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標簽 > GaN快充
氮化鎵(GaN)是一種高電子遷移率晶體管(HEMT),意味著GaN器件的臨界電場強度大于硅。GaN具有更小的Qg,可以很容易的提升頻率,降低驅動損耗。快充能在1~5h內使蓄電池達到或接近完全充電狀態的一種充電方法。
氮化鎵(GaN)是一種高電子遷移率晶體管(HEMT),意味著GaN器件的臨界電場強度大于硅。GaN具有更小的Qg,可以很容易的提升頻率,降低驅動損耗。
快充能在1~5h內使蓄電池達到或接近完全充電狀態的一種充電方法。
氮化鎵相比傳統硅基半導體,有著比硅基半導體出色的擊穿能力,更高的電子密度和電子遷移率,還有更高的工作溫度。
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