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標簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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對于小功率電源(50W以內(nèi))MOS管的驅(qū)動電路設(shè)計相對簡單,只需要一個驅(qū)動電阻Rg即可對MOS管進行驅(qū)動。此時的驅(qū)動開通電阻和關(guān)斷電阻阻值一致。
先說一說這個電路的用途:當兩個MCU在不同的工作電壓下工作(如MCU1工作電壓5V;MCU2工作電壓3.3V),那么MCU1與MCU2之間怎樣進行串口通...
液氮是指液態(tài)的氮氣。液氮是惰性,無色,無臭,無腐蝕性,不可燃,溫度極低的液體,汽化時大量吸熱接觸造成凍傷。
MOS場效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導體型場效應(yīng)管,英文縮寫為MOSFET,它有N溝道管和P溝道管兩種類型。
2022-11-07 標簽:MOSFET開關(guān)電源MOS管 6.8k 0
應(yīng)用于音響功放組成推免結(jié)構(gòu)電路中的MOS管是什么型號呢
它就是FHP3710C型號的MOS管,是由國內(nèi)已經(jīng)專注研發(fā)20年的MOS管廠家生產(chǎn),它是純國產(chǎn)制造,具有100% EAS測試,100% DVDS測試,高...
2022-11-07 標簽:場效應(yīng)管MOS管EAS 1.5k 0
UPS也就是不間斷電源,它是一種含有儲能裝置的不間斷電源。對于電源穩(wěn)定性要求較高的設(shè)備是需要提供提供不間斷的電源。
1、如果沒有柵極電阻,或者電阻阻值太小 ? MOS導通速度過快,高壓情況下容易擊穿周圍的器件。 ? ? 2、柵極電阻阻值過大 ? MOS管導通時,Rds...
分別說說VMOSFET的VVMOS和VDMOS兩種結(jié)構(gòu)
MOS器件雖然漏極電流可以達到數(shù)安培,漏源電壓可以達到100V以上,但是由于漏源電阻大、頻率特性差、硅片面積利用率低等缺點,使得MOSFET在功率上有很...
我們可以看到上圖是由芯片和4個MOS管共同構(gòu)成的全橋式開關(guān)電源輸出部分,當時芯片使用的好像是LM27402MHX型號
2022-11-02 標簽:開關(guān)電源MOS管全橋電路 5.4k 0
推挽輸出是用兩個晶體管或者場效應(yīng)管構(gòu)成的推挽電路,電路的特點就是輸出電阻小。可以輸出高,低電平,連接數(shù)字器件。
U3842是一種電流控制型脈寬調(diào)制芯片,由于外圍電路簡單經(jīng)典,所以被廣泛應(yīng)用,且做為很多新手入手的教材。
2022-11-02 標簽:MOS管RCD脈寬調(diào)制芯片 9.1k 0
MOS管的工作狀態(tài)一共有兩種:增強型和耗盡型兩類又有N溝道和P溝道之分。
2022-11-02 標簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 6.4k 0
DC/DC電源芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)全解
一顆 DC/DC 降壓電源芯片 LM2675 為例,盡量詳細講解下一顆芯片的內(nèi)部設(shè)計原理和結(jié)構(gòu),IC 行業(yè)的同學隨便看看就好,歡迎指教!
電力MOSFET都是通過增加N-漂移區(qū)的厚度來提高工作電壓,但由此也帶來通態(tài)電阻的增大,當電流比較大時,管壓降和損耗會明顯加大,因此MOSFET特別適合...
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