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      標簽　>　寬禁帶半導體

      寬禁帶半導體

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      碳化硅功率器件的電氣性能優勢

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      SiC材料具有兩倍于Si的電子飽和速度，使得SiC 器件具有極低的導通電阻（1/100 于Si），導通損耗低；SiC材料具有3倍于Si 的禁帶寬度，泄漏...

      2023-12-20 標簽：二極管功率器件氮化鎵 1k 0

      淺談英飛凌的碳化硅SiC戰略

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      在汽車和可再生能源領域，英飛凌已經獲得了重大的設計勝利，相關客戶的約10億歐元的預付款將有望在2024年和2025年的財政年度為其自由現金流做出貢獻。英...

      2023-11-27 標簽：英飛凌SiCGaN 815 0

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      寬禁帶半導體資訊

      TOPIC | 解鎖APCSCRM 2025 報告主題，邀請您11月25日鄭州見

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      2025-11-17 標簽：展會碳化硅寬禁帶半導體 1.7k 0

      華大半導體旗下飛锃半導體獲評國家級專精特新“小巨人”企業

      近日，工業和信息化部正式公布第七批國家級專精特新“小巨人”企業名單， 華大半導體旗下飛锃半導體（上海）有限公司憑借在寬禁帶半導體材料與器件領域的突出技術...

      2025-10-27 標簽：碳化硅華大半導體寬禁帶半導體 709 0

      【Join APCSCRM 2025】把握寬禁帶半導體前沿趨勢，全球領袖匯聚鄭州，11月見

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      2024-08-12 標簽：半導體寬禁帶半導體 1.9k 0

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