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      標簽　>　gan

      gan

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      gan技術

      車規級氮化鎵（GaN）技術有何優勢？

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      作為電力電子領域的核心技術之一，基于GaN的電能轉換技術在消費電子、數據中心等領域有廣泛應用，這對提高電能的高效利用及實現節能減排起著關鍵作用。

      2023-06-29 標簽：數據中心氮化鎵GaN 1.9k 0

      全方面的電池應用解決方案

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      越來越多的無線和電池供電設備越來越多地滲透到日常生活中，其中包括電動汽車（EV）與太陽能儲能系統等應用，如何對電池進行高效率的管理將是重要課題。本文將為...

      2023-06-28 標簽：MOSFETGaN電源系統 1.7k 0

      三菱電機采用單個GaN功率放大器實現4G、5G及Beyond 5G/6G通信系統寬帶運行

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      三菱電機集團近日（2023年6月8日）宣布，該公司已開發出首款使用單個放大器即可覆蓋3400MHz頻段的氮化鎵(GaN)功率放大器。該技術已被證明可用于...

      2023-06-27 標簽：通信系統三菱電機GaN 1.6k 0

      如何在缺陷樣本少的情況下實現高精度的檢測

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      導 讀 缺陷檢測是工業生產過程中的關鍵環節，其檢測結果的好壞直接影響著產品的質量。而在現實場景中，但產品瑕疵率非常低，甚至是沒有，缺陷樣本的不充足使得需...

      2023-06-26 標簽：軟件GaN生成器 2.6k 0

      基于GAN的零缺陷樣本產品表面缺陷檢測

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      缺陷檢測是工業生產過程中的關鍵環節，其檢測結果的好壞直接影響著產品的質量。而在現實場景中，但產品瑕疵率非常低，甚至是沒有，缺陷樣本的不充足使得需要深度學...

      2023-06-26 標簽：神經網絡GaN缺陷檢測 2k 0

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      美國國防部高級研究計劃局（DARPA）微系統技術辦公室主任Mark Rosker在去年舉辦的CS Mantech上表示，化合物半導體行業將很快進入第三波...

      2023-06-25 標簽：半導體晶體管GaN 1k 0

      意法半導體VIPerGaN系列高壓GAN轉換器簡介

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      VIPERGAN50、VIPERGAN65和VIPERGAN100是意法半導體VIPerGaN系列中首款高壓GAN轉換器，可在寬范圍工作電壓(9 V至2...

      2023-06-21 標簽：轉換器usb意法半導體 1.3k 0

      影響電源效率提升的主要損耗

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      效率一直以來都是電源領域的研究重點，尤其在一些小體積高功率密度的電源系統中尤為重要。比如，適配器電源、模塊電源、服務器用電源等。近年來，第三代GaN半導...

      2023-06-23 標簽：MOSFET服務器GaN 2.2k 0

      愛美雅科技引領快充市場：TP44100內置GaN MOS芯片的240W快充解決方案

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      在現代社會中，移動設備和電子產品已經成為人們生活中不可或缺的一部分。然而，隨著電子產品的功能不斷增加，用戶對于快速充電的需求也越來越迫切。作為一家領先的...

      2023-06-16 標簽：芯片MOSGaN 1.7k 0

      氮化鎵 (GaN) 帶來電源管理變革的 3 大原因

      作為提供不間斷連接的關鍵，許多數據中心依賴于日益流行的半導體技術來提高能效和功率密度。 氮化鎵技術，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導體材料，越來越多地...

      2023-06-16 標簽：半導體電源管理德州儀器 9.7k 0

      1200V氮化鎵挑戰SiC是否真的可行？

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      2023-06-15 標簽：功率器件GaN功率半導體 1.3k 0

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      2023-06-14 標簽：晶體管GaNHEMT 4.3k 0

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      ? 3D對象的生成模型在VR和增強現實應用中越來越受歡迎。但使用標準的3D表示(如體素或點云)來訓練這些模型是具有挑戰性的，并且需要復雜的工具來進行適當...

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      2023-06-13 標簽：二極管功率器件GaN 3k 0

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      2023-06-12 標簽：充電器SiC氮化鎵 5k 0

      淺談GaN 異質襯底外延生長方法

      HVPE（氫化物氣相外延法）與上述兩種方法的區別還是在于鎵源，此方法通常以鎵的氯化物GaCl3為鎵源，NH3為氮源，在襯底上以1000 ℃左右的溫度生長...

      2023-06-11 標簽：GaNGaN晶體管 1.3k 0

      GaN外延生長方法及生長模式

      由于GaN在高溫生長時N的離解壓很高，很難得到大尺寸的GaN單晶材料，因此，為了實現低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件，研究人員經過幾十年的不...

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      超結（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商業化用于功率器件應用領域以來，在400–900V功率轉換電壓范圍內取得了巨大成功。參考寬帶隙（WBG）...

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      由于AlN和GaN之間存在較大的晶格失配和熱膨脹失配，導致很難獲得高質量的AlN/GaN布拉格反射鏡（Distributed Bragg Reflect...

      2023-06-07 標簽：激光器數據庫GaN 1.3k 0

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