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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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基于隔離驅(qū)動(dòng)IC兩級(jí)關(guān)斷技術(shù)的碳化硅MOSFET伺服驅(qū)動(dòng)器短路保護(hù)研究報(bào)告
基于隔離驅(qū)動(dòng)IC兩級(jí)關(guān)斷技術(shù)的碳化硅MOSFET伺服驅(qū)動(dòng)器短路保護(hù)研究報(bào)告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車(chē)連接器...
2025-12-23 標(biāo)簽:MOSFET伺服驅(qū)動(dòng)器碳化硅 665 0
銷售培訓(xùn)手冊(cè):SiC碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體的工程化應(yīng)用與市場(chǎng)破局
傾佳電子有限公司銷售團(tuán)隊(duì)深度技術(shù)賦能與銷售培訓(xùn)手冊(cè):SiC碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體的工程化應(yīng)用與市場(chǎng)破局 第一章 執(zhí)行摘要與戰(zhàn)略定位 1.1 全球功...
2025-12-23 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 610 0
Wolfspeed榮獲2025年度功率器件碳化硅行業(yè)卓越獎(jiǎng)
作為碳化硅 (SiC) 行業(yè)全球引領(lǐng)者的 Wolfspeed 公司在今年正式推出了全新第四代 (Gen 4) 碳化硅 MOSFET 技術(shù)平臺(tái)與 1200...
MDD辰達(dá)半導(dǎo)體MOSFET在智能手環(huán)中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
智能手環(huán)追求極致輕薄與持久續(xù)航,每一毫瓦的功耗與每一毫米的空間都至關(guān)重要。MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出專為可穿戴設(shè)備優(yōu)化的MDD2312(N溝道)與MDD233...
2025-12-22 標(biāo)簽:MOSFET智能手環(huán) 1.1k 0
存儲(chǔ)器缺貨潮下的產(chǎn)業(yè)新局:力積電成焦點(diǎn),功率半導(dǎo)體迎聯(lián)動(dòng)機(jī)遇
全球存儲(chǔ)器缺貨、價(jià)格飆漲的風(fēng)口下,力積電的銅鑼新廠成了國(guó)際大廠爭(zhēng)搶的核心資源 —— 繼晟碟之后,美光也正在與力積電洽談合作,希望借助這座已建成、仍有 4...
臺(tái)積電熊本二廠轉(zhuǎn)攻2納米背后:AI需求重塑半導(dǎo)體供應(yīng)鏈,國(guó)產(chǎn)功率器件迎機(jī)遇
臺(tái)積電2024年宣布興建的日本熊本二廠,在10月動(dòng)工不到兩月便因制程規(guī)劃調(diào)整暫停。據(jù)悉,原計(jì)劃的6/7納米制程因市場(chǎng)需求下滑被棄用,最新方案擬跳過(guò)4納米...
功率半導(dǎo)體賦能清潔能源轉(zhuǎn)型 共筑綠色發(fā)展新生態(tài)
據(jù)媒體報(bào)道,我國(guó)已建成世界規(guī)模最大的清潔能源供應(yīng)體系。2012年至2024年,我國(guó)以年均3.4%的能源消費(fèi)增速支撐了年均6.1%的經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng),能耗強(qiáng)度累計(jì)...
2025年12月,第十八屆中國(guó)工業(yè)論壇與第三屆消費(fèi)者信賴品牌盛典大會(huì)在北京同期舉辦。大會(huì)以“融合創(chuàng)新 工業(yè)當(dāng)強(qiáng)”為主題,中國(guó)工業(yè)報(bào)社社長(zhǎng)徐金寶、原工信部...
2025-12-19 標(biāo)簽:MOSFET可控硅快恢復(fù)二極管 1.8k 0
基于碳化硅MOSFET的T-NPC拓?fù)湓诠夥c儲(chǔ)能PCS中的技術(shù)與商業(yè)價(jià)值分析報(bào)告
基于碳化硅MOSFET的T-NPC拓?fù)湓诠夥c儲(chǔ)能PCS中的技術(shù)與商業(yè)價(jià)值分析報(bào)告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽...
雙向保護(hù)開(kāi)關(guān)評(píng)估套件使用指南
雙向保護(hù)開(kāi)關(guān)評(píng)估套件使用指南 在鋰電池應(yīng)用中,電池管理系統(tǒng)(BMS)至關(guān)重要,它能監(jiān)測(cè)電池狀態(tài)并確保安全運(yùn)行。BMS通常配備電子開(kāi)關(guān),在關(guān)鍵條件下將電池...
2025-12-20 標(biāo)簽:MOSFET評(píng)估板雙向保護(hù)開(kāi)關(guān)評(píng)估套件 1k 0
深入解析 IRF150DM115 MOSFET:特性、參數(shù)與應(yīng)用
深入解析 IRF150DM115 MOSFET:特性、參數(shù)與應(yīng)用 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)...
2025-12-20 標(biāo)簽:MOSFET電子元件IRF150DM115 858 0
陽(yáng)臺(tái)微儲(chǔ)的拓?fù)浼軜?gòu)演進(jìn)、技術(shù)趨勢(shì)及碳化硅MOSFET在其中的應(yīng)用
陽(yáng)光光儲(chǔ)與陽(yáng)臺(tái)微儲(chǔ)的拓?fù)浼軜?gòu)演進(jìn)、技術(shù)趨勢(shì)及碳化硅MOSFET在其中的應(yīng)用 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車(chē)連接器...
探索EVAL-2EP130R-PR評(píng)估板:IGBT與MOSFET隔離柵極驅(qū)動(dòng)電源的理想之選
探索EVAL-2EP130R-PR評(píng)估板:IGBT與MOSFET隔離柵極驅(qū)動(dòng)電源的理想之選 在電子工程領(lǐng)域,對(duì)于IGBT和MOSFET的隔離柵極驅(qū)動(dòng)電源...
2025-12-19 標(biāo)簽:MOSFETIGBTEVAL-2EP130R-PR評(píng)估板 1.4k 0
面對(duì)數(shù)據(jù)手冊(cè)中繁雜的參數(shù),如何快速鎖定適合應(yīng)用的 MOSFET?遵循以下四個(gè)核心步驟,您能系統(tǒng)化地完成選型,避免因關(guān)鍵參數(shù)遺漏導(dǎo)致的設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn)。
龍騰半導(dǎo)體亮相2025亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇
12月6日,由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的深圳第十六屆亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇圓滿收官。作為電源行業(yè)年度盛會(huì),本屆論壇規(guī)模空前,設(shè)有 5 大會(huì)場(chǎng),覆蓋半導(dǎo)體芯片、功率器...
OptiMOS? 5 Linear FET 2, 100 V IPT017N10NM5LF2 MOSFET深度解析
OptiMOS? 5 Linear FET 2, 100 V IPT017N10NM5LF2 MOSFET深度解析 作為電子工程師,我們?cè)谠O(shè)計(jì)中常常需要...
2025-12-19 標(biāo)簽:MOSFETIPT017N10NM5LF2 982 0
倍思多款高性能耳機(jī)搭載芯導(dǎo)科技過(guò)壓過(guò)流保護(hù)芯片
在CES 2025期間,倍思宣布了與音頻創(chuàng)新先驅(qū)Bose建立戰(zhàn)略級(jí)合作伙伴關(guān)系,以進(jìn)一步提升其在全球消費(fèi)電子市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力和影響力。近期,我愛(ài)音頻網(wǎng)的拆解...
基于SiC碳化硅MOSFET的120kW充電樁電源模塊設(shè)計(jì)與技術(shù)實(shí)現(xiàn)研究報(bào)告
基于BASiC B3M011C120Y碳化硅MOSFET的120kW充電樁電源模塊設(shè)計(jì)與技術(shù)實(shí)現(xiàn)研究報(bào)告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注...
碳化硅MOSFET功率器件B3M011C120Y抗串?dāng)_能力深度解析
碳化硅MOSFET功率器件B3M011C120Y抗串?dāng)_能力深度解析、 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車(chē)連接器的分銷...
探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET:電機(jī)驅(qū)動(dòng)的新突破
探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET:電機(jī)驅(qū)動(dòng)的新突破 在電子工程師的日常工作中,為電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)挑選合適的MOSFET至關(guān)重要。英...
2025-12-18 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng) 642 0
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