mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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全部技術(shù) 資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) MOSFET選型

mosfet技術(shù)

使用H橋電路來(lái)驅(qū)動(dòng)有刷直流電機(jī)的方案介紹

在該有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)器電路示例中，可以通過(guò)線性控制高邊Pch MOSFET來(lái)更改OUT引腳的H電壓，從而控制施加到電機(jī)的電壓。

2021-03-11 標(biāo)簽：反饋電路 MOSFET 運(yùn)算放大器 5k 0

為什么需要注意SiC MOSFET柵極？

作者：Martin Warnke和Yazdi Mehrdad Baghaie 各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中SiC MOSFET的出現(xiàn)大大提高了性能和效率。但是，如果使...

2021-03-11 標(biāo)簽：MOSFET SiC MOSFET 3.5k 0

新型三相逆變器如何進(jìn)行SiC MOSFET的結(jié)溫估算？

與功率MOSFET相比，功率MOSFET中的SiC具有一系列優(yōu)勢(shì)，例如更高的電導(dǎo)率，更低的開(kāi)關(guān)速度和更低的傳導(dǎo)損耗[1] [2]-[6]。

2021-03-12 標(biāo)簽：MOSFET 熱敏電阻功率轉(zhuǎn)換器 8.7k 0

如何為電源設(shè)計(jì)選擇合適的MOSFET

根據(jù)柵極電壓，觀察負(fù)載R1上流過(guò)的電流，看看MOSFET的導(dǎo)電性能如何。相對(duì)圖如圖3所示。對(duì)于–25 V至5.8 V之間的所有“柵極”電壓，該組件均保持...

2021-03-11 標(biāo)簽：MOSFET 電源設(shè)計(jì) 3k 0

如何應(yīng)對(duì)輸入端負(fù)壓驅(qū)動(dòng)輸入端負(fù)壓尖峰的形成原因

由于開(kāi)關(guān)電源經(jīng)常需要硬開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)載，在硬開(kāi)關(guān)以及布局限制的情況下，功率MOSFET往往會(huì)對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片的輸入和輸出端形成較大的地彈電壓和振蕩尖峰電壓。

2021-03-15 標(biāo)簽：pcb MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 1.3萬(wàn) 1

如何使用ASIC實(shí)現(xiàn)在家用電器中應(yīng)用功能安全性

如果我們首先看一下電池管理器的元件，則需要高精度的電壓感應(yīng)來(lái)確定鋰離子電池的充電狀態(tài)和溫度。

2021-03-16 標(biāo)簽：鋰離子電池 MOSFET asic 8.4k 0

有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)H橋電路：輸出狀態(tài)的切換

本文將介紹有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)的H橋的實(shí)際控制（切換）。 H橋電路：輸出狀態(tài)的切換在上一篇文章中我提到過(guò)在向電機(jī)的兩個(gè)端子施加電壓時(shí)有四種連接方式： ①兩...

2021-03-18 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)器直流電機(jī) 4.7k 0

SiC如何實(shí)現(xiàn)比硅更好的熱管理？SiC在電子領(lǐng)域有哪些應(yīng)用？

碳化硅（SiC）是由硅（Si）和碳（C）組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙（WBG）系列材料。它的物理鍵非常牢固，使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械，化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬...

2021-03-18 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 8.6k 0

寬帶隙半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)：緩慢的開(kāi)關(guān)沿可減少過(guò)沖和EMI

在寬帶隙半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的新時(shí)代，器件類型的選擇包括具有自己的特性并聲稱具有最佳性能的SiC?MOSFET和GaN HEMT單元。但是，這兩者都不是理想的開(kāi)關(guān)...

2021-03-18 標(biāo)簽：電容器 MOSFET 緩沖器 8.3k 0

盤點(diǎn)MOSFET技術(shù) MOS在電路中的常見(jiàn)應(yīng)用

絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，由于這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，英文簡(jiǎn)稱是MOSFET，一般也簡(jiǎn)稱為...

2021-03-18 標(biāo)簽：三極管 MOSFET 半導(dǎo)體三極管 1.1萬(wàn) 0

如何利用DC-DC負(fù)載點(diǎn)穩(wěn)壓器進(jìn)行精確地限制電流？

高端電流檢測(cè)放大器也可用于通過(guò)電源路徑中的電流檢測(cè)電阻測(cè)量小壓降。它們可以非常準(zhǔn)確地測(cè)量電流。

2021-03-19 標(biāo)簽：MOSFET 穩(wěn)壓器開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 1.2萬(wàn) 0

探討1,200-V 300-A SiC MOSFET對(duì)開(kāi)關(guān)頻率的影響

由于快速的開(kāi)關(guān)，傳導(dǎo)損耗和擊穿電壓的增加，在現(xiàn)代工業(yè)應(yīng)用中增加了SiC MOSFET的使用。通過(guò)最快速的開(kāi)關(guān)速度和更高的頻率賦能，該框架減小了尺寸并提高...

2021-03-19 標(biāo)簽：MOSFET 開(kāi)關(guān)頻率 SiC MOSFET 8.7k 0

如何混合Si和SiC器件實(shí)現(xiàn)完整SiC MOSFET轉(zhuǎn)換器相同效率的調(diào)制方案

在現(xiàn)代時(shí)代，隨著電動(dòng)汽車（EV）和混合動(dòng)力汽車（HEV）領(lǐng)域的所有進(jìn)步對(duì)具有高功率密度和效率的轉(zhuǎn)換器的需求已經(jīng)增加，尤其是在電動(dòng)汽車充電點(diǎn)的并網(wǎng)系統(tǒng)中[...

2021-03-22 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 MOSFET 整流器 5.8k 0

SiC MOSFET在電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中的優(yōu)化方案

作者：英飛凌科技資深高級(jí)工程師René Mente 談起電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)，諸如碳化硅（SiC）等寬禁帶（WBG）技術(shù)是當(dāng)今進(jìn)行器件選擇時(shí)的現(xiàn)實(shí)考慮。65...

2021-03-25 標(biāo)簽：MOSFET 電源轉(zhuǎn)換器 SiC 3k 0

SiC肖特基二極管器件設(shè)計(jì)方案解析

碳化硅（SiC）由于其固有的寬帶隙和高導(dǎo)熱性的材料特性而被廣泛用于中高壓電力半導(dǎo)體器件的制造中。如今，肖特基二極管，MOSFET和JFET是市場(chǎng)上最受歡...

2021-03-27 標(biāo)簽：MOSFET 肖特基二極管 SiC 6.8k 0

電源設(shè)計(jì)中關(guān)于噪聲和尖峰的解決方案

對(duì)于許多應(yīng)用而言，下一代IC封裝是在縮小整體封裝尺寸的同時(shí)實(shí)現(xiàn)硅縮放，功能密度和異構(gòu)集成的最佳途徑。異構(gòu)異構(gòu)集成提供了增強(qiáng)設(shè)備功能，加快上市時(shí)間和提高硅...

2021-04-01 標(biāo)簽：二極管開(kāi)關(guān)電路 MOSFET 6.7k 0

降壓轉(zhuǎn)換器仿真的電源設(shè)計(jì)方案分析

降壓轉(zhuǎn)換器降壓或降壓轉(zhuǎn)換器是一種廣泛使用的DC / DC開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器。制造商通過(guò)其控制器提供降壓集成電路。降壓DC / DC轉(zhuǎn)換器是一種能夠?qū)⑤斎腚妷恨D(zhuǎn)...

2021-04-02 標(biāo)簽：MOSFET 控制器開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 4.1k 0

飛兆半導(dǎo)體的超結(jié)MOSFET和IGBT SPICE模型解讀

如果有足夠的時(shí)間，大多數(shù)工程師都有正確的意圖。作為工程師，您想多久了解一次電路應(yīng)用中每個(gè)部分的行為？是的-檢查。半導(dǎo)體公司的模型通常能真正代表電路應(yīng)用條...

2021-04-02 標(biāo)簽：MOSFET IGBT PSPICE 6.1k 0

關(guān)于SiC MOSFET的新的電路設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

碳化硅（SiC）MOSFET提供了巨大的新特性和功能，但同時(shí)也帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。ROHM半導(dǎo)體器件使工程師能夠充分利用SiC MOSFET，同時(shí)克服了驅(qū)動(dòng)...

2021-04-02 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體器件柵極驅(qū)動(dòng)器 4.8k 0

如何在電源良好引腳上使用MOSFET體二極管實(shí)現(xiàn)溫度測(cè)量

設(shè)計(jì)人員經(jīng)常想測(cè)量直流開(kāi)關(guān)電源的結(jié)溫。從安全和故障模式以及效果分析（FMEA）的角度來(lái)看，了解系統(tǒng)的結(jié)溫是一項(xiàng)重要且基本的要求。在許多應(yīng)用中，重要的是在...

2021-04-06 標(biāo)簽：二極管溫度傳感器 MOSFET 5.9k 0

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IOT

IOT

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
海思

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STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲(chǔ)器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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硬件工程師Hardware Engineer職位要求熟悉計(jì)算機(jī)市場(chǎng)行情；制定計(jì)算機(jī)組裝計(jì)劃；能夠選購(gòu)組裝需要的硬件設(shè)備，并能合理配置、安裝計(jì)算機(jī)和外圍設(shè)備；安裝和配置計(jì)算機(jī)軟件系統(tǒng)；保養(yǎng)硬件和外圍設(shè)備；清晰描述出現(xiàn)的計(jì)算機(jī)軟硬件故障。
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Wi-Fi模塊又名串口Wi-Fi模塊，屬于物聯(lián)網(wǎng)傳輸層，功能是將串口或TTL電平轉(zhuǎn)為符合Wi-Fi無(wú)線網(wǎng)絡(luò)通信標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式模塊，內(nèi)置無(wú)線網(wǎng)絡(luò)協(xié)議IEEE802.11b.g.n協(xié)議棧以及TCP/IP協(xié)議棧。傳統(tǒng)的硬件設(shè)備嵌入Wi-Fi模塊可以直接利用Wi-Fi聯(lián)入互聯(lián)網(wǎng)，是實(shí)現(xiàn)無(wú)線智能家居、M2M等物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的重要組成部分。
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MPU-6000（6050）為全球首例整合性6軸運(yùn)動(dòng)處理組件，相較于多組件方案，免除了組合陀螺儀與加速器時(shí)間軸之差的問(wèn)題，減少了大量的封裝空間。
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UHD是”超高清“的意思UHD的應(yīng)用在電視機(jī)技術(shù)上最為普遍，目前已有不少?gòu)S商推出了UHD超高清電視。
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Proteus軟件是英國(guó)Lab Center Electronics公司出版的EDA工具軟件（該軟件中國(guó)總代理為廣州風(fēng)標(biāo)電子技術(shù)有限公司）。它不僅具有其它EDA工具軟件的仿真功能，還能仿真單片機(jī)及外圍器件。
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74LS74是雙D觸發(fā)器。功能多，可作雙穩(wěn)態(tài)、寄存器、移位寄存器、振蕩器、單穩(wěn)態(tài)、分頻計(jì)數(shù)器等功能。本章詳細(xì)介紹了74ls112的功能及原理，74ls74引腳圖及功能表，74ls112的應(yīng)用等內(nèi)容。
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做單片機(jī)的工程師相比都堆循跡小車有所認(rèn)識(shí)，它是自動(dòng)引導(dǎo)機(jī)器人系統(tǒng)的基本應(yīng)用，那么今天小編就給大家介紹下自動(dòng)自動(dòng)循跡小車的原理，智能循跡小車的應(yīng)用，智能循跡小車程序，循跡小車用途等知識(shí)吧！
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光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成，光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡(jiǎn)單的說(shuō)，光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換，發(fā)送端把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào)，通過(guò)光纖傳送后，接收端再把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
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Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹(shù)”組成的，在2009年10月1日天安門廣場(chǎng)舉行的國(guó)慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國(guó)成立六十周年國(guó)慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器接收到一個(gè)脈沖信號(hào)，它就驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)固定的角度（稱為“步距角”），它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運(yùn)行的。可以通過(guò)控制脈沖個(gè)數(shù)來(lái)控制角位移量，從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的；同時(shí)可以通過(guò)控制脈沖頻率來(lái)控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度和加速度，從而達(dá)到調(diào)速和定位的目的。
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COMSOL集團(tuán)是全球多物理場(chǎng)建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團(tuán)隊(duì)、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品，這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展，并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過(guò)模擬，賦予設(shè)計(jì)理念以生命。
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cD4046是通用的CMOS鎖相環(huán)集成電路，其特點(diǎn)是電源電壓范圍寬（為3V－18V），輸入阻抗高（約100MΩ），動(dòng)態(tài)功耗小，在中心頻率f0為10kHz下功耗僅為600μW，屬微功耗器件。本章主要介紹內(nèi)容有，CD4046的功能 cd4046鎖相環(huán)電路，CD4046無(wú)線發(fā)射，cd4046運(yùn)用，cd4046鎖相環(huán)電路圖。
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　　SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包，軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。

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