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gan技術

半導體襯底和外延有什么區(qū)別？

襯底（substrate）是由半導體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進入晶圓制造環(huán)節(jié)生產半導體器件，也可以進行外延工藝加工生產外延片。

2024-03-08 標簽：GaN 單晶硅半導體制造 3.8k 0

新型隔離式Σ-Δ調制器如何提高和增強系統(tǒng)電流測量精度

最新的隔離式調制器通過優(yōu)化內部模擬設計和使用最新斬波技術來改善失調和增益誤差相關的性能，這極大地簡化了系統(tǒng)設計并減少了校準時間。最新ADuM770x器件...

2024-03-07 標簽：adc SiC 調制器 1.8k 0

集成柵極驅動器的GaN ePower超快開關

氮化鎵場效應晶體管在許多電力電子應用中持續(xù)獲得關注，但氮化鎵技術仍處于其生命周期的早期階段【1】。雖然基本FET性能品質因數(shù)還有很大的提升空間，但GaN...

2024-03-05 標簽：氮化鎵 GaN 激光驅動器 4.3k 0

適配MOSFET柵極驅動器以驅動GaN FETs

GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優(yōu)勢，為電力電子產業(yè)帶來了革命性的變化。然而，GaN技術的快速發(fā)展有時超出了專門為GaN設計的柵...

2024-02-29 標簽：MOSFET GaN 柵極驅動 2.1k 0

為什么GaN被譽為下一個主要半導體材料？

擁有能夠在高頻下高功率運行的半導體固然很好，但盡管 GaN 提供了所有優(yōu)勢，但有一個主要缺點嚴重阻礙了其在眾多應用中替代硅的能力：缺乏 P -類型。

2024-02-29 標簽：CMOS NMOS 半導體材料 1.1k 0

目前存在哪些與800V電動汽車動力總成架構有關的設計和測試挑戰(zhàn)

電動汽車 (EV) 普及率的上升激發(fā)了市場對優(yōu)化設計、降低成本和提升車輛運行效率的需求，并為產品測試提出了新的難題。

2024-02-19 標簽：電動汽車逆變器功率轉換器 1.7k 0

具有低導通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢壘二極管設計

北京工業(yè)大學和中國北京大學報道了碳化硅襯底（GaN/SiC）上由氮化鎵制成的全垂直結構肖特基勢壘二極管（SBD）的性能

2024-02-19 標簽：SBD SiC GaN 2.8k 0

LED顯示屏是什么材質 led顯示屏參數(shù)設置

LED顯示屏是一種基于LED（Light Emitting Diode）技術的顯示裝置，用于在各種場合中展示文字、圖像、視頻等內容。它由多個LED像素點...

2024-02-03 標簽：LED顯示屏參數(shù)半導體材料 7.9k 0

寬帶隙半導體重塑交通運輸行業(yè)

作者：Rolf Horn 投稿人：DigiKey 北美編輯整個交通運輸行業(yè)正在經歷一場徹底的變革，內燃機 (ICE) 汽車逐漸讓位于污染更少的電動汽車...

2024-02-13 標簽：二極管半導體 SiC 2.1k 0

使用 GaN 器件可以減小外置醫(yī)用 AC/DC 電源的體積

作者：Bill Schweber 投稿人：DigiKey 北美編輯盡管電池技術和低功耗電路不斷取得進步，但對于許多應用來說，完全不依賴純電池設計可能是...

2024-02-13 標簽：電源 DC GaN 1.8k 0

一種結合了SiC和GaN優(yōu)勢的晶體管

這是電力電子領域令人興奮的時代。在硅占據(jù)主導地位數(shù)十年后，兩種較新的材料——碳化硅和氮化鎵——已經開始占領價值數(shù)十億美元的市場。例如，碳化硅現(xiàn)在是電動汽...

2024-01-18 標簽：半導體晶體管 SiC 849 0

如何從零開始構建深度學習項目？（如何啟動一個深度學習項目）

性能重大提升的背后往往是模型設計的改變。不過有些時候對模型進行微調也可以提升機器學習的性能。最終的判斷可能會取決于你對相應任務的基準測試結果。

2024-01-11 標簽：GaN 機器學習數(shù)據(jù)集 720 0

氮化鎵芯片用途有哪些

氮化鎵（GaN）芯片是一種新型的半導體材料，由氮化鎵制成。它具有許多優(yōu)越的特性，例如高電子遷移率、高耐壓、高頻特性和低電阻等，這使得它在許多領域有著廣泛...

2024-01-10 標簽：芯片半導體材料氮化鎵 3.5k 0

氮化鎵是什么化合物類型

氮化鎵是一種無機化合物，化學式為GaN，它由鎵和氮元素組成。氮化鎵具有許多重要的物理和化學性質，使其在科學研究和工業(yè)應用領域中具有廣泛的應用。氮化鎵是...

2024-01-10 標簽：傳感器光電器件化合物 3.1k 0

SiC和GaN市場未來如何發(fā)展

氮化鎵融資方面，今年融資數(shù)量最多的反倒是材料細分領域，相關材料企業(yè)有晶湛半導體、進化半導體、鎵仁半導體。其中士蘭明鎵融資規(guī)模最大，達12億人民幣，投資方...

2024-01-10 標簽：智能電網光伏 SiC 628 0

氮化鎵的發(fā)展難題及技術突破盤點

同為第三代半導體材料，氮化鎵時常被人用來與碳化硅作比較，雖然沒有碳化硅發(fā)展的時間久，但氮化鎵依舊憑借著禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、飽和電子漂移速度...

2024-01-10 標簽：半導體氮化鎵 MOCVD 4.7k 0

氮化鎵功率器件結構和原理

氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結構和原理。一、氮化鎵功率器件結構氮化鎵功率器件的主...

2024-01-09 標簽：控制器功率器件 GaN 6.5k 0

簡單認識功率器件

功率器件 (Power Devices) 通常也稱為電力電子器件，是專門用來進行功率處理的半導體器件。功率器件具有承受高電壓、通過大電流的能力，處理電壓...

2024-01-09 標簽：二極管晶體管功率器件 3.6k 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢及應用

傳統(tǒng)的硅基功率器件在應對這一挑戰(zhàn)時，其性能已經接近極限。碳化硅（SiC）功率器件的出現(xiàn)，為電力電子行業(yè)帶來了革新性的改變，成為了解決這一問題的關鍵所在。

2024-01-06 標簽：功率器件 SiC 氮化鎵 856 0

航空航天領域中的GaN功率器件（下）

由于宇航電源整體及其組件面臨的綜合挑戰(zhàn)，GaN功率器件的全面應用至今尚未達成。但是，隨著GaN功率器件輻照強化及驅動方式的創(chuàng)新改良，宇航電源將會得到更大...

2024-01-05 標簽：電源半導體 GaN 1.8k 0

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藍牙5是藍牙技術聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍牙標準。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發(fā)射和接收設備之間的有效工作距離可達300米。
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