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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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為了減少元件數(shù)量并簡(jiǎn)化電路板設(shè)計(jì),RET將單極或雙極晶體管與集成在同一芯片上的偏置電阻相結(jié)合。另一種選擇是包括一個(gè)與基極-發(fā)射極路徑并聯(lián)的第二個(gè)集成作為...
增強(qiáng)的體二極管特性可優(yōu)化Qrr和Vsd
MOSFET的體二極管能夠讓感性負(fù)載電流在MOSFET處于“關(guān)斷”狀態(tài)時(shí)繞開MOSFET。因此,它在同步整流(AC-DC和DC-DC)和電機(jī)控制(全橋和...
超大規(guī)模計(jì)算通常依賴于具有超高可擴(kuò)展性的服務(wù)器架構(gòu)和虛擬網(wǎng)絡(luò)。要確保設(shè)備全天24小時(shí)保持連接,熱插拔功能仍然是一種關(guān)鍵功能。但是,要在開關(guān)效率和強(qiáng)大安全...
了解有關(guān)齊納二極管的基礎(chǔ)知識(shí)
電壓不超過5 V時(shí),在反向偏置結(jié)的耗盡區(qū),電子從價(jià)帶進(jìn)入導(dǎo)電帶形成電子貫穿,從而產(chǎn)生電擊穿。一旦電場(chǎng)強(qiáng)度足夠高,自由電荷載流子就會(huì)導(dǎo)致反向電流陡然增加。...
碳化硅電力電子支持可再生能源等新興產(chǎn)業(yè)(包括太陽(yáng)的,燙的和風(fēng)力)、EV/HEV動(dòng)力系統(tǒng),以及電動(dòng)火車、公共汽車和其他類型的公共交通工具。
許多工程師第一次使用模擬開關(guān),往往會(huì)把模擬開關(guān)完全等同于機(jī)械開關(guān)。其實(shí)模擬開關(guān)雖然具備開關(guān)性,但和機(jī)械開關(guān)有所不同,它本身還具有半導(dǎo)體特性:
2023-02-06 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體模擬開關(guān) 6.2k 0
詳細(xì)的MOSFET制造工藝流程及版圖設(shè)計(jì)
帶保護(hù)環(huán)的SiC屏蔽DMOSFET的模擬 A.Kanale和B.J.Baliga,“加強(qiáng)短路電流抑制方法的比較”1.2kV SiC功率MOSF...
剖析SiC-MOSFET特征及其與Si-MOSFET的區(qū)別 2
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處...
2023-02-06 標(biāo)簽:MOSFETSBDSiC-MOSFET 3.4k 0
剖析SiC-MOSFET特征及其與Si-MOSFET的區(qū)別 1
功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化,一直在進(jìn)行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體有如下優(yōu)勢(shì),如低損耗、高速開關(guān)、高溫...
開關(guān)電源芯片U321 是一款高性能低成本PWM控制功率器,適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場(chǎng)合,外電路簡(jiǎn)單、器件個(gè)數(shù)少。
特別是對(duì)于SiC MOSFET,柵極驅(qū)動(dòng)器IC必須將開關(guān)和傳導(dǎo)損耗(包括導(dǎo)通和關(guān)斷能量)降至最低。
在介紹MOSFET之前,我們先來(lái)了解一下FET的工作原理。FET又叫做場(chǎng)效應(yīng)管,有N溝道和P溝道兩種(溝道就是其中載流子流過的通道)
2023-02-06 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管FET 3.8k 0
**半導(dǎo)體是如何實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電的?** 物質(zhì)能否導(dǎo)電取決于構(gòu)成物質(zhì)的原子結(jié)構(gòu)中是否存在自由電子(負(fù)電荷)或者空穴(正電荷),統(tǒng)稱為載流子。導(dǎo)電能力的大小...
STripFET F8 MOSFET在汽車配電系統(tǒng)的作用
汽車電動(dòng)化和數(shù)字化的大趨勢(shì)包括區(qū)域控制架構(gòu)、功率芯片驅(qū)動(dòng)數(shù)字化、電池管理系統(tǒng)、功率電子和電源/能源管理。
2023-02-06 標(biāo)簽:MOSFET電源管理電池管理系統(tǒng) 2.4k 0
隨著芯片制造商尋找維持驅(qū)動(dòng)電流的新方法,鐵電體(Ferroelectric)重新獲得關(guān)注。
隨著時(shí)代的發(fā)展,電源被設(shè)計(jì)得越來(lái)越小,卻越來(lái)越高效,而在節(jié)能倡議和客戶期望的推動(dòng)下,電源還需要具有功率因子校正(PFC)功能。通過減少諧波含量和被動(dòng)電源...
FET的全稱是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor),和BJT不同,F(xiàn)ET的核心工作原理是:通過在半導(dǎo)體上施加一個(gè)電場(chǎng)來(lái)改變...
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