大家清晰的了解GaN產品。 1．從氮化鎵GaN產品的名稱上對比 如下圖所示，產品GaN標示圖。納微：GaNFast Power ICs 是GaN 功率IC，而英諾賽科： E-Mode GaN FET
2020-05-12 01:31:00
27189 
。 因為太貴，買得起的用戶，在使用時也有嚴格的使用申請管控，用完即還；我們也一直沒能有機會對它有更多了解。 一家知名企業將麥科信光隔離探頭與泰克光隔離探頭進行了現場實測對比，并將對比結果分享給我們。? ▲麥科信光隔離探
2023-01-06 15:07:331621 
10 月 25 日，英飛凌科技股份公司今日宣布完成收購氮化鎵系統公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉換解決方案
2023-10-25 11:38:30794 
氮化鎵系統 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:054793 
目錄 什么是光隔離探頭？ 1. 新品探頭介紹 2. 高壓差分探頭 vs 光隔離探頭 3. 光隔離探頭的應用場景 寬禁帶半導體市場前景 光隔離探頭的典型測試案例——上管測試（high-side
2025-03-19 09:09:161616 
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
一直存在問題，導致其產品研制受阻；工程師尋求原廠FAE技術支持，因測試結果的數據與理論數據相差懸殊，原廠FAE懷疑客戶的測試手段可能存在問題，建議客戶采用麥科信公司的OIP系列光隔離探頭進行測試，讓
2023-02-01 14:52:03
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
被譽為第三代半導體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運用到通信、軍工領域，隨著技術的進步以及人們的需求，氮化鎵產品已經走進了我們生活中，尤其在充電器中的應用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年，電力電子領域將管理大約80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年，電力電子領域將管理大約80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當于30億千瓦時以上
2020-11-03 08:59:19
在所有電力電子應用中，功率密度是關鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發展極限，設計工程師現在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
相信最近關心手機行業的朋友們都有注意到“氮化鎵（GaN）”，這個名詞在近期出現比較頻繁。特別是隨著小米發布旗下首款65W氮化鎵快充充電器之后，“氮化鎵”這一名詞就開始廣泛出現在了大眾的視野中。那么
2025-01-15 16:41:14
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
晶體管如今已與碳化硅基氮化鎵具有同樣的電源效率和熱特性。MACOM 的第四代硅基氮化鎵 (Gen4 GaN) 代表了這種趨勢，針對 2.45GHz 至 2.7GHz 的連續波運行可提供超過 70
2017-08-15 17:47:34
。在此基礎上，增加單管激光器的發光區寬度和長度，單管激光器的光功率可以進一步提升，并結合正在發展的GaN激光器的光束整形和合束技術，將實現更高功率的激光器模組。氮化鎵激光器的應用也將更加廣泛。 垂直腔GaN
2020-11-27 16:32:53
GaN如何實現快速開關？氮化鎵能否實現高能效、高頻電源的設計？
2021-06-17 10:56:45
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
測試結果的準確性。
采用麥科信光隔離探頭MOIP200P的SiC MOSFET動態測試結果
客戶反饋
在SiC MOSFET的納秒級開關動態測試中，探頭180dB的共模抑制比有效抑制了高頻EMI干擾
2025-04-08 16:00:57
。在使用過程中，我們發現它的操作非常便捷。上電即測，校準時間感覺1秒都沒到就完成了，這種高效便捷的體驗讓我們在測試過程中真的節省了不少時間。
??
總的來說，麥科信MOIP系列光隔離探頭在我們的氮化鎵
2025-04-15 14:14:16
解決，故障碼無法清除。
測試過程
客戶現場測試圖
（1）傳感器排查：Mototek摩托車維修中心使用Micsig SATO1004（麥科信汽車診斷示波器SATO1004）先檢查了摩托車的新舊傳感器，檢測
2025-04-18 18:26:42
信已成功構建了覆蓋電壓、電流、隔離測量的完整測試方案，其核心設備組合包括：
MOIP系列光隔離探頭：采用SigOFIT?技術，支持100MHz-1GHz頻段±0.01V至±6250V差模信號測量
2025-05-09 16:10:01
，MHO1系列示波器可與MOIP系列光隔離探頭、高壓差分探頭、羅氏線圈及高頻交直流電流探頭等完美適配，靈活應對各種復雜的電路與電子測試場景，為電路開發與調試提供全面可靠的測試解決方案。
產品參數表
2024-11-05 11:21:08
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
CHA8107-QCB兩級氮化鎵（GaN）高功率放大器CHA8107-QCB 是 United Monolithic Semiconductors（UMS）推出的一款兩級氮化鎵（GaN）高功率放大器
2025-12-12 09:40:25
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
，傳統的硅功率器件的效率、開關速度以及最高工作溫度已逼近其極限，使得寬禁帶半導體氮化鎵成為應用于功率管理的理想替代材料。香港科技大學教授陳敬做了全GaN功率集成技術的報告，該技術能夠實現智能功率集成
2018-11-05 09:51:35
，尤其是2010年以后，MACOM開始通過頻繁收購來擴充產品線與進入新市場，如今的MACOM擁有包括氮化鎵（GaN）、硅鍺（SiGe）、磷化銦（InP）、CMOS、砷化鎵等技術，共有40多條生產線
2017-09-04 15:02:41
多個方面都無法滿足要求。在基站端，由于對高功率的需求，氮化鎵（GaN）因其在耐高溫、優異的高頻性能以及低導通損耗、高電流密度的物理特性，是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器（PA）芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
范圍；4.Vgs信號上升時間240ns左右。（以上數據通過截屏讀數）▲圖4：測試結果截屏結論1.客戶目標板設計合理，Vgs控制信號近乎完美；2.測試顯示Vgs信號無任何震蕩，共模干擾被完全抑制；3.OIP系列光隔離探頭測試氮化鎵半橋上管Vgs，沒有引起炸管。
2023-01-12 09:54:23
設計：第三代GaN（氮化鎵）系列模塊功率密度提升至120W/in3，較傳統方案縮小40%體積，封裝尺寸最小達6.8×3.0mm，節省布局空間，便于集成至緊湊的電機控制系統中。二、CNC機床主軸驅動
2026-01-04 10:10:11
電流中的諧波成份、MOSFET，IGBT芯片等管腳電流測試，專業推薦麥科信柔性電流探頭(羅氏線圈)RCP系列，其高帶寬、大電流測量能力與精確度高的特點，將為您的測試工作帶來全新的體驗。
無論是在電子設備的研發、生產還是維修過程中，它都能準確捕捉電流信號，助力輕松解決各種難題。
2024-01-31 16:56:59
麥科信DP系列高壓差分探頭可選帶寬為100MHz至500MHz，最大輸入差分電壓達7000Vpk，采用標準BNC接口設計，適用所有品牌示波器。控制模塊與信號盒采用高密度集成設計，僅 2cm 超薄
2025-07-07 20:45:43
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統的硅技術相比，不僅性能優異，應用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發和應用中，傳統硅器件在能量轉換方面，已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉換拓撲結構，從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位。『三點半說』經多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應用中常用的半導體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
7. Fly-Buck隔離電源和Fly-Back的電路比較高功率密度GaN伺服驅動器的設計 采用TI氮化鎵和電容隔離方案設計的伺服驅動器如圖8所示。LMG3410是集成了驅動的GaN FET功率級芯片
2019-03-14 06:45:08
從清華大學到鎵未來科技，張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守！近年來，珠海市鎵未來科技有限公司（以下簡稱“鎵未來”）在第三代半導體行業異軍突起，憑借領先的氮化鎵（GaN）技術儲備和不斷推出的新產品
2025-05-19 10:16:02
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
雙向器件，GaN BDS 的出現可以大大降低元器件的成本：無需工藝調整和 MASK 變動，通過合并漂移區和漏極及雙柵控制，即可實現單片集成的氮化鎵雙向器件（Monolithic Bi-Directional
2025-12-15 18:35:01
材料特性對比展開，通過泰克儀器測試英飛凌GaN器件來進行氮化鎵特性的測量與分析。方案配置：示波器MSO5+光隔離探頭TIVH08+電壓及電流探頭+電源和IGBT town 軟件第二步：電路設計和PCB
2020-11-18 06:30:50
導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
如何設計GaN氮化鎵 PD充電器產品？
2021-06-15 06:30:55
高CMRR的探頭測試對比情況：
測試方式：被測器件SiC開關，具有上、下管，Vce電壓500V左右，同時使用高壓差分探頭和光隔離探頭(使用麥科信光隔離探頭MOIP系列)同時連接上管Vge信號
2024-06-12 17:00:55
在德州儀器不斷推出的“技術前沿”系列博客中，一些TI最優秀的人才討論當今最大的技術趨勢以及如何應對未來挑戰等問題。相較于先前使用的硅晶體管，氮化鎵（GaN）可以讓全新的電源應用在同等電壓條件下以更高
2018-08-30 15:05:40
設計、功率轉換器研發、電子鎮流器測試，以及氮化鎵、碳化硅、IGBT半/全橋設備的設計與分析等專業領域，均發揮著不可或缺的作用。
四、服務與支持
麥科信為MOIP系列光隔離探頭提供完善的售后保障體系。探頭主體提供1年保修服務，并支持延保；光纖與衰減器（贈品）也提供3個月質保，非人為損壞可免費維修
2025-06-27 18:39:18
和功率因數校正 （PFC） 配置。 簡單的電路提供了將硅控制器用于GaN器件的過渡能力。對于單個氮化鎵器件，隔離式負 V一般事務（關閉）EZDrive?電路是一種低成本、簡單的方法，可以使用12V驅動器
2023-02-21 16:30:09
高新技術企業，專精特新企業。麥科信(Micsig)致力于信號測試測量領域前沿技術的研究和開發，尤其在示波器及示波器探頭產品領域我們一直走在創新的前沿，是平板示波器開創者，光隔離探頭引領者。 我們秉承使命
2024-11-07 16:22:21
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術，可實現更高的效率、顯著減小系統尺寸、更輕和于應用中取得硅器件無法實現的性能。那么，為什么關于氮化鎵半導體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關于氮化鎵技術
2023-06-25 14:17:47
問題
測試現場 下面現場測試圖中，展示的是麥科信高分辨率示波器MHO3系列MHO3-5004、光隔離探頭MOIP系列MOIP1000P、高壓差分探頭DP1502以及被測模塊。
在雙脈沖
2025-01-09 16:58:30
;amp; 上管Id電流 ● 客戶痛點： 使用碳化硅器件研發電源產品時，使用傳統差分探頭測量上管Vgs, 信號震蕩，難以分析定位問題 麥科信測試方案 ● 光隔離探頭MOIP系列
2024-10-31 17:04:15
重要作用。下圖展示的是鍺化硅和氮化鎵的毫米波5G基站MIMO天線方案，左側展示的是鍺化硅基MIMO天線，它有1024個元件，裸片面積是4096平方毫米，輻射功率是65dbm，與之形成鮮明對比的，是右側氮化
2019-04-13 22:28:48
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
，是氮化鎵功率芯片發展的關鍵人物。
首席技術官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業生涯中，長期擔任副總裁及更高級別的管理職位，并領導研發工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統的、基于硅材料的技術，創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
2021年2月19日努比亞官方商城上架了一款全新氮化鎵充電器產品：努比亞65W GaN Pro，這款產品是對之前努比亞在去年所發布的氮化鎵充電器系列進行的一次升級。其最大的變化就在于體積上的進一步優化，并且適應更多應用場景。
2021-02-20 10:43:033718 力科宣布推出新的DL-ISO 1 GHz高壓光隔離探頭和功率器件測試軟件，與高精度示波器 （HDO） 結合使用時，可提供最準確的氮化鎵 （GaN） 和碳化硅 （SiC） 功率半導體器件的電氣特性表征。
2022-04-13 15:04:024472 的行業痛點問題，安睿信科技現已推出基于國內氮化鎵功率器件。 英諾賽科InnoGaN?的INN650設計出一系列大功率充電器方案，例如：下面介紹的這款已投放市場批量生產應用的65w氮化鎵充電器方案。 GaN氮化鎵65W PD電源方案特點： （1）65W輸出
2022-06-02 15:32:523981 
未來已來，氮化鎵的社會經濟價值加速到來。 ? 本文介紹了鎵未來和納芯微在氮化鎵方面的技術合作方案。 鎵未來提供的緊湊級聯型氮化鎵器件與納芯微隔離驅動器配合，隔離驅動器保證了異常工作情況下對氮化鎵器件
2022-11-30 14:52:251383 
氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導體材料，是第三代半導體材料的典型代表， 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術及產業鏈已經初步形成，相關器件快速發展。第三代半導體氮化鎵產業范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導體器件芯片設計、制造、封測以及芯片等主要應用場景。
2023-02-07 09:36:562410 
氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬且在機械方面非常穩定的寬帶隙半導體材料。由于具有更高的擊穿強度、更快的開關速度，更高的熱導率和更低的導通電
阻，氮化鎵基功率器件明顯比硅基器件更優越。
氮化鎵晶體
2023-02-15 16:19:06
0 氮化鎵(GaN)是什么 氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高
2023-02-17 14:18:2412178 650 V、50 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:245 測試背景地點：國外某知名品牌半導體企業，深圳氮化鎵實驗室測試對象：氮化鎵半橋快充測試原因：因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管，需要對半橋上管控制信號的具體參數進行摸底測試測試探頭：麥科信OIP
2023-03-13 17:43:362080 
下游客戶的應用而占領市場。但是下游客戶面臨的應用場景復雜多樣，盡管芯片原廠提供了應用方案的原理圖、甚至是PCB參考設計，在下游客戶手中仍然會遇到各種各樣的技術難題
2023-03-13 17:43:581691 
重點摘要 GaN Systems第四代氮化鎵平臺 (Gen 4 GaN Platform) 幫助全球客戶在能源效率及尺寸微縮上突破瓶頸。 以業界領先的質量因子 (figures of merit
2023-09-28 09:28:32968 氮化鎵芯片的選用要從實際應用出發，結合實際使用場景，選擇最合適的氮化鎵芯片，以達到最佳的性能和效果。明確應用場景。首先要明確使用的具體場景，如音頻、視頻、計算還是其他應用場景。不同的場景對氮化鎵芯片的性能和特點要求不同，因此在選擇氮化鎵芯片時，要充分考慮應用的場景。
2023-10-26 17:02:181576 論文研究氮化鎵GaN功率集成技術
2023-01-13 09:07:473 ，氮化鎵芯片具有許多優點和優勢，同時也存在一些缺點。本文將詳細介紹氮化鎵芯片的定義、優缺點，以及與硅芯片的區別。 一、氮化鎵芯片的定義 氮化鎵芯片是一種使用氮化鎵材料制造的集成電路芯片。氮化鎵（GaN）是一種半導體
2023-11-21 16:15:3011012 作為當下熱門的第三代半導體技術，GaN在數據中心、光伏、儲能、電動汽車等市場都有著廣闊的應用場景。和傳統的Si器件相比，GaN具有 更高的開關頻率 與 更小的開關損耗 ，但對驅動IC與驅動電路設計也
2023-12-20 13:35:023623 
。 光隔離探頭是一種使用光學技術進行測量的探頭，它通過檢測光的傳播和反射來獲取關于被測物體的信息。與之相比，差分探頭主要通過電子信號的差異來檢測被測物體。下面將詳細介紹光隔離探頭相對于差分探頭的幾個優勢。 首先，
2024-01-08 11:42:191246 光隔離探頭的基本原理 光隔離探頭的作用? 光隔離探頭是一種用于光學系統中的重要器件，它具有隔離光信號的作用。在光學系統中，由于光線能夠在不同方向上傳播，當光線經過一系列的光學元件（如透鏡、波導等
2024-01-08 16:34:432394 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結構和原理。 一、氮化鎵功率器件結構 氮化鎵功率器件的主要結構是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:416141 對目前市場上的幾種主要氮化鎵芯片進行比較分析，幫助讀者了解不同型號芯片的特點和適用場景。 一、氮化鎵芯片的基本原理 氮化鎵（GaN）是一種硅基半導體材料，具有較高的載流子遷移率和較大的擊穿電場強度，使其具備優秀的高
2024-01-10 09:25:573841 麥科信高壓差分探頭MDP系列是一款基于光隔離探頭技術重新定義的高壓差分探頭。它采用先進的設計理念和工藝技術，具備超低底噪、優秀的幅頻特性和業內更高的共模抑制比，可輕松應對各種高頻高壓信號測試。
2024-01-18 15:06:311030 
本文要點氮化鎵是一種晶體半導體，能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開關速度更快、熱導率更高、導通電阻更低且擊穿強度更高。氮化鎵技術可實現高功率密度和更小的磁性。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是兩種
2024-07-06 08:13:181988 
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），近年來在多個領域展現出廣泛的應用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩定性以及低導通電阻等特性，使得GaN晶體管成為電力電子和高頻通信等領域的優選器件。以下將詳細闡述GaN晶體管的主要應用場景，并結合具體實例進行說明。
2024-08-15 11:27:203069 氮化鎵（GaN）和砷化鎵（GaAs）都是半導體材料領域的重要成員，它們在各自的應用領域中都展現出了卓越的性能。然而，要判斷哪個更先進，并不是一個簡單的二元對立問題，因為它們的先進性取決于具體的應用場景
2024-09-02 11:37:167234 信號在傳輸過程中不可避免地會受到各種干擾，本文將探討共模信號與差模信號的區別，以及共模抑制比(CMRR)的重要性。我們將解釋這些概念，并展示麥科信的SigOFIT光隔離探頭如何在氮化鎵(GaN)半橋
2024-09-23 14:11:241653 
隔離探頭和其他電壓，電流探頭系列。老朋友們對我們的發展感到激動，見證了麥科信的巨大發展。同時，我們也在加快全球化步伐，推動全球業務的迅速增長。
2024-11-26 17:06:461327 氮化鎵（Gallium Nitride，簡稱GaN）作為最新一代的半導體材料，近年來在電力電子應用領域引發了廣泛關注。其卓越的性能和獨特的優勢，使其成為實現高效電力轉換的重要選擇。
2024-11-27 17:06:204300 
的新技術和解決方案，同時在電源行業配套品牌頒獎晚會上，憑借硬核研發實力與超高品質的產品， 榮獲光隔離探頭卓越獎 。 現場直擊 論壇當天，麥科信(Micsig)展臺熱鬧非凡，大家圍繞電源技術實戰經驗各抒己見，更有專業大咖"有備而來"，帶著測試板現場使用光
2024-12-13 09:43:361862 
什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導體材料制造的新型電源適配器。相比傳統硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-27 07:20:334538 
在電子測量領域，光隔離探頭作為一種高性能的測試工具，因其獨特的電氣隔離特性和抗干擾能力而備受關注。品致和麥科信作為知名的電子測試測量品牌，各自推出了具有競爭力的光隔離探頭產品。 技術特性對比 品致
2025-03-07 14:23:21701 
是德科技（NYSE: KEYS ）開發了一種光隔離差分探頭系列，專門用于提高寬禁帶 GaN 和 SiC 半導體等快速開關器件的效率和性能測試。新的電壓探頭將在 2025 年應用電力電子會議（APEC）上展示，是德科技的展位號為 829，同時展示的還有是德科技的 MXR B 和 HD3 系列示波器。
2025-03-11 17:15:531045 在電子技術飛速發展的當下，每一次精準測量都如同為科技大廈添磚加瓦。光隔離探頭作為測量領域的關鍵角色，能有效隔絕電氣干擾，保障測量安全與精準。在眾多品牌中，PINTECH品致與麥科信的光隔離探頭
2025-05-14 15:57:10499 
在電子測量與信號傳輸領域，光隔離探頭作為保障系統安全、穩定運行的關鍵組件，其重要性日益凸顯。當面對復雜的電磁環境、高電壓或接地環路干擾時，光隔離探頭能有效切斷電氣連接，避免信號失真與設備損壞。接下來
2025-08-01 14:01:46624 
文章對比了光隔離探頭與高壓差分探頭，分析其工作原理、性能參數及適用場景，總結其技術差異與替代性。
2025-09-26 17:39:09371 2025年12月6日，第十六屆亞洲電源技術發展論壇在深圳圓滿落幕。在大會頒獎環節中，麥科信科技憑借在光隔離探頭領域的硬核技術積累與卓越產品表現，榮獲“國產測試測量行業光隔離探頭卓越獎”。
2025-12-22 13:48:21695 光隔離探頭通過電-光-電轉換實現電氣隔離，具備高共模抑制比和高隔離電壓，適用于SiC/GaN器件測試，提升測量精度和安全性。
2026-01-06 11:06:1259
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