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HBM（High Bandwidth Memory，HBM）性能強大成為 AI/ML 和其他高性能計算工作負(fù)載的首選內(nèi)存。AI服務(wù)器需求的爆發(fā)使得HBM供不應(yīng)求。HBM3 于2022 年正式推出，是最新一代的高帶寬內(nèi)存；我們可以認(rèn)為HBM3的擴展版本就是HBM3E。

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SK海力士：HBM3E量產(chǎn)時間縮短50%，達(dá)到大約80%范圍的目標(biāo)良率

據(jù)報道，SK海力士宣布第五代高帶寬存儲（HBM）—HBM3E的良率已接近80%。

2024-05-27 標(biāo)簽：DRAM SK海力士 HBM3E 2.1k 0

SK海力士：12Hi HBM3E于Q3完成，下半年內(nèi)存或供應(yīng)不足

韓國 SK海力士于 4 月 25 日透露在季度財報電話會議上，他們承諾第三季度能夠成功研發(fā)出 12 層堆疊的 HBM3E 系列芯片，然而由于供應(yīng)壓力，可...

2024-04-25 標(biāo)簽：三星電子 SK海力士 HBM3E 1.1k 0

消息稱三星Q2供應(yīng)超微HBM3E 下半年啟動大規(guī)模量產(chǎn)

HBM，即高帶寬內(nèi)存，以其獨特的“樓房設(shè)計”概念，打破了傳統(tǒng)DDR內(nèi)存的設(shè)計局限，憑借出色的性能在市場中贏得了廣泛認(rèn)可。

2024-04-15 標(biāo)簽：DDR內(nèi)存 HBM 三星 1.6k 0

押注HBM3E和PCle5.0 SSD, 四家存儲芯片大廠旗艦新品匯總

電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 4月1日，韓國股市開盤后，存儲大廠SK海力士一度漲幅超過4%，市值已超過 1,000 億美元，受益于投資者持續(xù)買入AI相關(guān)股票...

2024-04-06 標(biāo)簽：存儲芯片 HBM pcle 7.2k 0

HBM3E起飛，沖鋒戰(zhàn)鼓已然擂響

HBM3自2022年1月誕生，便憑借其獨特的2.5D/3D內(nèi)存架構(gòu)，迅速成為高性能計算領(lǐng)域的翹楚。HBM3不僅繼承了前代產(chǎn)品的優(yōu)秀特性，更在技術(shù)上取得了...

2024-03-30 標(biāo)簽：存儲器 SK海力士 HBM3 3.6k 0

三星重磅發(fā)布全新12層36GB HBM3e DRAM

12層HBM3e將每個堆棧可用的總帶寬提高到驚人的1,280GB/s，這比單個堆棧上RTX 4090可用的全部帶寬還要高。

2024-03-29 標(biāo)簽：amd DRAM 服務(wù)器 1.4k 0

三星電子HBM存儲技術(shù)進(jìn)展：12層HBM3E芯片，2TB/s帶寬HBM4即將上市

據(jù)業(yè)內(nèi)透露，三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領(lǐng)先其他公司，有能力在2024年9月實現(xiàn)對英偉達(dá)的替代，這意味著它將成為英偉達(dá)12層HBM3E的壟斷供應(yīng)商。...

2024-03-27 標(biāo)簽：英偉達(dá)三星 HBM3 2.5k 0

三星獨家供貨英偉達(dá)12層HBM3E內(nèi)存

據(jù)最新消息透露，英偉達(dá)即將從今年9月開始大規(guī)模采購12層HBM3E內(nèi)存，而這次供貨的重任將完全由三星電子承擔(dān)。這一消息無疑為業(yè)內(nèi)帶來了不小的震動。

2024-03-26 標(biāo)簽：三星電子內(nèi)存英偉達(dá) 1.3k 0

NVIDIA預(yù)定購三星獨家供應(yīng)的大量12層HBM3E內(nèi)存

據(jù)悉，HBM3E 12H內(nèi)存具備高達(dá)1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲容量，較8層堆疊的HBM3 8H，分別提升了50%以上的帶寬及容量。

2024-03-25 標(biāo)簽：人工智能英偉達(dá)HBM3 1.1k 0

英偉達(dá)對三星HBM3E進(jìn)行測試，海力士仍穩(wěn)坐HBM市場頭把交椅

現(xiàn)如今，SK海力士為英偉達(dá)AI半導(dǎo)體提供主要HBM產(chǎn)品，同時自去年起，美光公司也加入了該供應(yīng)陣營。據(jù)悉，相比其他競爭對手，三星電子在HBM授權(quán)上大約晚了...

2024-03-22 標(biāo)簽：英偉達(dá)SK海力士 HBM 1.5k 0

SK海力士成功量產(chǎn)超高性能AI存儲器HBM3E

HBM3E的推出，標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲器領(lǐng)域取得了重大突破，將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。

2024-03-20 標(biāo)簽：存儲器人工智能數(shù)據(jù)處理 2k 0

英偉達(dá)宣布推出新一代GPU Blackwell，SK海力士已量產(chǎn)HBM3E

在英偉達(dá)GTC 2024大會上，英偉達(dá)CEO黃仁勛宣布推出新一代GPU Blackwell，第一款Blackwell芯片名為GB200，將于今年晚些時候上市。

2024-03-20 標(biāo)簽：存儲器英偉達(dá)SK海力士 2.6k 0

GTC 2024：三大存儲廠商齊展HBM3E與GDDR7技術(shù)

據(jù)悉，HBM3E廣泛應(yīng)用于Blackwell加速器、NVIDIA H200、GH200芯片；AMD Instinct MI300A / X亦有可能采用其...

2024-03-20 標(biāo)簽：加速器顯卡 HBM3 1.9k 0

SK海力士HBM3E正式量產(chǎn)，鞏固AI存儲領(lǐng)域的領(lǐng)先地位

SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家，預(yù)計這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗，將進(jìn)一步強化公司在AI存儲器市場的領(lǐng)導(dǎo)者地位。

2024-03-19 標(biāo)簽：存儲器 SK海力士 HBM3 1.8k 0

SK海力士HBM3E內(nèi)存正式量產(chǎn)，AI性能提升30倍，成本能耗降低96%

同日，SK海力士宣布啟動 HBM3E 內(nèi)存的量產(chǎn)工作，并在本月下旬開始供貨。自去年宣布研發(fā)僅過了七個月。據(jù)稱，該公司成為全球首家量產(chǎn)出貨HBM3E 的廠...

2024-03-19 標(biāo)簽：存儲器 SK海力士 HBM3 2.4k 0

三星強化HBM工作團隊為永久辦公室，欲搶占HBM3E領(lǐng)域龍頭地位?

這一結(jié)構(gòu)性調(diào)整體現(xiàn)出三星對于存儲器領(lǐng)域HBM產(chǎn)品間競爭壓力的關(guān)注。SK海力士已然在HBM3市場奪得先機，并因其在人工智能領(lǐng)域的廣泛運用吸引了大量訂單。

2024-03-10 標(biāo)簽：存儲器 SK海力士 HBM 2.4k 0

三星電子推出首款36GB HBM3E 12H DRAM

三星電子近期研發(fā)的這款36GB HBM3E 12H DRAM確實在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。其宣稱的帶寬新紀(jì)錄，不僅展現(xiàn)了三星在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新能力，...

2024-03-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM 三星電子 1.7k 0

美光開始量產(chǎn)HBM3E解決方案

近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲器及影像產(chǎn)品制造商美光公司宣布，已開始大規(guī)模生產(chǎn)用于人工智能的新型高帶寬芯片——HBM3E。這一里程碑式的進(jìn)展不僅標(biāo)志著美光在...

2024-03-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體存儲器人工智能 991 0

美光科技開始量產(chǎn)HBM3E高帶寬內(nèi)存解決方案

美光科技股份有限公司（Micron Technology, Inc.）是全球內(nèi)存與存儲解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，近日宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)其HBM3E高帶寬內(nèi)存解...

2024-03-05 標(biāo)簽：gpu 美光科技內(nèi)存技術(shù) 1.7k 0

美光量產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)先的HBM3E解決方案，加速人工智能發(fā)展

2024 年 3?月 4?日全球內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：M...

2024-03-04 標(biāo)簽：內(nèi)存 Micron 美光 2k 0

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