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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱(chēng)Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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目前市場(chǎng)已推出多種快充技術(shù)方案。其中PD方案的出現(xiàn)，助力推動(dòng)了快充產(chǎn)品的普及。在快速充電器中，變壓器為最重要元件，而氮化鎵則是不容忽視的重要材料。氮化鎵...
晶體管的主要材料是半導(dǎo)體材料，這些材料在導(dǎo)電性能上介于導(dǎo)體和絕緣體之間，具有獨(dú)特的電子結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，使得晶體管能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)電流的有效控制。以下將詳細(xì)探討晶體...
2024-08-15 標(biāo)簽：晶體管半導(dǎo)體材料氮化鎵 4.8k 0
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），近年來(lái)在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及...
GaN晶體管的基本結(jié)構(gòu)和性能優(yōu)勢(shì)
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），是近年來(lái)在電力電子和高頻通信領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注的一種新型功率器件。其結(jié)構(gòu)復(fù)雜而精細(xì)，...
如何使用GaN HEMT抽取Self-heating效應(yīng)和Trapping效應(yīng)模型參數(shù)？
氮化鎵(GaN)技術(shù)在5G基站、衛(wèi)星通信、國(guó)防系統(tǒng)和其他應(yīng)用中的迅速普及提高了晶體管建模的門(mén)檻。
氮化鎵快充電源ic U8722DE優(yōu)化系統(tǒng)輕載效率
氮化鎵快充電源ic U8722DE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路
2024-05-08 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)電路氮化鎵電源IC 2.1k 0
聚焦大功率氮化鎵（GaN）器件及其在實(shí)際應(yīng)用中所面臨的相關(guān)熱問(wèn)題
熱設(shè)計(jì)是一個(gè)至關(guān)重要的課題，其中的各種規(guī)則、縮略語(yǔ)和復(fù)雜方程時(shí)常讓人感到它似乎是個(gè)深不可測(cè)的神秘領(lǐng)域；
氮化鎵(GaN)功率集成電路(IC)開(kāi)發(fā)的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)
氮化鎵(GaN)功率器件以離散形式已在電源充電器的應(yīng)用領(lǐng)域得到廣泛采用。在電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，GaN高遷移率電子晶體管(HEMT)的諸多材料和器件優(yōu)勢(shì)也推動(dòng)...
氮化鎵具有許多內(nèi)在材料優(yōu)勢(shì)，如寬能隙和高電子遷移率。當(dāng)用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時(shí)，這些特性可用于獲得功率轉(zhuǎn)換性能優(yōu)勢(shì)，因?yàn)槠錈o(wú)反向恢復(fù)...
在5G和新能源汽車(chē)等新市場(chǎng)需求的驅(qū)動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體材料有望迎來(lái)加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無(wú)法完全滿(mǎn)足5G和新能源汽車(chē)的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半...
一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)—U8722
氮化鎵充電器是一種新型的快充技術(shù)，在充電速度、安全性做到了突破。
2024-04-09 標(biāo)簽：充電器氮化鎵驅(qū)動(dòng)電流 1.8k 0
led發(fā)光的顏色由什么決定 LED的發(fā)光原理
LED的發(fā)光過(guò)程主要包括載流子注入和復(fù)合兩個(gè)步驟。當(dāng)外加電壓施加在LED的正向偏置端時(shí)，電流通過(guò)LED的正向偏置結(jié)并注入到半導(dǎo)體材料中。
2024-03-22 標(biāo)簽：led半導(dǎo)體材料氮化鎵 5.3k 0
當(dāng)前流行的主流充電器和電源頭都是采用“開(kāi)關(guān)型”的電源模式，其核心的輸出效率和負(fù)載能力（輸出電流大小，恒壓）瓶頸就在內(nèi)部集成的開(kāi)關(guān)管的頻率。
2024-03-18 標(biāo)簽：充電器功率轉(zhuǎn)換氮化鎵 1.1萬(wàn) 0
四種將被氮化鎵革新電子設(shè)計(jì)的中壓應(yīng)用
除了業(yè)界已經(jīng)采用的高壓 GaN（額定值 >=600V）外，新的中壓 GaN 解決方案（額定值 80V-200V）也日益受到歡迎，可在高壓 GaN ...
集成柵極驅(qū)動(dòng)器的GaN ePower超快開(kāi)關(guān)
氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管在許多電力電子應(yīng)用中持續(xù)獲得關(guān)注，但氮化鎵技術(shù)仍處于其生命周期的早期階段【1】。雖然基本FET性能品質(zhì)因數(shù)還有很大的提升空間，但GaN...
2024-03-05 標(biāo)簽：氮化鎵GaN激光驅(qū)動(dòng)器 4.3k 0
為什么GaN被譽(yù)為下一個(gè)主要半導(dǎo)體材料？
擁有能夠在高頻下高功率運(yùn)行的半導(dǎo)體固然很好，但盡管 GaN 提供了所有優(yōu)勢(shì)，但有一個(gè)主要缺點(diǎn)嚴(yán)重阻礙了其在眾多應(yīng)用中替代硅的能力：缺乏 P -類(lèi)型。
2024-02-29 標(biāo)簽：CMOSNMOS半導(dǎo)體材料 1k 0
發(fā)光二極管是由什么材料制成的 發(fā)光二極管是半導(dǎo)體嗎
發(fā)光二極管（Light Emitting Diode，LED）是一種電子器件，可以將電能轉(zhuǎn)化為可見(jiàn)光。它由半導(dǎo)體材料制成，是一種先進(jìn)的光電器件。本文將詳...
為何及如何將氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管用于高效、高電壓、開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用
作者：Art Pini 投稿人：DigiKey 北美編輯 面對(duì)社會(huì)和監(jiān)管要求，電源效率一直是電子系統(tǒng)的優(yōu)先事項(xiàng)。特別是對(duì)于從電動(dòng)汽車(chē) (EV) 到高壓通...
近年來(lái)，隨著移動(dòng)設(shè)備的普及和科技的不斷進(jìn)步，人們對(duì)于充電速度和電池續(xù)航能力的需求也越來(lái)越高。PD快充和氮化鎵的出現(xiàn)，對(duì)于滿(mǎn)足人們對(duì)于充電速度和電池效能的...
2024-01-10 標(biāo)簽：筆記本電腦移動(dòng)設(shè)備氮化鎵 1.1萬(wàn) 0
Vivo是一家知名的中國(guó)智能手機(jī)制造商，其氮化鎵充電器和普通充電器之間存在許多區(qū)別。本文章將介紹這些區(qū)別，內(nèi)容將包括充電器的工作原理、快速充電能力、安全...
2024-01-10 標(biāo)簽：充電器半導(dǎo)體材料氮化鎵 5.6k 0
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