mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

MOS管寄生電容計(jì)算方法

某種電介質(zhì)的介電常數(shù)ε與真空介電常數(shù)ε0的比值，稱為該電介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)，符號(hào)為εr，即εr=ε/ε0，εr是無(wú)量綱的純數(shù)，其中真空介電常數(shù)ε0=8....

2023-11-30 標(biāo)簽：電容 MOS管寄生電容 3.9k 0

幾種優(yōu)化EM的有效措施

由于電遷移效應(yīng)，金屬線可能會(huì)斷裂并短路。EM會(huì)增加導(dǎo)線電阻，這會(huì)導(dǎo)致電壓下降，從而導(dǎo)致設(shè)備降速。由于短路或開(kāi)路，它還可能導(dǎo)致電路永久性故障。

2023-11-30 標(biāo)簽：電流 MOS管電源模塊 3.3k 0

ADC中采樣開(kāi)關(guān)引起的誤差的兩種因素分析

當(dāng)開(kāi)關(guān)關(guān)斷的時(shí)候，溝道電荷需要消失，電荷只能流入到MOS管本身的S端或D端，對(duì)兩端的電壓造成影響。因此流入采樣電容上的電荷會(huì)產(chǎn)生一個(gè)offset，off...

2023-11-30 標(biāo)簽：三極管電容器 MOS管 2.1k 0

MOS管的隔離作用解析

在電路設(shè)計(jì)上，我們見(jiàn)到最多的是使用MOS管最為開(kāi)關(guān)控制器件，但是MOS管除了具有開(kāi)關(guān)的功能之外，還有隔離作用，下面就和大家一起看一下吧。

2023-11-30 標(biāo)簽：保護(hù)電路 MOS管開(kāi)關(guān)控制 4.7k 0

基于XL4016的輸出過(guò)壓保護(hù)方案解析

當(dāng)輸出電壓低于 VDZ1+0.7V 時(shí)，Q1 三極管不導(dǎo)通，Q2 三極管導(dǎo)通，此時(shí) Q3 MOS 管導(dǎo)通使系統(tǒng)正常輸出；當(dāng)輸出電壓高于 VDZ1+0....

2023-11-29 標(biāo)簽：三極管元器件過(guò)壓保護(hù) 3.9k 0

鋰電池保護(hù)板電路原理圖講解

今天拿到一份電池廠給的鋰電池規(guī)格書，發(fā)現(xiàn)里面有保護(hù)板的原理圖、PCB layout、BOM，就差給源文件了，看來(lái)這玩意也沒(méi)太多秘密了，看見(jiàn)有電路資料瞬間...

2023-11-29 標(biāo)簽：鋰電池原理圖 MOS管 6.3萬(wàn) 0

講一下實(shí)際工作中遇到的電阻的功能

電阻的特點(diǎn)是阻擋電能，電阻的關(guān)鍵參數(shù)有尺寸、阻值、精度和功率。電阻的應(yīng)用場(chǎng)景非常多，都是圍繞著電阻的特性來(lái)使用的。

2023-11-29 標(biāo)簽：ESD 上拉電阻 MOS管 3.2k 0

一種快速設(shè)計(jì)射頻功放IC流程分享

在功率放大器PA中，輸出級(jí)以及輸出匹配決定了該功放的線性度、效率等關(guān)鍵性能指標(biāo)，通常被優(yōu)先考慮。

2023-11-29 標(biāo)簽：變壓器功率放大器 MOS管 2.1k 0

IGBT中的PIN結(jié)構(gòu)分析（1）

IGBT的結(jié)構(gòu)中絕大部分區(qū)域是低摻雜濃度的N型漂移區(qū)，其濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于P型區(qū)，當(dāng)IGBT柵極施加正向電壓使得器件開(kāi)啟后

2023-11-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管 IGBT 3.2k 0

MOS管并聯(lián)工作

MOSFET工作在飽和區(qū)時(shí)，具有信號(hào)放大功能，柵極的電壓和漏極的電流基于其跨導(dǎo)保持一定的約束關(guān)系，柵極的電壓和漏極的電流的關(guān)系就是MOSFET的傳輸特性。

2023-11-27 標(biāo)簽：MOSFET MOS管 3k 0

MOS管三個(gè)極的判定

1、三個(gè)極的判定 G極(gate)—柵極，不用說(shuō)比較好認(rèn)。 S極(source)—源極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是。 D極(drain)—...

2023-11-26 標(biāo)簽：二極管 MOS管電平 3.3萬(wàn) 1

二極管、三極管和MOS管的區(qū)別

在嵌入式軟件開(kāi)發(fā)中，經(jīng)常需要根據(jù)硬件原理圖去進(jìn)行GPIO口配置；如果你硬件知識(shí)一點(diǎn)都不懂，那么在開(kāi)發(fā)中遇到問(wèn)題，你就很難初步判定是硬件的問(wèn)題，還是軟件配...

2023-11-24 標(biāo)簽：三極管二極管 MOS管 1.6萬(wàn) 0

電荷泵與恒流源的工作原理解析

在這篇文章中，我們將介紹電荷泵（CP）和恒流源的工作原理。

2023-11-22 標(biāo)簽：電容器 MOS管恒流源 3k 0

振蕩器的工作原理解析

在這篇文章中，我們將介紹振蕩器（OSC）的工作原理。

2023-11-22 標(biāo)簽：振蕩器 MOS管反相器 9.2k 0

gmId設(shè)計(jì)仿真及MOS管特性

以tsmc180nm工藝的nmos2V為例，搭建gmId設(shè)計(jì)電路schematic如figure1：

2023-11-21 標(biāo)簽：電路原理圖 MOS管仿真 8.7k 0

反激式開(kāi)關(guān)電源元件參數(shù)選型(二)

MOS管導(dǎo)通時(shí)電流大,斷開(kāi)時(shí)電流小.我們一般說(shuō)MOS管要慢開(kāi)快關(guān),這只是一個(gè)定性說(shuō)法,要注意一度的問(wèn)題,不是開(kāi)通越慢越好,關(guān)斷越快越好.

2023-11-21 標(biāo)簽：二極管整流二極管 MOS管 2.0萬(wàn) 0

異步整流和同步整流的優(yōu)缺點(diǎn)有哪些

異步整流的優(yōu)缺點(diǎn) 異步整流在輸出電流變化的情況下，二極管的電壓降相當(dāng)恒定，鍺管的壓降為0.3V，硅管的壓降為0.7V。由于二極管的電壓降恒定，所以當(dāng)流...

2023-11-20 標(biāo)簽：電源二極管電容 2.3k 0

MOS管的開(kāi)啟與關(guān)閉

MOS 管的開(kāi)啟與關(guān)閉要研究這個(gè)自舉的由來(lái)，我們還是先看一下 MOS 的開(kāi)啟與關(guān)閉。從上文得知，我們首先要分別看一下 NMOS 和 PMOS電源拓?fù)渲?..

2023-11-20 標(biāo)簽：電源電流電容 4.5k 0

硬件工程師經(jīng)典面試題詳解

2023-11-20 標(biāo)簽：三極管 MOS管開(kāi)關(guān)管 2.4k 0

MOS管的分類增強(qiáng)型和耗盡型MOS管介紹

場(chǎng)效應(yīng)管FET（Field Effect Transistor），是利用輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，分為結(jié)型（JFET）和絕緣...

2023-11-17 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 1.3萬(wàn) 0

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DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
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