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無線充電器設計原理圖

多線圈矩陣與GaN技術革新無線充電，提升效率與空間自由度。

2026-01-19 標簽：無線充電技術 GaN器件 332 0

Texas Instruments LMG2650EVM-100子卡評估模塊數據手冊

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2025-07-08 標簽：評估模塊 GaN器件 Instruments 688 0

從型號看實力！仁懋GaN器件命名規則全解析

型號背后的技術密碼仁懋氮化鎵（GaN）器件型號采用"三段式編碼規則"，通過字母與數字組合精準傳遞技術參數。示例型號：MOTGE65R...

2025-05-06 標簽：GaN器件仁懋電子 794 0

氮化鎵技術驅動的高效逆變器設計：硅與GaN器件的比較分析

通過重新設計基于氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)的IGBT和MOSFET解決方案，DRS優化的車輛逆變器性能使開關頻率提高了四倍，減少了體積和重量...

2025-04-22 標簽：逆變器氮化鎵 GaN器件 1k 0

基于LMG3410R070 UCD3138A 和 UCD7138的HV GaN FET的24V/500W諧振轉換器參考設計

此參考設計是高頻諧振轉換器參考設計。使用諧振頻率為 500 kHz 的諧振電路，輸出電壓調節至 24 V，輸入電壓范圍為 380 V 至 400 V。此...

2025-02-26 標簽：輸出電壓 FET 諧振電路 984 0

用戶指南#LMG34XX-BB-EVM適用于 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系統級評估主板

LMG34XX-BB-EVM 是一款易于使用的分線板，可將任何 LMG341x 半橋板（如 LMG3410-HB-EVM）配置為同步降壓轉換器。通過提供...

2025-02-26 標簽：邏輯電路熱管理偏置電源 1.3k 0

PMP21842 采用 HV GaN FET 的 12V/500W諧振轉換器參考設計

此高頻諧振轉換器參考設計使用諧振頻率為 500kHz 的諧振電路，在 380V 至 400V 輸入電壓范圍內調節 12V 輸出。使用我們的高壓 GaN ...

2025-02-25 標簽：諧振轉換器偏置電源同步整流器 985 0

EVM用戶指南：LMG2650EVM-100 LMG2650半橋子卡評估模塊

LMG2650EVM-100 旨在提供一個快速簡便的平臺，用于評估任何半橋拓撲中的 TI 集成 GaN 器件。該板設計為使用板底部邊緣的 6 個電源引腳...

2025-02-24 標簽：電源拓撲引腳 1.3k 0

LMG2640子卡評估模塊LMG2640EVM-090介紹

LMG2640 子卡評估模塊（EVM）旨在提供一個快速簡便的平臺，以評估任何半橋拓撲中的 TI 集成 GaN 器件。該板設計為使用板底部邊緣的 6 ...

2025-02-21 標簽：電源數字控制引腳 944 0

GaN可靠性測試新突破：廣電計量推出高壓性能評估方案

氮化鎵（GaN），作為一種具有獨特物理和化學性質的半導體材料，憑借卓越的功率轉換效率、超快的開關速度以及出色的耐高溫性能，在5G通信、新能源汽車、數據中...

2024-11-28 標簽：SiC GaN 可靠性測試 1.5k 0

淺析電源功率模組完整的設計和驗證流程

電動汽車、新能源、光伏、風電等領域廣泛使用高功率開關電源功率模組。IGBT和MOSFET是模組中常用器件。

2024-05-07 標簽：電動汽車 IGBT 電磁兼容性 2.2k 0

聚焦大功率氮化鎵（GaN）器件及其在實際應用中所面臨的相關熱問題

熱設計是一個至關重要的課題，其中的各種規則、縮略語和復雜方程時常讓人感到它似乎是個深不可測的神秘領域；

2024-04-24 標簽：集成電路 PCB板 QFN封裝 2.6k 0

氮化鎵技術發展現狀分析

GaN器件的功率密度是砷化鎵(GaAs) 器件的十倍。GaN器件的更高功率密度使其能夠提供更寬的帶寬，更高的放大器增益和更高的效率,這是由于器件外圍更小。

2023-08-21 標簽：放大器導通電阻氮化鎵 781 0

半導體，微電子，集成電路都是什么關系？

半導體產業往往指以半導體材料為基礎的整個產業鏈生態，這里可以包括半導體材料的生產（屬于化學產業），利用半導體材料生產加工的產業，幫助半導體材料生產加工的...

2023-07-11 標簽：半導體驅動芯片 CMOS反相器 9.7k 0

從模塊電源技術發展角度看模塊電源的統型與選型

模塊電源（BMP）因其高效、安全、可靠、系統升級容易等特點，廣泛的應用于工業自動化、繼電保護、配網自動化、軌道交通、汽車電子、航空航天等高可靠性高性能的領域。

2023-06-19 標簽：電磁兼容 BMP PCB工藝 2.5k 0

AIGC可編輯的圖像生成方案

ControlNet給出的實驗結果實在是過于驚艷了，近期視覺領域最讓人興奮的工作。

2023-03-03 標簽：Clip GaN器件 OpenAI 4.8k 0

硅基氮化鎵用途

當前軍事與航天領域是氮化鎵技術最大的市場。最早就是在美國國防部的推動下，開始了氮化鎵技術的研究，慢慢地就行成了現在GaN器件的市場。據統計，軍事和航天領...

2023-02-12 標簽：雷達硅基氮化鎵技術 GaN器件 924 0

全電飛機航空電子系統的設計方案解析

SOI獨特的“Si/絕緣層/Si”三層結構，帶來了諸多優勢：首先，“絕緣埋層”實現了器件功能有源部分和襯底的全介質隔離，減小了寄生電容，開關頻率得以提高。

2023-01-10 標簽：電機驅動 SiC 碳化硅 4.1k 0

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