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標(biāo)簽 > pn結(jié)
采用不同的摻雜工藝,通過擴(kuò)散作用,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體(通常是硅或鍺)基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。
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對器件設(shè)計(jì)工程師來講,離子注入的濃度往往是需要關(guān)心的參數(shù),什么樣的濃度對應(yīng)什么樣的方阻,器件仿真參數(shù)輸入的是濃度,通過DSIMS測出來的也是濃度和深度的關(guān)系。
如果用圖示儀觀察TVS的特性,就可得到圖1中左圖所示的波形。如果單就這個曲線來看,TVS管和普通穩(wěn)壓管的擊穿特性沒有什么區(qū)別,為典型的PN結(jié)雪崩器件。
2024-01-19 標(biāo)簽:穩(wěn)壓二極管TVSPN結(jié) 2k 0
二極管接反了會短路嗎 發(fā)光二極管正負(fù)極接反會怎樣
二極管接反會發(fā)生什么? 二極管是一種半導(dǎo)體器件,常用于電子電路中實(shí)現(xiàn)整流、開關(guān)和穩(wěn)壓等功能。在正常工作條件下,二極管是一個單向?qū)ㄆ骷辉试S電流從正極...
當(dāng)對二極管施加正向電壓時,電子和空穴會不斷擴(kuò)散并存儲大量電荷,從而導(dǎo)致反向恢復(fù)過程的存在。 在施加正向電壓時,P區(qū)的空穴向N區(qū)擴(kuò)散,N區(qū)的電子向P區(qū)擴(kuò)散...
光伏電池片領(lǐng)域降本增效是推動光伏產(chǎn)業(yè)不斷發(fā)展的內(nèi)在牽引力,其中以提升光電轉(zhuǎn)換效率為目標(biāo)的光伏電池片技術(shù)變革是推動降本增效的關(guān)鍵舉措之一。
三極管的放大倍數(shù)是衡量其放大能力的重要參數(shù),通常用β表示。計(jì)算三極管的放大倍數(shù)需要考慮多個因素,包括材料、結(jié)構(gòu)、工藝等。下面將詳細(xì)介紹三極管放大倍數(shù)的計(jì)...
MOS結(jié)構(gòu)和MOSFET反型層電荷的來源
我們知道,MOS結(jié)構(gòu)的CV曲線是跟頻率相關(guān)的,高頻和低頻曲線長這樣,但是用MOS管是測不出來高頻曲線的,只能測出低頻曲線,為什么呢,下面來簡單盤一盤。
對半導(dǎo)體的深入理解無疑會對我們的生活產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響,尤其是面對任何涉及計(jì)算機(jī)或無線電波的電子設(shè)備。這其中的核心往往是硅,因此眾多科技巨頭會聚集在以硅為名...
2023-12-10 標(biāo)簽:PN結(jié) 6.6k 0
LED(發(fā)光二極管)燈珠發(fā)光的原理基于半導(dǎo)體的電學(xué)特性,具體來說,是基于PN結(jié)的電致發(fā)光效應(yīng)。
本推文針對讀者提出的兩個問題進(jìn)行系統(tǒng)解答,一是關(guān)于二極管正向?qū)ㄆ陂g的歐姆損耗,二是如何把測試的數(shù)據(jù)導(dǎo)入仿真軟件,便于不斷調(diào)整條件后,實(shí)現(xiàn)仿真與實(shí)測的便捷對比。
IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—柱面結(jié)和球面結(jié)的耐壓差異(2)
下面我們再分析一下球面結(jié)的雪崩電壓。首先對(7-17)從PN結(jié)邊界到耗盡區(qū)圖片積分,結(jié)果如下,
IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—柱面結(jié)和球面結(jié)的耐壓差異(1)
回顧《平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異1》中柱面結(jié)的示意圖,在三維結(jié)構(gòu)中,PN結(jié)的擴(kuò)散窗口會同時向x方向和z方向擴(kuò)散,那么在角落位置就會形成如圖所示的1/8球面結(jié)。
IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異(2)
下面對電場積分,我們看看隨著增長,即耗盡區(qū)深度的增長,柱面結(jié)與平面結(jié)所承受電壓分布的差異。
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