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      標簽　>　F-RAM

      F-RAM

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      　　F-RAM芯片包含一個鋯鈦酸鉛［Pb（Zr，Ti）O3］的薄鐵電薄膜，通常被稱為PZT。PZT 中的Zr/Ti原子在電場中改變極性，從而產生一個二進制開關。與RAM器件不同，F-RAM在電源被關閉或中斷時，由于PZT晶體保持極性能保留其數據記憶。這種獨特的性質讓F-RAM成為一個低功耗、非易失性存儲器。

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      F-RAM簡介

      　　鐵電隨機存儲器（F-RAM），相對于其它類型的半導體技術而言，鐵電隨機存儲器（F-RAM）具有一些獨一無二的特性。已經確定的半導體存儲器可以分為兩類：易失性和非易失性。易失性存儲器包括靜態隨機存取存儲器（SRAM）和動態隨機存取存儲器（DRAM）以及其他類型存儲器。RAM類型存儲器易于使用，高性能，但它們有著共同的弱點：在掉電的情況下會失去所保存的數據。

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