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標(biāo)簽 > reram技術(shù)
ReRAM是基于電阻式隨機(jī)存取的一種非易失性存儲器,它可將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身,同時具備更低的功耗及更快的讀寫速度。
ReRAM是基于電阻式隨機(jī)存取的一種非易失性存儲器,它可將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身,同時具備更低的功耗及更快的讀寫速度。
作為存儲器前沿技術(shù),ReRAM未來預(yù)期可以替代目前的FlashRAM,并且具有成本更低,性能更突出的優(yōu)勢。ReRAM存儲芯片的能耗可達(dá)到閃存的1/20,數(shù)據(jù)擦寫上限是后者的10倍。
ReRAM其實就是一種憶阻器模型,是一種能夠描述電荷和磁通之間關(guān)系的全新元件,也是一種具有記憶功能的非線性電阻,不僅可以記憶流經(jīng)自身的電荷數(shù)量,也可以通過控制激勵源的電流或者磁通來改變自身的阻值大小,并且這種阻值變化可以在斷電下繼續(xù)保存相當(dāng)長的一段時間。
ReRAM技術(shù)破解AI時代的大數(shù)據(jù)處理困境即將實現(xiàn)
分享 加入自媒體 糾錯 訂閱 導(dǎo)讀: 在人工智能的認(rèn)知系統(tǒng)里,最重要部分就是通過神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)、深度學(xué)習(xí)等技術(shù)讓機(jī)器盡可能像人一樣去思考,而機(jī)器的世界里只有0...
2018-02-12 標(biāo)簽:AI人工智能reram技術(shù) 930 0
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