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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體...
在一周前看到在公眾號“電機控制設計加油站”的一篇推文,“Why 100Ω? 較真的教授發現簡單結論背后不簡單的問題”(點擊加黑文字可以跳轉到該推文),對...
雙碳目標正加速推進汽車向電動化發展,半導體技術的創新助力汽車從燃油車過渡到電動車,新一代半導體材料碳化硅(SiC)因獨特優勢將改變電動車的未來,如在關鍵...
處理電源電壓反轉有幾種方法,最明顯的方法是在電源和負載之間連接一個二極管,但是由于二極管正向電壓的原因,這種做法會產生額外的功耗。
風力發電的逆變設備,可以將蓄電池中的DC12V直流電轉換為和市電相同AC220V交流電。逆變器主要是由MOS場效應管與電源變壓器為核心,通過模擬電路...
我們都懂得如何利用二極管來實現開關,但是,我們只能對其進行開關操作,而不能逐漸控制信號流。此外,二極管作為開關取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過...
可靠的電壓監控器IC始終是工業界的行業需求,因為它可以提高系統可靠性,并在電壓瞬變和電源故障時提升系統性能。半導體制造商也在不斷提高電壓監控器IC的性能。
工程師面臨著對現代電動汽車 (EV) 性能和里程的權衡。更快的加速和更高的巡航速度需要更頻繁、更耗時的充電站。另外,更長里程要求造成了各項進展的不確定性...
SiC設計分享(三):onsemi同等功率的SiC與SiMOST進行比較
本文作為系列文章的第三篇,會從SiC MOS寄生電容損耗與傳統Si MOS作比較,給出分析和計算過程,供設計工程師在選擇功率開關器件時參考!
基礎知識中 MOS 部分遲遲未整理,實際分享的電路中大部分常用電路都用到了MOS管, 今天勢必要來一篇文章,徹底掌握mos管!
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