? ? ? ? 7月11日，2023慕尼黑上海電子展(Electronica China)在上海國家會展中心開幕，本屆展會以“融合創新、智引未來”為主題，匯聚半導體、無源器件、智能網聯&新能源汽車、傳感器、連接器、開關、線束線纜、電源、測試測量、印刷電路板、電子制造服務、先進制造等企業，打造從產品設計到應用落地的橫跨產業上下游的專業展示平臺，以創新技術促進中國電子產業發展。

????????普賽斯儀表致力于半導體測試高端裝備的國產化，攜全系列半導體電性能測試主力產品及半導體領域從材料、晶圓到器件測試解決方案亮相本次展會，吸引眾多工程師和行業嘉賓前來體驗交流。

????????測試測量是整個電子產業質量控制的有效手段，半導體根據生產環節不同，質量控制分為前道檢測、中道檢測和后道測試。前道檢測又稱為過程工藝檢測，面向晶圓制造，檢查光刻、刻蝕、薄膜沉積、清洗、CMP等晶圓制造環節后產品加工參數是否達到設計要求或存在影響良率缺陷，偏向物理性檢測；中道檢測面向先進封裝，以光學等非接觸式手段針對重布線結構、凸點與硅通孔等晶圓制造環節的質量控制；后道測試主要面向晶圓檢測（CP，Circuit Probing）和成品測試（FT，Final Test），檢查芯片性能是否符合要求，偏向電性能檢測。

????????圍繞半導體的電性能測試，普賽斯儀表現場展示了自主研發的源表系列(SMU)、脈沖恒流源 (FIMV)、高壓電源 (FIMV、FVMI)、脈沖恒壓源以及數據采集卡五大類產品，涵蓋直流源表、脈沖源表、窄脈沖電流源、集成插卡式源表、高精度的超大電流源、高精度高壓電源、數據采集卡等國產化電性能測試儀表，其穩定性、可靠性、一致性得到廣泛的市場驗證。

聚焦第三代半導體快速發展下企業面臨的困境和挑戰，普賽斯儀表副總經理兼研發技術負責人王承與現場嘉賓進行了更深層次的探討。

SiC/IGBT?功率半導體器件測試

????????針對SiC/IGBT器件在測試中存在的測不準、測不全、可靠性以及效率低的問題，普賽斯儀表推薦一種基于國產化高精度數字源表(SMU)的測試方案，具備更優的測試能力、更準確的測量結果、更高的可靠性與更全面的測試能力。具有高電壓(3500V)和大電流(6000A)特性、μΩ級導通電阻精確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

GaN?功率半導體器件測試

????????針對氮化鎵(GaN)包括砷化鎵(GaAs)等材料構成的高速器件的I-V測試，普賽斯儀表全新推出的CP系列脈沖恒壓源可以高效快速解決測試難題。產品具有脈沖電流最高可至10A、脈沖寬度最小可低至100ns；支持直流、脈沖兩種電壓輸出模式等特點。產品可應用于GaN的自熱效應，脈沖S參數測試等場合。

????????科學儀器賽道長坡厚雪，國產替代需求強烈。普賽斯儀表將持續創新，不斷推動產業鏈上下游合作聯動，以優異的產品與服務助力客戶實現產業增值，共赴可持續未來。

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展會為期3天，7月11日-13日

展位號：6.2H C613

普賽斯儀表期待您的蒞臨！