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sic mosfet技術(shù)

典型車用IGBT芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計解析

Sic MOSFET的正柵壓目前已經(jīng)于Si IGBT相當(dāng)(+15V) ,但負(fù)柵壓仍有很大差別(-5V) ，Sic MOSFET開關(guān)速度快引起的EMII問...

2023-04-17 標(biāo)簽：emi IGBT 晶體管 682 0

《電動汽車電力電子技術(shù)及市場-2023版》

SiC MOSFET的采用是中期展望的主旋律，將迅速增長并主導(dǎo)市場份額，IDTechEx在報告中給出了各類器件的應(yīng)用時間表。雖然經(jīng)過驗證的SiC MOS...

2023-02-23 標(biāo)簽：電動汽車功率器件 SiC MOSFET 2.2k 0

高壓SiC MOSFET發(fā)展歷程與研究現(xiàn)狀

高壓 SiC MOSFET 由于其單極工作模式，高擊穿電壓將嚴(yán)重限制器件的導(dǎo)通電流能力。例如對于10 kV 等級器件來說，室溫下其電流等級約為 20~4...

2023-02-03 標(biāo)簽：SiC SiC MOSFET 5.3k 0

富昌電子系統(tǒng)設(shè)計中心SiC版逆變器方案

該方案基于NXP Power架構(gòu)主控MCU平臺，融合了ON隔離預(yù)驅(qū)芯片及碳化硅功率器件，以及NXP電源管理芯片，可實現(xiàn)汽車功能安全標(biāo)準(zhǔn)ISO26262的...

2022-10-31 標(biāo)簽：逆變器碳化硅 SiC MOSFET 1.2k 0

TI柵極驅(qū)動器提供大量設(shè)計支持工具幫助簡化設(shè)計

過去，牽引逆變器使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。然而，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管具有比 IGBT 更高的...

2022-10-11 標(biāo)簽：ti 柵極驅(qū)動器 SiC MOSFET 3.9k 0

SiC MOSFET應(yīng)用中的EMI改善方案分析

寄生電感是SiC MOSFET Vds尖峰和振鈴的主要原因。SiC MOSFET的快速開關(guān)速度會導(dǎo)致較高Vds尖峰和較長的振鈴時間。這種尖峰會降低設(shè)備的...

2022-08-29 標(biāo)簽：emi 柵極電阻寄生電感 2.1k 0

SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性

關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，...

2022-08-01 標(biāo)簽：英飛凌仿真 SiC MOSFET 3.2k 0

在電動汽車中采用SiC MOSFET進(jìn)行雙向充電

電動汽車 (EV) 以及更普遍的電動汽車的成功在很大程度上取決于為電池充電所需的時間。長期以來被認(rèn)為是電動汽車的弱點之一，充電時間逐漸減少，快速充電等先...

2022-07-26 標(biāo)簽：電動汽車轉(zhuǎn)換器充電系統(tǒng) 2.1k 0

橋式結(jié)構(gòu)中低邊SiC MOSFET關(guān)斷時的行為

具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSF...

2022-07-06 標(biāo)簽：驅(qū)動器引腳 SiC MOSFET 2.3k 1

SiC功率模塊和SiC MOSFET單管不同的散熱安裝形式

在本系列的前幾篇文章中[1-7]，我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開發(fā)的25 kW EV快充系統(tǒng)。

2022-06-29 標(biāo)簽：安森美功率模塊熱管理 8.5k 0

25 kW快充系統(tǒng)中的輔助電源設(shè)計

在本系列的前幾篇文章中[1-6]，我們介紹了基于安森美(onsemi)的SiC功率模塊和其他功率器件開發(fā)的25kW EV快充系統(tǒng)，包括這個可擴(kuò)展系統(tǒng)的整...

2022-06-27 標(biāo)簽：安森美輔助電源 SiC MOSFET 3.5k 0

SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？

自舉式懸浮驅(qū)動電路可以極大的簡化驅(qū)動電源的設(shè)計，只需要一路電源就可以驅(qū)動上下橋臂兩個開關(guān)管的驅(qū)動，可以節(jié)省Si MOSFET功率器件方案的成本。

2022-01-14 標(biāo)簽：驅(qū)動電源自舉電路 SiC MOSFET 4.5k 0

SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時如何實現(xiàn)負(fù)壓？

用+14V左右的穩(wěn)壓管Z1加上Z2管正向?qū)▔航担陂_通時候?qū)㈦妷悍€(wěn)定在+15V左右，這樣在開關(guān)管導(dǎo)通時電容C10上就會有3V壓降。

2021-12-06 標(biāo)簽：單電源 SiC MOSFET 6k 0

為什么需要注意SiC MOSFET柵極？

作者：Martin Warnke和Yazdi Mehrdad Baghaie 各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中SiC MOSFET的出現(xiàn)大大提高了性能和效率。但是，如果使...

2021-03-11 標(biāo)簽：MOSFET SiC MOSFET 3.5k 0

探討1,200-V 300-A SiC MOSFET對開關(guān)頻率的影響

由于快速的開關(guān)，傳導(dǎo)損耗和擊穿電壓的增加，在現(xiàn)代工業(yè)應(yīng)用中增加了SiC MOSFET的使用。通過最快速的開關(guān)速度和更高的頻率賦能，該框架減小了尺寸并提高...

2021-03-19 標(biāo)簽：MOSFET 開關(guān)頻率 SiC MOSFET 8.7k 0

關(guān)于SiC MOSFET的新的電路設(shè)計挑戰(zhàn)

碳化硅（SiC）MOSFET提供了巨大的新特性和功能，但同時也帶來了新的挑戰(zhàn)。ROHM半導(dǎo)體器件使工程師能夠充分利用SiC MOSFET，同時克服了驅(qū)動...

2021-04-02 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體器件柵極驅(qū)動器 4.8k 0

SiC MOSFET的短路測試下的引線鍵合應(yīng)力分析

除了提供緊湊，高效的解決方案外，WBG材料還必須在異常或關(guān)鍵工作條件（例如短路和極端溫度操作）的情況下滿足安全要求。

2021-05-18 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器功率轉(zhuǎn)換器 CAD 2.4k 0

如何復(fù)制下一代柵極驅(qū)動光電耦合器的改進(jìn)，以驅(qū)動和保護(hù)SiC MOSFET

為了匹配CREE SiC MOSFET的低開關(guān)損耗，柵極驅(qū)動器必須能夠以快速壓擺率提供高輸出電流和電壓，以克服SiC MOSFET的柵極電容。

2021-05-24 標(biāo)簽：光電耦合器柵極驅(qū)動器 SiC MOSFET 3.7k 0

碳化硅和硅混合五電平單向整流器技術(shù)解析

隨著云計算的概念越來越流行，數(shù)據(jù)量越來越大，數(shù)據(jù)中心每天都在改進(jìn)，最終開始以更快的速度增長。它們已成為最大和最快的能源消耗來源，而 UPS（不間斷電源）...

2021-06-14 標(biāo)簽：整流器碳化硅 SiC MOSFET 3.6k 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運(yùn)動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達(dá)到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

寧德時代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
浪涌抑制器

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
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PWM信號

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時間的改變，從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽(yù)會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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