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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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而國內(nèi)在電機、電控領(lǐng)域的自主化程度仍遠落后于動力電池領(lǐng)域的研發(fā)和生產(chǎn)。如IGBT芯片等仍不具備完全自主生產(chǎn)能力,具備系統(tǒng)完整知識產(chǎn)權(quán)的整車企業(yè)和零部件企...
和改電阻法不同的是,改電壓法是在控制階段改變驅(qū)動電壓來控制電壓電流過沖。改驅(qū)動電壓的方法大概有兩種,一種是通過電阻分壓實現(xiàn)改驅(qū)動電壓,另外一種是在控制芯...
2019-10-07 標簽:IGBTIGBT驅(qū)動 1.3萬 0
D2PAK封裝雜散電感小, 開關(guān)損耗小,價格便宜,表貼安裝于IMS材料上,熱阻低,易于自動化焊接生產(chǎn),可靠性高,非常適合做小巧,輕便,低價,高可靠性的單...
淺談高度集成的柵極驅(qū)動光電耦合器——ACPL-337J
ACPL-337J是一款先進的高度集成的柵極驅(qū)動光電耦合器,旨在隔離,驅(qū)動,保護和反饋IGBT的工作狀態(tài)。 它具有軌到軌輸出,可以提供4A的最大電流,能...
基于IEGT技術(shù)的柔性直流輸電系統(tǒng)分析以及在未來的發(fā)展前景
中國的柔性直流輸電剛剛起步,發(fā)展速度很快,前景美好,預(yù)計將取代交流輸電和傳統(tǒng)直流輸電,成為主流輸電技術(shù)。柔性直流輸電換流閥采用全控型功率開關(guān)IGBT,相...
雙電壓整流電路設(shè)計,IGBT模塊適用于整流電路嗎?
不用兩個整流橋。用一個即可,把2個18伏交流接到整流橋的交流輸入端,把變壓器抽頭0伏接地線(線路板的地線),整流橋直流輸出+ -端接電容器濾波,電容器2...
IGBT應(yīng)用中的換流方式 IGBT上下橋短路的原因
IGBT在應(yīng)用中的換流方式主要有三種,即半橋換流、全橋換流和三相換流。
IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件,本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊,對手冊中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進行解釋說明,用戶可以了解各參數(shù)的背景信息,以便合理...
2023-02-07 標簽:IGBT參數(shù)開關(guān)功率器件 1.3萬 0
在一些電力電子應(yīng)用場合,不僅需要高壓IGBT模塊有優(yōu)異的性能,還需要具有相當高的可靠性;為了滿足實際需求,希望高壓IGBT模塊的壽命能達到30年,所以,...
IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件,本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊,對手冊中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進行解釋說明,用戶可以了解各參數(shù)的背景信息,以便合理...
首先,開關(guān)頻率是指IGBT在一秒鐘內(nèi)開關(guān)次數(shù)。而在確定的母線電壓和導(dǎo)通電流下,IGBT每次開關(guān)都會產(chǎn)生一定的損耗,開通損耗是Eon,關(guān)斷損耗是Eoff,...
車載功率半導(dǎo)體概述!汽車級大功率IGBT發(fā)展趨勢
MOSFET 的優(yōu)點是較高的開關(guān)頻率,可以工作在百 kHz 到 MHz 之間;缺點是耐壓低,在高電壓、大電流應(yīng)用中損耗非常大,因而限制了其應(yīng)用。IGBT...
2018-07-26 標簽:新能源汽車IGBT功率半導(dǎo)體 1.3萬 0
總結(jié)一下,對于米勒電流引起的寄生導(dǎo)通,在0V關(guān)斷的情況下,可以使用米勒鉗位來抑制。當出現(xiàn)非米勒電流引起的寄生導(dǎo)通時,如果不想減慢開關(guān)速度增加損耗的話,加...
什么是IGBT?如何使用此模塊實現(xiàn)“雙面水冷”,IGNT未來的發(fā)展趨勢又是如何?
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管...
介紹MOSFET絕對最大額定值相關(guān)的參數(shù)
VDS是指MOSFET的漏-源極的絕對最大值電壓,在管子工作時,這兩端的電壓應(yīng)力不能超過最大值。在MOSFET選型時,VDS電壓都要降額80%選用。
淺談功率半導(dǎo)體的技術(shù)與未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展
經(jīng)過了很長一段時間的發(fā)展,功率半導(dǎo)體在相關(guān)電源電路中的應(yīng)用已經(jīng)不可替代。尤其是在當前太陽能著力發(fā)展的時代,功率半導(dǎo)體更是大踏步向前,雖然目前有著氮化鎵與...
2013-02-25 標簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1.2萬 0
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