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簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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動態(tài)測試確認SiC開關頻率的準確性

碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)等寬帶隙材料由于其電氣特性已被證明優(yōu)于硅，因此在電力電子應用中占據領先地位。盡管被廣泛接受，專家們仍不斷檢查其真實性。

2022-08-08 標簽：MOSFET SiC 動態(tài)測試 2.7k 0

電氣設備的熱管理助于防止過熱和電路故障

如果無法應用被動解決方案，最好使用主動解決方案，這些解決方案通常由用于測量熱參數的系統(tǒng)和執(zhí)行器（恒溫器或恒濕器）組成。它控制改變熱量的設備（風扇、加熱器...

2022-08-08 標簽：MOSFET 半導體晶體管 2.2k 0

揭開SiC MOSFET挑戰(zhàn)的神秘面紗

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2022-08-08 標簽：MOSFET 半導體晶體管 1.4k 0

快速恢復二極管CMF02A應對車載電源設計挑戰(zhàn)

CMF02A是一款具有高速開關用途的FRD二極管，與典型二極管相比，FRD具有更短的反向恢復時間（trr），因此具有更快的開關時間和更低的損耗。當然，C...

2022-08-07 標簽：二極管 MOSFET 直流電 934 0

選擇合適的柵極驅動器來解決碳化硅(SiC)的設計挑戰(zhàn)

Balogh還指出了其他需要考慮的問題，例如保護功能、欠壓鎖定、更高頻率的工作、更快的開關速度和裸片上的熱點，這些都會對功耗、EMI和尺寸產生影響。

2022-08-07 標簽：MOSFET SiC 柵極驅動器 4.7k 0

為什么SiC MOSFET的短路耐受時間比較小

我們都知道，IGBT發(fā)生短路時，需要在10us或者更短的時間內關閉IGBT，在相同的短路能耗下可以由其他參數來進行調節(jié)，如柵極電壓VGE，母線電壓等，但...

2022-08-07 標簽：MOSFET IGBT SiC 4.8k 0

晶體管的誕生及應用介紹

硅晶體管的發(fā)展導致更多基于硅的晶體管的發(fā)明，例如金屬氧化物半導體晶體管(MOSFET)。第一個 MOSFET由貝爾實驗室研究員 John Atalla ...

2022-08-05 標簽：MOSFET 晶體管 5.5k 0

碳化硅技術評估平臺

英飛凌設計的平臺，旨在通過 TO247 3 和 4 引腳中的 EiceDRIVER IC 和 CoolSiC? MOSFET 突出 SiC 器件的性能。...

2022-08-05 標簽：電源 MOSFET 半導體 1.2k 0

使用LTspice估算SiC MOSFET的開關損耗

為了正確利用這種能源，必須采用并大量使用轉換器，其目的是將一種能源轉換成另一種更適合最終使用的能源。今天，這些公司專注于減少轉換器的重量和體積，以及提高...

2022-08-05 標簽：轉換器 MOSFET SiC 1.6萬 0

第4代SiC FET的突破性性能

幾十年來，基于硅的半導體開關一直主導著功率轉換領域，IGBT 和 Si MOSFET 提供了成熟、穩(wěn)健的解決方案。然而，當寬帶隙 (WBG) 器件于 2...

2022-08-05 標簽：MOSFET 半導體 SiC 1.8k 0

1200V 300A SiC MOSFET開關性能評估

由于快速開關、傳導損耗和擊穿電壓增加，碳化硅 MOSFET在現代工業(yè)應用中的使用有所增加。憑借最快速的切換速度和更高的頻率授權，該框架減小了尺寸并提高了...

2022-08-05 標簽：MOSFET IGBT 2.5k 0

使用GaN設計PFC整流器

650V GaN FET 較低的寄生電容降低了開關損耗。此外，與 650-V Si MOSFET 相比，650-V GaN FET 在相同芯片尺寸內具有...

2022-08-05 標簽：MOSFET 整流器 GaN 2.2k 0

如何將SiC庫導入LTspice并對其進行仿真

碳化硅（SiC）是一種越來越重要的半導體材料：用這種材料制造的電子元件越來越普遍和高效。最好的電子仿真程序已經用這些組件豐富了他們的庫，這些組件現在在...

2022-08-05 標簽：MOSFET 半導體 SiC 4.8k 0

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2022-08-05 標簽：MOSFET 半導體逆變器 2.5k 0

MOSFET如何定義 MOSFET內部結構詳解

功率MOSFET為多單元集成結構，如IR的HEXFET采用六邊形單元;西門子Siemens的SIPMOSFET采用正方形單元;摩托羅拉公司Motorol...

2022-08-04 標簽：三極管 MOSFET 4.7k 0

正確使用并聯氮化鎵晶體管

電源轉換器的設計人員正在尋找提高效率同時增加系統(tǒng)功率密度的方法。寬帶隙 (WBG) 技術提供了答案。由氮化鎵 (GaN) 制成的晶體管作為一種解決方...

2022-08-04 標簽：MOSFET 晶體管 GaN 2.3k 0

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2022-08-04 標簽：MOSFET 逆變器 SiC 864 0

被GaN扼殺的硅、分立功率器件

四十年來，隨著功率 MOSFET 結構、技術和電路拓撲的創(chuàng)新與不斷增長的電力需求保持同步，電源管理效率和成本穩(wěn)步提高。然而，在新千年中，隨著硅功率 MO...

2022-08-04 標簽：MOSFET 功率器件 GaN 1.2k 0

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SiC、GaN MOSFET等寬帶隙器件的進步，給電力電子領域帶來了一場革命。這些器件具有快速開關、高電荷密度和高效設計的優(yōu)點。它們在高功率應用中非常有...

2022-08-04 標簽：轉換器 MOSFET SiC 3.5k 0

如何為中壓SiC-MOSFET轉換器的濾波電感器的接地電流建模

在設計使用寬帶隙 (WBG)的電子轉換器時，高 dv/dt 瞬變是挑戰(zhàn)背后的原因通常以存在于它們的有源和無源組件中的寄生參數的形式引起的設備 [1][2...

2022-08-04 標簽：轉換器 MOSFET 電感器 2.3k 0

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