該N溝道增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用飛兆專(zhuān)有的高單元密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)。 這款產(chǎn)品旨在最大限度地降低導(dǎo)通阻抗，同時(shí)提供穩(wěn)固、可靠、快速的開(kāi)關(guān)性能。 它們可用于大部分需要高達(dá) 400mA 直流電流的應(yīng)用，并且能夠提供高達(dá) 2A 的脈沖電流。這些產(chǎn)品特別適合低壓、低電流應(yīng)用（如小型伺服電機(jī)控制、功率 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器）以及其它開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

• 高密度單元設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)極低的 R
• 。
• 電壓控制的小型信號(hào)開(kāi)關(guān)。
• 堅(jiān)固而可靠。
• 高飽和電流能力。