資料介紹
我們知道了三極管 MOS 管在進入飽和導通之前,必然會經(jīng)過放大 區(qū)。好在三極管經(jīng)過放大區(qū)的時間很短,但是 MOS 管在米勒平臺這段 區(qū)域的時間會更長,也會更容易損壞。

上面是 Vgs 波形,接下來我們來看 Vds 波形是什么樣子的

我們知道當 Vgs 電壓達到 Vth 時,MOS 管進入放大導通區(qū) 域,而此時 D 端的電位會從原來的 200V 在 t1~t2 期間內(nèi)會有略微的下降。

同時,我們也知道,在 Vgs 電壓達到 Vth 時,Id 開始有電流了

我們通過固有轉(zhuǎn)移特性知道,Vgs 和 Id 成比例變化的,所以在米 勒平臺區(qū)域 Id 電流也是幾乎沒有變化,理想情況下,我們就認為它 們是不變的

到了某一時刻(t3),米勒平臺效應就會結(jié)束。在米勒平 臺期間,MOS 管的 DS 內(nèi)阻 Rdson 在逐漸變小


工作在米勒平臺區(qū)域,與工作在平臺后的區(qū)域,管子的功耗問題
工作在米勒平臺區(qū)域:管子內(nèi)阻雖然在變小,但是還是很大。由于電 流都是最大,所以功耗大
工作在平臺區(qū)域之后:由于 Rdson 極小,所以功耗小
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