接下來我們繼續研究下面這幅圖。

在 t2~t3 期間：放大區

在 t3 之后：飽和區

當飽和之后，Rdson 很小，分壓下來，漏極電壓就會很低

理論上 Vds 直線下降，但事實上是非線性的。在實際測試波形時， 中間那一段非線性不一定能測得出來。那么，在 t3 時刻之后，Vds 的曲線就如下圖所示

接下來討論 t3 時刻之后，米勒效應就消失，固有轉移特性結束

當米勒效應消失，就只有原來的紅色這條回路了

實際上米勒電容和電壓也有關系，Crss 電容不是一成不變的，與 漏極的電壓也有關系，漏極電壓越高，效應越明顯；漏極電壓越低， 效應不明顯。這就是為什么高壓的管子怕米勒效應，低壓的管子不怕， 這都是和漏極電壓有關系的。結論：高壓系統中的管子，越要注意米 勒效應。理論上講，t3 時刻之后，Vds 就是 Rdson 兩端的壓降，待會 兒再討論這個壓降還會受什么因素的影響

我們知道，在米勒平臺之后，只有紅色這一條回路，Vgs 電壓繼續 上升，最終充到 12V

對于 MOS 管來說，放大區是危險區域。那么進入飽和區之后，還 要深入去研究 Rdson，也就是說，在飽和區內 Rdson 還會受到 Vgs 電 壓幅值的影響。為什么呢？理論上講，過了平臺區就完全飽和了，而 平臺區的電壓比如說 4.5V，那么 5V 就完全飽和了啊。但事實上，由 于 MOSFET 內在的特性，Rdson 還沒達到最小，隨著 Vgs 兩端電壓幅 值的升高，Rdson 還會繼續降低。那么，是不是 Vgs 越大越好呢？實 際上，當電壓大于 10V 時，Rdson 就變化不那么明顯了。所以，一般 我們都用 12V 15V 作為 Vgs 的驅動電壓，一般情況下，Vgs 不要超過 ±20V，否則管子會損壞。那么，一般為了降低導通損耗，就需要提高 Vgs，這是因為 P=I^2*Rdson

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