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SiC和GaN加速上車!2029年第三代半導(dǎo)體全球規(guī)模如何?Yole專家揭秘
近日,在慕尼黑上海電子展的論壇上,Yole Group化合物半導(dǎo)體資深分析師邱柏順從行業(yè)分析的角度向現(xiàn)場工程師和觀眾分享了全球碳化硅與氮化鎵市場最新發(fā)展...
2024-07-19 標(biāo)簽:SiCGaN第三代半導(dǎo)體 7.7k 0
光伏微逆、數(shù)據(jù)中心先行,GaN OBC也在加快進(jìn)度
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)去年12月,英飛凌公布了自己的OBC產(chǎn)品戰(zhàn)略路線,未來將采用SiC和GaN等第三代半導(dǎo)體來提高OBC功率密度,其中GaN會...
2024-07-17 標(biāo)簽:光伏數(shù)據(jù)中心GaN 5.5k 0
在全球矚目的慕尼黑電子展(Electronica)上,半導(dǎo)體巨頭英飛凌再次展現(xiàn)了其創(chuàng)新實(shí)力,通過一場盛大的媒體發(fā)布會,隆重推出了多款CoolGaN?系列...
格芯收購 Tagore Technology 的 GaN 技術(shù)
來源:Silicon Semiconductor 此次技術(shù)收購擴(kuò)展了 GF(格芯) 的電源管理解決方案和差異化路線圖。 GlobalFoundries ...
2024-07-08 標(biāo)簽:GaNTechnology 1.4k 0
本文要點(diǎn)氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體,能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強(qiáng)度更高。氮化鎵技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高功率密度和更小的...
在混合電源設(shè)計(jì)上,Si、SiC、GaN如何各司其職?
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)今年5月英飛凌公布了專為AI數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)的PSU(電源供應(yīng)單元)路線圖,在3.3kW、8kW、12kW的PSU方案上,...
Si+SiC+GaN混合方案,解決數(shù)據(jù)中心PSU高功率需求
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)AI浪潮下對數(shù)據(jù)中心的需求量激增,而功耗越來越高的AI算力芯片,需要數(shù)據(jù)中心PSU(電源供應(yīng)單元)提供更高的功率,同時...
2024-07-05 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心SiCGaN 1.0萬 0
開關(guān)損耗更低、效率更高,增速超越SiC,GaN開始進(jìn)軍光儲、家電市場
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃山明)隨著以SiC、GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料被推出以后,因其優(yōu)秀的特性,迅速在多種電力電子設(shè)備中應(yīng)用。目前來看,GaN已經(jīng)在...
2024-07-04 標(biāo)簽:SiCGaN寬禁帶半導(dǎo)體 1.1萬 0
格芯強(qiáng)化GaN技術(shù)布局,收購Tagore引領(lǐng)電源應(yīng)用新紀(jì)元
在全球半導(dǎo)體行業(yè)加速向高效能、低功耗方向邁進(jìn)的背景下,格芯(GlobalFoundries)再次展現(xiàn)其前瞻視野與戰(zhàn)略雄心,宣布成功完成對Tagore公司...
PC1067集成GaN高頻準(zhǔn)諧振AC-DC適配器
概述 PC1067 是一款集成?GaN 功率器件的高頻準(zhǔn)諧振反激控制器,適合設(shè)計(jì)在離線式?USB-PD和USB Type-C?等快速充電器和電源供應(yīng)器方...
GaN快充芯片U8607為18~65W應(yīng)用提供全新解決方案
GaN快充芯片U8607為18~65W應(yīng)用提供全新解決方案YinLianBao1在各式各樣的快充充電器之中,“GaN”這三個字近日越來越受到消費(fèi)者的青睞...
讓電機(jī)驅(qū)動逆變器PCB面積減小55%,解密TI集成式GaN IPM新品
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/吳子鵬)提到電機(jī)驅(qū)動逆變器,很多人第一時間想到的是新能源汽車,實(shí)際上在家電及HVAC系統(tǒng)等市場,電機(jī)驅(qū)動逆變器同樣應(yīng)用廣泛。近日,...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)GaN作為第三代半導(dǎo)體,已經(jīng)在消費(fèi)電子電源,充電器等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。GaN的高頻特性,能夠幫助縮小電源體積,同時提高轉(zhuǎn)換效率...
SK啟方半導(dǎo)體計(jì)劃年底完成650V GaN HEMT開發(fā)工作
在半導(dǎo)體技術(shù)的浪潮中,韓國8英寸晶圓代工廠SK啟方半導(dǎo)體(SK keyfoundry)近日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破——已確保新一代功率半導(dǎo)體GaN(氮化鎵...
2024-06-25 標(biāo)簽:晶圓GaN功率半導(dǎo)體 1.2k 0
瑞薩電子完成對Transphorm的收購,加速GaN技術(shù)布局
在全球半導(dǎo)體技術(shù)競爭日益激烈的今天,瑞薩電子以其前瞻性的戰(zhàn)略眼光和果斷的行動,成功完成了對氮化鎵(GaN)器件商Transphorm的收購,收購價高達(dá)3...
瑞薩電子收購Transphorm,加速GaN功率半導(dǎo)體市場布局
全球半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)軍者瑞薩電子近日宣布,已成功完成對氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體全球供應(yīng)商Transphorm, Inc.(Nasdaq:TGAN)的...
2024-06-22 標(biāo)簽:GaN瑞薩電子功率半導(dǎo)體 1.8k 0
德州儀器 (TI) 推出了適用于 250W 電機(jī)驅(qū)動器應(yīng)用的先進(jìn) 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設(shè)計(jì)大型家用...
2024-06-18 標(biāo)簽:德州儀器GaN電機(jī)驅(qū)動器 1.9k 0
德州儀器推出先進(jìn)的 GaN IPM,打造尺寸更小、能效更高的高壓電機(jī)
650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術(shù),助力家電和暖通空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)逆變器達(dá)到99%以上效率。 得益于 IPM...
鎵未來助力聯(lián)想筆記本GaN適配器標(biāo)配化,賦能高效用戶體驗(yàn)
鎵未來賦能筆記本電腦GaN適配器標(biāo)配化 據(jù)悉,Lenovo 2024年推出搭配的多款新型 筆記本原裝適配器電源ADL100UDGC3A ,采用了 鎵未來...
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