完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
文章:6722個(gè) 瀏覽:233718次 帖子:1154個(gè)
驅(qū)動(dòng)有刷直流電機(jī)的簡便方法本文將從非常基礎(chǔ)的部分開始介紹驅(qū)動(dòng)有刷直流電機(jī)的方法。可能大多數(shù)人都有在小學(xué)的理科實(shí)驗(yàn)中或手工作品中將電池連接到有刷直流電機(jī)來...
電機(jī)的PWM驅(qū)動(dòng):PWM周期與電機(jī)的電氣時(shí)間常數(shù)之間的關(guān)系
關(guān)于有刷直流電機(jī)的PWM驅(qū)動(dòng),有一個(gè)注意事項(xiàng):“相比于電機(jī)的電氣時(shí)間常數(shù),PWM周期要足夠短”。在本文中,我們來探討一下這個(gè)“足夠短的PWM周期”具體是多少。
碳化硅MOSFET器件是一種半導(dǎo)體器件,它可以用于控制電流和電壓,以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數(shù),以確定電子設(shè)備是否正常工作。碳化硅MOSFE...
功率MOSFET是較常使用的一類功率器件。“MOSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的...
2023-02-15 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 1.1k 0
碳化硅MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)是一種半導(dǎo)體器件,它的工作原理...
啟動(dòng)期間的點(diǎn)火起動(dòng)和停機(jī)期間的負(fù)載突降是汽車電源線上電壓瞬變的常見來源。這些欠壓(UV)和過壓(OV)瞬變可能具有很大的幅度,并且會(huì)損壞未設(shè)計(jì)用于在這些...
對緊湊但功能強(qiáng)大的電機(jī)的需求為設(shè)計(jì)工程師帶來了新的挑戰(zhàn)。為了盡可能提高小型電機(jī)的功率輸出,工程師們開始轉(zhuǎn)向高壓和高頻工作。硅 (Si) 金屬氧化物半導(dǎo)體...
聚焦器件可靠性、柵極驅(qū)動(dòng)器創(chuàng)新和總體系統(tǒng)解決方案
第二項(xiàng)關(guān)鍵測試是短路耐受時(shí)間 (SCWT),或者說軌到軌短路條件下設(shè)備發(fā)生故障前的最長耐受時(shí)間。測試結(jié)果應(yīng)接近功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中使用的IGBT,其中大多數(shù)擁...
2023-02-15 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器碳化硅 326 0
在SiC的BaSiC博客系列中,我們將探討碳化硅的許多不同功能。讓我們從這種不尋常材料的特性和應(yīng)用的快速入門開始。
半導(dǎo)體變遷史科普:計(jì)算機(jī)、晶體管的問世
無可否認(rèn),不論是半導(dǎo)體技術(shù)還是其產(chǎn)業(yè)本身,都已經(jīng)成為所有市場中最大的產(chǎn)業(yè)之一。全球媒體、企業(yè)和政府也紛紛把目光投向了半導(dǎo)體工廠的下一個(gè)建設(shè)地。而每一次的...
60V輸入單芯片轉(zhuǎn)換器為關(guān)鍵電路供電
LTC3649是一款單芯片降壓調(diào)節(jié)器,能夠在3.1 V至60 V的輸入電 壓范圍內(nèi)工作,并可在高達(dá)4 A的輸出電流下高效產(chǎn)生單個(gè)電阻可編程輸出電壓。僅這...
2023-02-14 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器MOSFET 1.4k 0
高效率、降壓型μModule穩(wěn)壓器打造真正的大功率密度解決方案
LTM4626 和 LTM4638是高效率、降壓型 μModule? 穩(wěn)壓器,能夠采用 3.1 V 至 20 V 的輸入電壓分別提供 12 A 和 15...
用1枚MOSFET進(jìn)行PWM驅(qū)動(dòng)時(shí)的電機(jī)電流和再生電流
本文將探討使用1枚MOSFET對有刷直流電機(jī)進(jìn)行PWM驅(qū)動(dòng)時(shí)的電機(jī)電流和再生電流。有多種方法可以實(shí)現(xiàn)電機(jī)的PWM驅(qū)動(dòng),其中包括通過在電機(jī)和接地間插入MO...
擴(kuò)大40年期電源電壓范圍,從<300uA到3A無電阻電流檢測解決方案
在高達(dá)80V的高電壓電平(共模電平)應(yīng)用中,由外部的簡單電 流檢測放大器(CSA)(但為了使結(jié)構(gòu)達(dá)到精度和準(zhǔn)確性要求,集 成電路的設(shè)計(jì)比較復(fù)雜)和檢測電...
背后功率器件那些事兒:MOSFET、IGBT及碳化硅的應(yīng)用
當(dāng)充電樁向高壓架構(gòu)發(fā)展的趨勢越來越明顯,高性能MOSFET的需求也越來越大,通過改進(jìn)器件結(jié)構(gòu)的超級結(jié)MOSFET應(yīng)運(yùn)而生了。
詳解運(yùn)放的偏置電流Ib與失調(diào)電流Ios
我們前面說過,理想運(yùn)放的同相端和反相端的輸入電流為0,所以才有“虛斷”的說法,但是實(shí)際運(yùn)放的輸入管腳都會(huì)流入或流出少量的電流,并且經(jīng)常同相端的電流和反相...
由閾值電壓的公式可看出,閾值電壓與制造工藝和所加體偏電壓VSB有關(guān),所以在設(shè)計(jì)中把它當(dāng)成一個(gè)常數(shù)。 當(dāng)器件尺寸不斷縮小時(shí),此模型不再精確,閾值電壓與L、...
目前MOSFET仍是數(shù)字集成電路廣泛使用的器件,根據(jù)MOS管的靜態(tài)模型,以NMOS為例,分析其電流電壓特性。 器件部分涉及到很多半導(dǎo)體物理、器件物理相關(guān)...
一個(gè)MOSFET管的動(dòng)態(tài)響應(yīng)只取決于它充(放)電這個(gè)器件的本身寄生電容和由互連線及負(fù)載引起的額外電容所需要的時(shí)間。 本征電容的主要來源有三個(gè):基本的MO...
換一批
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
| 電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
| 伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |