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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。（關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù)）

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dram技術(shù)

一文了解新型存儲(chǔ)器MRAM

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRA...

2023-04-19 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 RAM 4.9k 0

FPGA循環(huán)并行化應(yīng)用于先前任務(wù)并行化的推理內(nèi)核

此外，當(dāng)前內(nèi)核的外部?jī)?nèi)存訪問效率低下，因此內(nèi)存訪問也是瓶頸。在這種狀態(tài)下，即使進(jìn)行循環(huán)并行化，內(nèi)存訪問最終也會(huì)成為瓶頸。

2023-04-17 標(biāo)簽：fpga DRAM 存儲(chǔ)器 2k 0

淺談EUV光刻中的光刻膠和掩模等材料挑戰(zhàn)

新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開發(fā)，必須通過精心設(shè)計(jì)的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進(jìn)行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑...

2023-04-13 標(biāo)簽：DRAM IC制造 IMEC 3k 0

CXL內(nèi)存基于微基準(zhǔn)的特性研究和最佳實(shí)踐

隨著線程數(shù)的增加，在每個(gè)方案上運(yùn)行DLRM推理都是線性的，并且斜率不同。DDR5-R1和CXL存儲(chǔ)器的總體趨勢(shì)相似，這與第4.3.2節(jié)中的觀察結(jié)果一致

2023-04-12 標(biāo)簽：DRAM 深度學(xué)習(xí) 862 0

一文了解新型存儲(chǔ)技術(shù)

萬物智聯(lián)時(shí)代的到來，大幅提升了人工智能 (AI) 及邊緣計(jì)算 (Edge Computing)等巨量運(yùn)算架構(gòu)的應(yīng)用需求。但是傳統(tǒng)存儲(chǔ)器均在耗電量、數(shù)據(jù)訪...

2023-04-12 標(biāo)簽：DRAM NAND FlaSh 2.2k 0

漫談交換式電源的原理與設(shè)計(jì)

我們花了十多次的篇幅，說明了常用的交換式電源的原理。從可以升壓的 boost converter 開始，到降壓用的 buck converter，我們用...

2023-04-04 標(biāo)簽：模擬電路 DRAM 輸出電壓 2.3k 0

我們常用存儲(chǔ)器知道有哪些嘛

存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)介質(zhì)特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲(chǔ)器，一類是非易失性存儲(chǔ)器。從計(jì)算機(jī)角度上看，易失性存儲(chǔ)器可以理解為內(nèi)存，而非易性存儲(chǔ)器可以理解為硬盤。

2023-03-30 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 sram 3.4k 0

單晶硅刻蝕工藝流程

FinFET三維器件也可以用體硅襯底制作，這需要更好地控制單晶硅刻蝕工藝，如CD、深度和輪廓。

2023-03-30 標(biāo)簽：CMOS DRAM AFM 5.8k 0

SRAM存儲(chǔ)器的工作原理

SRAM也是易失性存儲(chǔ)器，但是，與DRAM相比，只要設(shè)備連接到電源，信息就被存儲(chǔ)，一旦設(shè)備斷開電源，就會(huì)失去信息。這個(gè)設(shè)備比DRAM要復(fù)雜得多，...

2023-03-21 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 sram 1.2萬 0

聊一聊IC領(lǐng)域中的SRAM

在IC領(lǐng)域，SRAM（Static Random-Access Memory）是一種靜態(tài)的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器?！办o態(tài)”是相對(duì)于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）...

2023-03-21 標(biāo)簽：DRAM IC 存儲(chǔ)器 3.6k 0

基于DDR4討論DRAM的顆粒容量規(guī)格

地址線最多的是 16Gb 容量的 x4 顆粒，使用 A0-A17 地址線。需要注意的是所有 PHY 都會(huì)有 A0-A16 （因?yàn)?RAS\_n 復(fù)用為 ...

2023-03-15 標(biāo)簽：DRAM DDR4 7.8k 0

結(jié)合卷積層來創(chuàng)建一個(gè)完整的推理函數(shù)

首先輸入一張1x28x28的圖片，然后兩次通過Conv2d -> ReLU -> MaxPool2d提取特征，最后轉(zhuǎn)為linear，>...

2023-03-13 標(biāo)簽：DRAM 寄存器 SRAM芯片 1.3k 0

從DDR3到LPDDR4(X)，看產(chǎn)品細(xì)分差異優(yōu)化發(fā)展

DDR從誕生開始，就由于其在時(shí)鐘上升沿和下降沿均可進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，相較之前SDR單邊傳輸，以double date rate的速率優(yōu)勢(shì)，極大提高了帶寬，逐...

2023-03-08 標(biāo)簽：DRAM DDR3 時(shí)鐘 8.7k 0

用C語(yǔ)言實(shí)現(xiàn)一個(gè)全連接層和激活函數(shù)ReLU

全連接層是將輸入向量X乘以權(quán)重矩陣W，然后加上偏置B的過程。下面轉(zhuǎn)載第二篇的圖，能按照這個(gè)圖計(jì)算就可以了。

2023-03-03 標(biāo)簽：fpga DRAM sram 4.1k 0

什么是探針卡？有哪些類型呢？

探針卡（Probe card）或許很多人沒有聽過，但看過關(guān)于，也就是晶圓測(cè)試方面文章的人應(yīng)該不會(huì)陌生，其中就有提到過探針卡。

2023-02-27 標(biāo)簽：DRAM 晶圓探針卡 5.6k 0

單片機(jī)解密為什么是撬開芯片國(guó)產(chǎn)化的第一步呢

芯片國(guó)產(chǎn)化是中國(guó)在信息安全自主可控政策領(lǐng)域的實(shí)踐領(lǐng)域之一，作為信息技術(shù)的基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)，半導(dǎo)體集成電路持續(xù)得到國(guó)家政策的扶持。

2023-02-27 標(biāo)簽：集成電路 DRAM 存儲(chǔ)器 1.9k 0

AMD可以把內(nèi)存堆在CPU上嗎？

先進(jìn)制程工藝進(jìn)度緩慢的情況下，多芯片整合封裝成了半導(dǎo)體行業(yè)的大趨勢(shì)，各家不斷玩出新花樣。

2023-02-23 標(biāo)簽：amd 半導(dǎo)體 DRAM 1.7k 0

DRAM和NAND的局限性未來如何使用量子計(jì)算

“憑借先進(jìn)的封裝技術(shù)，一些公司已經(jīng)在 CPU 上堆疊 SRAM，”Lee 說?！暗窃?3 級(jí)之后，我們可以有 4 級(jí)，一個(gè)額外的緩存層嗎？根據(jù)工作負(fù)載...

2023-02-19 標(biāo)簽：DRAM NAND cpu 929 0

關(guān)于內(nèi)存的基本知識(shí)

內(nèi)存電路結(jié)構(gòu)** 首先，從電路結(jié)構(gòu)上看來，內(nèi)存分為DRAM和SRAM，DRAM由線陣列MOS管和電容組成

2023-02-17 標(biāo)簽：DRAM MOS管 sram 2.5k 0

淺談DDR內(nèi)存技術(shù)原理2

對(duì)于DRAM，其主要由行和列組成，每一個(gè)bit中都是由類似右下圖的類晶體管的結(jié)構(gòu)組成，對(duì)于sdram的數(shù)據(jù)，可以通過控制column和row就可以訪問s...

2023-02-15 標(biāo)簽：DRAM 晶體管 bit 3.7k 0

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德國(guó)易能森有限公司(EnOcean GmbH)是無線能量采集技術(shù)的開創(chuàng)者。2012年3月，國(guó)際電工技術(shù)委員會(huì)將EnOcean無線通信標(biāo)準(zhǔn)采納為國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)“ISO/IEC 14543-3-10”，這也是世界上唯一使用能量采集技術(shù)的無線國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。
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北京時(shí)間2017年2月26日，華為終端在巴塞羅那世界移動(dòng)通信大會(huì)2017（MWC）上發(fā)布發(fā)布了全新華為P系列智能手機(jī)——華為P10 & P10 Plus.
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　　華為Mate 9系列是華為推出的商務(wù)旗艦手機(jī)。華為Mate 9系列搭載麒麟960海思處理器，操作系統(tǒng)為基于Android 7.0深度定制的EMUI5.0。
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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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北京時(shí)間2015年9月10日，美國(guó)蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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公司在特別依賴分布式高性能計(jì)算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)在該細(xì)分市場(chǎng)持續(xù)保持全球第一的市場(chǎng)地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷全球一百多個(gè)國(guó)家和地區(qū)，深受用戶喜愛。
華天科技

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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測(cè)試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
東軟

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東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽(yáng)東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽(yáng)東大阿爾派軟件有限公司。
OLED電視

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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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