111/MAX9113單/雙路LVDS線接收器，提供超低脈沖偏差，SOT23封裝技術(shù)手冊(cè)

MAX9111/MAX9113單路/雙路低壓差分信號(hào)(LVDS)接收器專(zhuān)為需要超小功耗、空間和噪聲的高速應(yīng)用而設(shè)計(jì)。這兩款器件均支持超過(guò)500Mbps的開(kāi)關(guān)速率，同時(shí)采用+3.3V單電源供電，并具有激光打印機(jī)和數(shù)碼復(fù)印機(jī)等高分辨率成像應(yīng)用所需的300ps（最大值）超低脈沖偏斜。

2025-05-19 15:03:29

707

MAX9110/MAX9112單/雙路LVDS線驅(qū)動(dòng)器，提供超低差分偏移，SOT23封裝技術(shù)手冊(cè)

MAX9110/MAX9112單路/雙路低壓差分信號(hào)(LVDS)發(fā)射器專(zhuān)為需要超小功耗、空間和噪聲的高速應(yīng)用而設(shè)計(jì)。這兩款器件均支持超過(guò)500Mbps的開(kāi)關(guān)速率，同時(shí)采用+3.3V單電源供電，并具有激光打印機(jī)和數(shù)碼復(fù)印機(jī)等高分辨率成像應(yīng)用所需的250ps（最大值）超低脈沖偏斜。

2025-05-19 14:19:25

699

ZSKY 4.2A SOT23 3401 P溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書(shū)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY 4.2A SOT23 3401 P溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載

2025-05-14 17:29:49

ZSKY-3401-3.2A-SOT-23 43.5K塑料封裝MOSFETS規(guī)格書(shū)

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2025-05-13 18:18:06

ZSKY-3401-3.2A-SOT-23塑料封裝MOSFETS規(guī)格書(shū)

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2025-05-13 18:14:28

ZSKY-3401-3A-SOT-23 80K塑料封裝MOSFETS規(guī)格書(shū)

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2025-05-13 18:08:49

ZSKY-3401 SOT-23塑料封裝MOSFETS規(guī)格書(shū)

ZSKY-3401 4.2A SOT-23

2025-05-13 16:20:27

2N7002KDW SOT363：小封裝、高ESD保護(hù)的N溝道MOSFET，助力精密電路設(shè)計(jì)

2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝的雙N溝道MOSFET，集成了ESD保護(hù)功能，兼具低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）與高耐壓（60V）特性。其超小封裝和低閾值電壓（VTH=1.6V）使其

2025-04-27 16:59:26

五款電流檢測(cè)芯片深度對(duì)比：耐壓/精度/封裝全解析，SOT23-5與SOT23-6封裝電流檢測(cè)芯片選型手冊(cè)

如何選擇一款電流檢測(cè)芯片呢？今天我們要講的是臺(tái)灣遠(yuǎn)翔的這五款電流檢測(cè)芯片以上五款電流檢測(cè)芯片，其中FP130A與FP355是PIN對(duì)PIN的，封裝為SOT23-5，這兩款芯片耐壓比較

2025-04-17 16:47:43

高精密三坐標(biāo)

中圖儀器Mars高精密三坐標(biāo)采用的測(cè)量技術(shù)和精密的傳感器，結(jié)合精密的機(jī)械結(jié)構(gòu)和溫度補(bǔ)償系統(tǒng)，精度高、重復(fù)性?xún)?yōu)。不管是復(fù)雜的三維形狀還是細(xì)微的尺寸差異，每一次測(cè)量都能達(dá)到微米級(jí)精度，實(shí)現(xiàn)對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量

2025-04-10 10:14:36

替代LT8301微功率反激隔離開(kāi)關(guān)控制器SOT23-5封裝

/1.5A電源開(kāi)關(guān)提供高達(dá)6W的輸出功率。PC4401具有欠壓鎖定（UVLO）功能)短路保護(hù)（SCP）及以上溫度保護(hù)（OTP）以幫助設(shè)備安全可靠地運(yùn)行。PC4401采用5引腳TSOT-23封裝。特征:?3V至

2025-04-08 10:43:00

LM1770系列低電壓 SOT23 同步降壓控制器，無(wú)外部補(bǔ)償技術(shù)資料

LM1770 是一款采用微型 SOT-23 封裝的高效同步降壓開(kāi)關(guān)控制器包。恒定導(dǎo)通時(shí)間控制方案提供了簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)，無(wú)需補(bǔ)償元件，允許最少的元件數(shù)量和電路板空間。它還包含一個(gè)獨(dú)特的輸入前饋以保持

2025-04-03 13:46:50

688

貼片三極管封裝對(duì)應(yīng)尺寸及應(yīng)用

、SOT-23封裝尺寸：3×3×1.1mm 引腳數(shù)：3個(gè) 應(yīng)用：該封裝形式廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信、計(jì)算機(jī)等領(lǐng)域，具有體積小、質(zhì)量輕、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。 2、SOT-89封裝尺寸：4.5×4.5×1.5mm 引腳數(shù)：3個(gè) 應(yīng)用：比SOT-23封裝體積稍大，但電路設(shè)計(jì)更容易。在電

2025-03-26 15:23:51

4201

高端電流檢測(cè)開(kāi)關(guān)式高亮度LED驅(qū)動(dòng)集成電路CN5821

管腳的SOT23封裝。特點(diǎn)：?工作電壓范圍：3.2V 到30V?高端電流檢測(cè)?可以采用PWM調(diào)光或模擬調(diào)光方式?PWM調(diào)光頻率：200Hz到20kHz?自動(dòng)關(guān)斷功能?滯環(huán)控制：響應(yīng)速度快，無(wú)需補(bǔ)償

2025-03-25 14:41:08

過(guò)壓保護(hù)控制集成電路CN36B

關(guān)斷和緩慢導(dǎo)通外部P溝道MOSFET。快速關(guān)斷可以將負(fù)載與過(guò)沖電壓快速隔離；緩慢導(dǎo)通可以控制負(fù)載的浪涌電流，實(shí)現(xiàn)了對(duì)負(fù)載的有效保護(hù)。CN36B采用3管腳SOT23封裝。特點(diǎn):?輸入電壓高達(dá)32V?過(guò)壓

2025-03-24 13:56:45

過(guò)壓保護(hù)控制集成電路CN36A

關(guān)斷和緩慢導(dǎo)通外部P溝道MOSFET。快速關(guān)斷可以將負(fù)載與過(guò)沖電壓快速隔離；緩慢導(dǎo)通可以控制負(fù)載的浪涌電流，實(shí)現(xiàn)了對(duì)負(fù)載的有效保護(hù)。CN36A采用3管腳SOT23封裝。應(yīng)用:?小家電?便攜式裝置?醫(yī)療

2025-03-21 10:03:14