金屬Cr詳解

在光刻過程中，鉻被用作掩膜版的關(guān)鍵材料。鉻在紫外光下表現(xiàn)出高光學(xué)密度，可以有效阻擋光線。在石英基板上通過PVD等方法均勻地沉積一層薄的鉻，在其上涂覆一層...

2023-11-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻金屬 8k 0

ASML攜全景光刻解決方案亮相進(jìn)博會

第六屆進(jìn)博會于近日在上海國家會展中心正式收官，ASML2023進(jìn)博之旅也圓滿落幕! 今年，ASML繼續(xù)以“光刻未來，攜手同行”為主題，攜全景光刻解決方案...

2023-11-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓光刻 1.8k 0

光刻可制造性檢查如何檢測掩模版質(zhì)量

隨著工藝節(jié)點(diǎn)不斷變小，掩模版制造難度日益增加，耗費(fèi)的資金成本從數(shù)十萬到上億，呈指數(shù)級增長，同時生產(chǎn)掩模版的時間成本也大幅增加。如果不能在制造掩模版前就保...

2023-11-02 標(biāo)簽：探測器晶圓光刻 2.6k 0

淺談芯片制程工序中片內(nèi)&片間均勻性的定義和計算

均勻性是衡量工藝在晶圓上一致性的一個關(guān)鍵指標(biāo)。比如薄膜沉積工序中薄膜的厚度；刻蝕工序中被刻蝕材料的寬度，角度等等，都可以考慮其均勻性。

2023-11-01 標(biāo)簽：晶圓光刻半導(dǎo)體工藝 6.9k 0

半導(dǎo)體制造領(lǐng)域光刻膠的作用和意義

光刻是半導(dǎo)體加工中最重要的工藝之一，決定著芯片的性能。光刻占芯片制造時間的40%-50%，占其總成本的30%。光刻膠是光刻環(huán)節(jié)關(guān)鍵耗材，其質(zhì)量和性能與電...

2023-10-26 標(biāo)簽：芯片pcb芯片制造 1.5k 0

光學(xué)光刻技術(shù)有哪些分類 光刻技術(shù)的原理

光學(xué)光刻是通過廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結(jié)構(gòu)圖形畫在涂有光刻膠的硅片上，通過光的照射，光刻膠的成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而生成電路圖。限...

2023-10-24 標(biāo)簽：芯片集成電路芯片制造 1.9k 0

Bumping工藝流程工作原理 光刻工藝原理和流程

Bumping工藝是一種先進(jìn)的封裝工藝，而Sputter是Bumping工藝的第一道工序，其重要程度可想而知。Sputter的膜厚直接影響B(tài)umping...

2023-10-23 標(biāo)簽：超聲波光刻封裝工藝 3.2k 0

聊聊芯片設(shè)計、流片那些事

晶圓廠每年都會有固定的幾次MPW機(jī)會，叫Shuttle （班車），到點(diǎn)即發(fā)車，是不是非常形象不同公司拼Wafer，得有個規(guī)則，MPW按SEAT來鎖定面積...

2023-10-10 標(biāo)簽：MPW芯片設(shè)計光刻 4k 0

半導(dǎo)體制造之光刻原理、工藝流程

光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹脂三種主要成分組成，是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化...

2023-10-09 標(biāo)簽：電路圖光刻光刻機(jī) 5.7k 0

芯片架構(gòu)計算任務(wù)改變對計算架構(gòu)的需求

漸進(jìn)式改進(jìn)與性能的巨大飛躍相結(jié)合，雖然這些改進(jìn)將計算和分析能力提升到全新水平，但也需要全新的權(quán)衡考慮。這些變革的核心在于高度定制的芯片架構(gòu)，芯片是在最先...

2023-09-27 標(biāo)簽：傳感器芯片內(nèi)存 1.7k 0

極紫外 (EUVL) 光刻設(shè)備技術(shù)應(yīng)用分析

歐洲極紫外光刻（EUVL）技術(shù)利用波長為13.5納米的光子來制造集成電路。產(chǎn)生這種光的主要來源是使用強(qiáng)大激光器產(chǎn)生的熱錫等離子體。激光參數(shù)被調(diào)整以產(chǎn)生大...

2023-09-25 標(biāo)簽：濾波器激光器光刻 2.8k 0

DUV與EUV***的芯片加工流程詳解

SSMB就產(chǎn)生了和FEL類似的“微聚束”，但是關(guān)鍵還加上了“穩(wěn)態(tài)”。FEL不是穩(wěn)態(tài)，電子團(tuán)在波蕩器里自由互相作用，最后發(fā)出強(qiáng)光完事。SSMB是讓電子束在...

2023-09-22 標(biāo)簽：芯片芯片制造光刻 4.7k 0

考慮光刻中厚掩模效應(yīng)的邊界層模型

短波長透明光學(xué)元件的缺乏限制了深紫外光刻中的可用波長，而晶片上所需的最小特征繼續(xù)向更深的亞波長尺度收縮。這對用入射場代替掩模開口上的場的基爾霍夫邊界條件...

2023-08-25 標(biāo)簽：光刻掩模 1.2k 0

研究人員制造出直徑近30厘米的光學(xué)超表面

再見鏡頭，你好超表面。所謂的超表面可以幫助使光學(xué)系統(tǒng)在未來變得更薄，同時增加其功能。 到目前為止，傳統(tǒng)的制造工藝通常只能實(shí)現(xiàn)小的超表面，通常小于一平方毫...

2023-08-07 標(biāo)簽：光刻電子束 1.3k 0

光刻技術(shù)的發(fā)展如何彎道超車或者換道超車

三十年來，半導(dǎo)體掩模技術(shù)基本保持不變，掩模的制作是在可變成形機(jī)上進(jìn)行的，這些機(jī)器將可變元件限制在 45 度角。隨著功能縮小并變得更加復(fù)雜，電子束和多束掩...

2023-08-01 標(biāo)簽：光刻EUV光刻膠 937 0

cmp是什么意思 cmp工藝原理

CMP 主要負(fù)責(zé)對晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個相互獨(dú)立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長、擴(kuò)散、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光、金屬化 C...

2023-07-18 標(biāo)簽：光刻CMP晶圓制造 2.5萬 1