超鏈接引導(dǎo)

行業(yè)圖譜

EMC保護(hù)方案大全

下載：國(guó)外品牌替代表EMC行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)雷卯實(shí)驗(yàn)室免費(fèi)測(cè)試?yán)酌a(chǎn)品規(guī)格書(shū)講解

MOSFET柵極與源極間的SiO?氧化層是器件核心，厚度僅數(shù)納米，一旦承受電壓超閾值（Si MOSFET±30V、SiC MOSFET+30V/-10V），就會(huì)發(fā)生永久性擊穿。雷卯EMC小哥在數(shù)百個(gè)儲(chǔ)能、工業(yè)控制項(xiàng)目中發(fā)現(xiàn)，70% 的MOSFET失效都與柵氧化層浪涌擊穿相關(guān)，且該失效完全不可逆。

VGS 過(guò)壓：瞬態(tài)浪涌的致命威脅

MOSFET 對(duì) VGS 電壓有明確限定：穩(wěn)態(tài)電壓常見(jiàn) ±20V（部分 ±30V），瞬態(tài)電壓多為 ±30V，而實(shí)際驅(qū)動(dòng)電壓多在 12V~15V。但 ESD 靜電、感性負(fù)載斷開(kāi)、PCB 寄生電感耦合等引發(fā)的 ns 級(jí)瞬態(tài)浪涌，極易導(dǎo)致 VGS 超限。
這類沖擊會(huì)通過(guò) Fowler-Nordheim 隧穿效應(yīng)破壞柵極超薄氧化層，導(dǎo)致導(dǎo)通電阻增大、閾值電壓漂移、柵極漏電流上升，最終表現(xiàn)為開(kāi)關(guān)異常、靜態(tài)功耗增加等故障。與漏極雪崩擊穿不同，柵極氧化層無(wú)能量吸收能力，擊穿即意味著器件報(bào)廢。

TVS 選型：精準(zhǔn)防護(hù)核心方案

1. 無(wú)負(fù)壓驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景：優(yōu)先選擇單向TVS

負(fù)向鉗位相當(dāng)于二極管正向?qū)▔航担╒f=0.7V），防護(hù)效果優(yōu)于雙向TVS
典型VRWM選型：15V~18V，VC范圍24.4V~29.2V

2．有負(fù)

壓驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景：選用雙向TVS

雷卯雙向TVS具備對(duì)稱鉗位特性，可同時(shí)防護(hù)正負(fù)向過(guò)壓，適配復(fù)雜驅(qū)動(dòng)需求。

3. SiC MOSFET：

非對(duì)稱防護(hù)方案

SiC MOSFET負(fù)向耐壓僅-10V，且易受高電場(chǎng)應(yīng)力影響導(dǎo)致參數(shù)退化，需針對(duì)性防護(hù)，雷卯電子推出非對(duì)稱TVS防護(hù)方案，通過(guò)正負(fù)向差異化的鉗位設(shè)計(jì)，完美適配SiC MOSFET需求：
正向：VRWM=15V~20V，VC=18.57V~26.40V（@Ipp）
負(fù)向：VRWM=-6V，VC=-10.3V（@Ipp）

MOSFET的柵極防護(hù)需基于失效機(jī)理精準(zhǔn)設(shè)計(jì)，雷卯電子通過(guò)單向、雙向TVS產(chǎn)品，覆蓋通用MOSFET與SiC MOSFET的防護(hù)需求，從選型到應(yīng)用提供全流程技術(shù)支持。