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氮化鎵芯片應用領域有哪些

相對于硅材料，使用氮化鎵制造新一代的電力電子器件，可以變得更小、更快和更高效。這將減少電力電子元件的質量、體積以及生命周期成本，允許設備在更高的溫度、電...

2023-02-05 標簽：芯片氮化鎵 GaN 4.5k 0

氮化鎵芯片的發光原理是什么

GaN 在電力電子領域主要優勢在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業大放異彩。

2023-02-05 標簽：充電器氮化鎵 GaN 5k 0

氮化鎵工藝優點是什么

氮化鎵是半導體與微電子產業的新星，其高電子能量的特性使其擁有極高的電能轉換效率和優秀的高頻特性。業界已經公認氮化鎵（GaN）半導體器件產品將統治微波放大...

2023-02-05 標簽：半導體氮化鎵 GaN 2.8k 0

氮化鎵工藝缺點有哪些

隨著消費電子產品、電動車、家用電器等產品更新換代，產品的性能也越來越受重視，尤其是在功率設計方面。如何提升電源轉換能效，提高功率密度水平，延長電池續航時...

2023-02-05 標簽：氮化鎵 GaN 4.7k 0

氮化鎵芯片應用電路了解

大家好，今天我們來了解一下氮化鎵芯片應用電路，幫助大家清晰的了解 GaN 產品。氮化鎵快充已然成為了當下一個非常高頻的詞匯，在氮化鎵快充市場迅速增長之...

2023-02-05 標簽：芯片氮化鎵 GaN 5.2k 0

氮化鎵工藝技術是什么意思

氮化鎵工藝技術是什么意思？氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常...

2023-02-05 標簽：半導體氮化鎵 GaN 2.5k 0

氮化鎵技術的優勢及工作原理

　　氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導體。

2023-02-03 標簽：半導體功率器件氮化鎵 1.1萬 0

小編科普一下氮化鎵技術

氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。

2023-02-03 標簽：發光二極管氮化鎵 GaN 5.4k 0

淺析氮化鎵技術原理及技術突破路線

　通過種種信息，我們應該都能發現，氮化鎵充電器目前已經快要與普通充電器市場持平，而且，氮化鎵充電器是近幾年新開發出來的，從剛開始出現的30W到現在的14...

2023-02-03 標簽：充電器氮化鎵 GaN 1.3萬 0

什么是 GaN 氮化鎵？2

對于 GaN，中文名氮化鎵，我們實在是聽得太多了。這要從近兩年充電器上的瘋狂內卷開始說起。好像從某個時間點開始，一夜之間，GaN 就如雨后春筍般...

2023-02-02 標簽：半導體充電器氮化鎵 649 0

什么是 GaN 氮化鎵？1

2023-02-02 標簽：充電器功率氮化鎵 1.2k 0

氮化鎵E-HEMT器件在反激快充應用中的測試對比

隨著GaN器件在一線品牌（小米、OPPO、華為、VIVO、聯想等）大功率適配器等應用場景的優勢展示和產品推出，推動了GaN器件在更廣泛的電源領域的使用，...

2023-02-02 標簽：適配器 GaN 電源系統 1.9k 0

無線設計LNA和PA的作用和要求及其主要特性

LNA 的作用是從天線獲取極其微弱的不確定信號，這些信號通常是微伏數量級的信號或者低于-100 dBm，然后將該信號放大至一個更有用的水平，通常約為0....

2023-02-01 標簽：無線 LNA GaN 3.1k 0

LED芯片主要的三種流派結構介紹

LED是一種半導體，通電即會發光。憑借其高效率、長壽命和其他突出的特點，成為LCD液晶顯示模組的核心材料，為LCD的背光模組提供足夠的光源；

2023-02-01 標簽：LED芯片 LED封裝 GaN 5.7k 0

GaN功率HEMT設計+GaN寬帶功率放大器設計

2023-01-30 標簽：GaN 寬帶功率放大器 1.5k 0

GaN如何在電子工程行業掀起一場革命

GaN 的普及根植于其高電源和高電壓功能。這些特性使其適用于許多應用，包括微波射頻 (RF) 和功率開關應用。

2023-01-29 標簽：晶體管氮化鎵 GaN 632 0

從原理到實例：GaN為何值得期待？

2022-12-30 標簽：MOSFET 半導體電容 1.8k 0

基于模型的GaN PA設計基礎知識：內部電流-電壓(I-V)波形的定義及其必要性

基于模型的 GaN PA 設計基礎知識：內部電流-電壓 (I-V) 波形的定義及其必要性

2022-12-26 標簽：功率放大器 GaN PA 3.1k 0

IC集成支持平板相控陣天線設計

高度集成的射頻收發器芯片有助于提高天線級的集成度。ADRV9009就是這種芯片的一個例子。它提供雙發射器和接收器、集成合成器和數字信號處理功能。該器件包...

2022-12-19 標簽：adc 微波 GaN 2.6k 0

碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）

一旦硅開始達不到電路需求，碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導體材料浮出水面。與單獨的硅相比，這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復雜的電子產...

2022-12-13 標簽：晶體管 SiC 氮化鎵 1.7萬 0

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藍牙5是藍牙技術聯盟于2016年6月16日發布的新一代藍牙標準。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發射和接收設備之間的有效工作距離可達300米。
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