3 月 19 日星期日至 3 月 23 日星期四，佛羅里達州奧蘭多橘郡會議中心

【2023年3月13日，英國劍橋訊】Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環保技術半導體公司，致力于開發一系列節能的氮化鎵 (GaN) 功率器件，旨在打造更環保的電子元件。該公司將在應用電力電子會議暨展覽會 (APEC) 上展示多篇論文，分享關于可持續發展的策略觀點并深入進行技術分析。公司主管人員將在大會上主持兩場會議。CGD 將在305號展位上展示通過驗證的參考設計和評估板，及新建立的 GaN 合作伙伴生態系統。
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CGD 將在 APEC 上展示四篇論文：

l 3 月 21 日星期二，上午 11:05-11:30 –“GaN 動態 Rds(ON) 概述和 0V GOFF 在實際應用中的量化性能優勢”。
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l 3 月 21 日星期二，上午 11:05-11:30 –“運用 GaN 實現碳減排目標”。
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l 3 月 21 日星期二，下午 1:30-2:00 – 參展商研討會：“ICeGaN? 650V 功率 GaN IC 助力高功率應用實現全新水平的效率、耐用性和可靠性”。
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l 3 月 23 日星期四，下午 3:00-3:25 –“具有出色柵極過壓耐受性的 GaN HEMT”。
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美洲分公司業務開發部副總裁 Peter Di Maso 將在 3 月 23 日星期四上午 8:30（美國東部標準時間）主持以 WBG 應用為題的 IS19 會議，另外應用工程總監 Peter Comiskey 將在 3 月 23 日下午 1:45（美國東部標準時間）主持以寬帶隙 (WBG) 裝置為題的 IS25 會議。
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CGD 將在 305 號展臺上進行一系列展示，包括業界首個簡單易用且可擴展的 650V GaN HEMT 系列。ICeGaN? H1 單晶片 eMode HEMT 可像 MOSFET 一樣驅動，不需要特殊的柵極驅動器、復雜且有損耗的驅動電路，沒有負電壓電源要求，也不需要額外的鉗位元件。展示內容包括半橋、350W LLC、350W PFC、65W QRF 和 3kW LLC 評估電路，此外還有熱特性展示，以及與 Neways 合作使用 GaN 開發的 3kV 光電太陽能逆變器樣品展示。
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關于 Cambridge GaN Devices
Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠半導體公司，由來自劍橋大學的 Florin Udrea 教授和 Giorgia Longobardi 博士于 2016 年創立，旨在探索功率器件的革命性技術。公司的使命是通過高效易用的 GaN 解決方案為日常生活帶來創新體驗。CGD 從事 GaN 晶體管和 IC 的設計、開發及商業化，從根本上改進器件能效和尺寸，并使其適合量產。CGD 擁有領先的創新技能和宏圖大志，不斷擴大知識產權組合，為 ICeGaN? 技術奠定了強大的基礎。除了數百萬的種子基金，以及 A 輪融資和現在的 B 輪私人融資，CGD 目前已有四個項目成功獲得 iUK、BEIS 和 EU (Penta) 的資助。CGD 團隊擁有深厚的技術和商業專業知識，在電力電子市場備受認可，擁有良好的業界口碑，促使公司的專利技術在初期便受到市場青睞。
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