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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別 SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別
率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,對其改良可以實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化。SiC 功率元器件半導(dǎo)體具有低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等優(yōu)勢。
IGBT模塊究竟如何工作?IGBT模塊的生產(chǎn)流程
當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機(jī)等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品,國內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多,但是有一個模塊需...
2023-08-23 標(biāo)簽:cpu電機(jī)驅(qū)動IGBT 5.6k 0
電動汽車驅(qū)動電機(jī)技術(shù)的發(fā)展趨勢
驅(qū)動電機(jī)主要為機(jī)械部件,原材料成本相對容易核算,在行業(yè)競爭日趨激烈的情況下,提升電機(jī)的功率重量密度和功率體積密度,使電機(jī)重量減輕是降低驅(qū)動電機(jī)產(chǎn)品成本的...
2023-08-23 標(biāo)簽:逆變器IGBT驅(qū)動電機(jī) 1.6k 0
IGBT功率模塊散熱基板的作用及種類 車規(guī)級IGBT功率模塊的散熱方式
IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過高導(dǎo)致的熱應(yīng)力,良好的熱管理對于IGBT功率模塊穩(wěn)定性和可靠性極為重要。新能源汽車電機(jī)控制器是典型的高功率密度部件...
淺談采埃孚的IGBT功率器件數(shù)字孿生技術(shù)
該方法創(chuàng)建了基于Ansys Twin Builder軟件的熱降階模型,并和CFD的3D熱仿真進(jìn)行了對比。簡化的ROM降階模型在所有的計算結(jié)果中都獲得了可...
隨著新能源汽車的快速發(fā)展,市場的普及,越來越多的用戶在使用過程中,對新能源汽車的充電仍是一個頭疼的事情。
碳化硅(SiC)技術(shù)的新興機(jī)遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng),SiC MOSFET就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率,包括那些必須在惡劣環(huán)...
電機(jī)驅(qū)動器和電機(jī)控制器的區(qū)別
在大多數(shù)電子項目或機(jī)器人應(yīng)用中,電機(jī)驅(qū)動器和電機(jī)控制器起著非常重要的作用。
2023-08-16 標(biāo)簽:MOSFET步進(jìn)電機(jī)IGBT 9.5k 0
求一種電動車的800v高壓快充架構(gòu)技術(shù)方案
縮短充電時間是目前提升電動車使用體驗的關(guān)鍵。當(dāng)補貼力度越來越弱,推力漸小,加速電動汽車產(chǎn)業(yè)化的解決方案要回歸到本質(zhì)上
新能源電動汽車和傳統(tǒng)燃油車不一樣,沒有發(fā)動機(jī),轉(zhuǎn)而加裝了一個大的電池;
2023-08-12 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動電機(jī)主控制器 1.8k 0
有機(jī)硅,即有機(jī)硅化合物, 指含有 Si-O 鍵、且至少有一個有機(jī)基是直接與硅原子相連的化合物。有機(jī)硅產(chǎn) 品的關(guān)鍵性能包含優(yōu)異的耐溫性,即高溫、低溫環(huán)境下...
請問DIPIPM?的特殊應(yīng)用都有哪些呢?有哪些注意事項?
應(yīng)該很多用戶都注意到了,目前的DIPIPM都是3相橋電路。如果我只需要兩個橋臂做一個H橋的電源,應(yīng)該怎么弄呢?今天我們就來聊聊這個問題。
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管)與IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)在光伏行業(yè)中都是非常重要的分立器件。
2023-08-11 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管光伏 2.1k 0
在大多數(shù)情況下,IGBT模塊的引腳通常會以標(biāo)號或文字標(biāo)識進(jìn)行標(biāo)記。以下是常見的IGBT模塊引腳標(biāo)記: 1. 柵極(Gate):通常標(biāo)記為G,也可能...
功率器件終端區(qū)設(shè)計的必要性及注意事項有哪些?
功率器件有源區(qū)含有PN結(jié),施加反向耐壓時,靠PN結(jié)承壓。實際平面工藝中,在芯片發(fā)射極表面光刻掩膜開窗口后進(jìn)行雜質(zhì)注入推結(jié),制作出的 PN結(jié)在中間大部分區(qū)...
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