接下來我們討論一下 Igs 電流。

由于下拉電阻 R2 比柵極驅動電阻 R3 大很多，所以，接下來分析 時忽略掉下拉電阻，這個時候就要看電容了。剛開始充電的是時候， 電容的電壓為 0。所以，最開始的充電電流就是 12V/100R=120mA，這 就是 Igs 最開始的充電電流

如果 GS 電容的電充滿了，對于 R2 下拉電阻這條電路而言 的電流就是 12V/18K=0.67mA，是一個特別小的電流。通過分析，我 們知道，Igs 電流是和 Vgs 電壓是反過來的

上面這張圖包含了 MOSFET 相關的一些波形關系，當然也是理想的 波形圖。另外，還有朋友在實測時，發現 Vds 電壓波形與 Id 的電流 波形是不同相位的，電流滯后于電壓，這是由于電流探頭精度不高引 起的。電流探頭上有一個頻率，如果是 Hz 級別的，肯定是不行的， 測不準的。電流能響應的開關頻率要高才行，這樣的探頭要 1 萬元左 右，而且是有源電流探頭，而價格低的電流探頭延時性就很大

雖然當米勒平臺區過了之后，Vgs 的電壓會繼續升高，但是隨著 Vgs 的不斷升高，Rdson 還是會有變化，只有達到一定的電壓了，Rdson 才會達到數據手冊上所宣稱的阻值。實際上，根據大量的經驗，一般我們認為當 Vgs 兩端的電壓達到 10V 以上時，Rdson 才會達到最小值， 如果再給一個余量的話，建議 Vgs 驅動電壓差不多 12V 或 15V，這也 是因為這兩個電壓經常在電路中用到

我們通過分析知道，MOSFET 的米勒平臺區域是最危險的區域。那 么在整個 MOSFET 一個周期內，它的損耗有哪些呢？

t0-t1 時刻，無損耗；

t1-t2 時刻，有損耗，用平均電流 Id/2*Vds；

t2-t3 時刻，有損耗，用平均電壓*Id；

t3-飽和導通時刻，有損耗；

飽和導通之后，導通損耗，Rdson*Id^2。

關斷波形和開通是接近的，這里就不作分析了

由于 MOSFET 在開通期間，既有電壓又有電流，則存在開通損耗； 那么在關斷期間，也會有損耗，叫做關斷損耗

總結一下，MOSFET 的四大損耗：開通損耗、關斷損耗、導通損耗、 續流損耗

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