硅氧負極的工藝流程 CVD法的核心優勢

從本質上分析硅氧負極循環壽命更好的原理是：硅氧負極技術路線多用氧化亞硅，相較于單質硅顆粒，氧化亞硅（SiOx）在鋰嵌入過程中發生的體積膨脹較小，其循環穩...

2022-09-29 標簽：CVD 1.5萬 0

集成電路芯片制造中的3種硅化物工藝介紹

為了降低接觸電阻和串聯電阻，在集成電路制造中引入了硅化物工藝，業界先后采用了可規模生產的 WSi2 、TiSi2、CoSi2、NiSi 等工藝。

2022-11-21 標簽：串聯電阻CVD集成電路芯片 1.2萬 0

各種CVD材料介紹

Producer Black Diamond 3 系統設計為可與 應用材料公司的 Producer Nanocure 3 UV 固化系統配合使用。Nan...

2023-05-25 標簽：晶圓邏輯器件CVD 1.1萬 0

刻蝕工藝基礎知識簡析

刻蝕速率是測量刻蝕物質被移除的速率。由于刻蝕速率直接影響刻蝕的產量，因此刻蝕速率是一個重要參數。

2023-02-06 標簽：晶圓SEM電子顯微鏡 8k 0

模擬硅基片上的UHV/CVD及硅生長

化學氣相沉積 (CVD) 能夠生產出兼具高質量、高純度及高強度等優點的材料，因此在半導體行業非常受歡迎。超高真空化學氣相沉積涉及相當復雜的設備和極高的溫...

2018-06-02 標簽：CVD硅基片 6.1k 0

金剛石晶體的不同類型及應用梳理

金剛石是我們都非常熟悉的超硬材料，人造金剛石晶體有多種不同的類型，大致可分為單形和聚形，每種類型都具有不同的特性和應用。本文梳理了金剛石晶體的不同類型及應用。

2024-01-02 標簽：金剛石CVD 5.2k 0

磁場中的帶電粒子介紹

低頻功率時，離子所獲得的能量比在高頻功率獲得的能量稍高。低頻使離子有較多的反應時間，所以能把離子加速到具有較高的能量，也因此能夠提供更多的能量在離子轟擊上。

2022-12-07 標簽：電容耦合電磁場CVD 4.8k 0

CVD過程中的等離子工藝

CVD過程中，不僅在晶圓表面出現沉積，工藝室的零件和反應室的墻壁上也都會有沉積。

2022-12-27 標簽：HDPCVD 4.2k 0

等離子第一個電子是從哪里及如何產生的？

當兩個電極通過射頻高電壓時，它們之間就產生一個交流電場。如果射頻功率足夠高，自由電子受到交流電場的影響被加速，直到獲得足夠的能量和反應室中的原子或分子碰...

2022-11-21 標簽：ICPCVD 4.1k 0

等離子體刻蝕工藝簡介

鋁刻蝕可以使用多種不同的酸，其中最普遍的混合液是以磷酸(H3P04,80%)、醋酸(CH3COOH,5%)、硝酸(HN03,5%)和水(H20,10%)...

2023-02-17 標簽：PVDICPCVD 3.7k 0