太陽能（PV）三級逆變器（Three Level Inverter）設計架構(gòu)正快速崛起。大多數(shù)逆變器業(yè)者已計畫在今年擴大導入三級拓撲結(jié)構(gòu)，提升金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）切換頻率與導入數(shù)量，以取代傳統(tǒng)的二級拓撲逆變器設計，減輕能源轉(zhuǎn)換的耗損，更進一步提高1%以上電源轉(zhuǎn)換效率。

　　英飛凌（Infineon）行銷經(jīng)理謝東哲表示，為刺激太陽能市場升溫，相關(guān)系統(tǒng)業(yè)者無不致力提升電源轉(zhuǎn)換效率，期吸引更多投資者青睞，并取得更好的市場價格與長期投資效益。由于太陽能電池模組和逆變器對整體效率的影響最顯著，前者係主要發(fā)電來源并占70%系統(tǒng)成本，后者則是能將多少再生能源轉(zhuǎn)換成有效電力的關(guān)鍵設備，因而已成為太陽能供應鏈廠商布局重點。

　　英飛凌資深行銷經(jīng)理謝東哲認為，現(xiàn)階段提升太陽能系統(tǒng)效率最有效且低成本的方法就是從逆變器著手，驅(qū)動相關(guān)業(yè)者持續(xù)改良產(chǎn)品設計。

　　盡管電池模組係整個太陽能系統(tǒng)構(gòu)成的主要部分，但要提升電池效率，勢將牽動新材料、硅晶圓製造技術(shù)革新，不僅須投注大量研發(fā)成本，也須耗費很長時間才能導入量產(chǎn)，對廠商而言無疑是龐大負擔。也因此，現(xiàn)階段業(yè)界大多從逆變器設計著手，期以較低成本有效增進整體系統(tǒng)效率。

　　英飛凌資深主任工程師郭代塬強調(diào)，提升逆變器效率的關(guān)鍵在于降低損耗，因此內(nèi)部拓撲設計非常重要；近期，逆變器廠商皆紛紛轉(zhuǎn)攻三級拓撲方案，以強化逆變器控制能力，并改善傳統(tǒng)二級拓撲中較高壓的功率半導體元件耗損較大的問題，進而將現(xiàn)有逆變器平均轉(zhuǎn)換效率從97%再往上提升一個層級至98%，讓整個太陽能系統(tǒng)產(chǎn)出更多可用電力。

　　相較于傳統(tǒng)二級拓撲逆變器採用兩顆1，200伏特（V）的MOSFET，達成最高2，400伏特的電壓支援，三級拓撲設計改以四顆600伏特功率元件構(gòu)成，這種設計雖能減輕電力轉(zhuǎn)換損失，但也須導入更復雜的脈衝寬度調(diào)變（PWM）機制或增加微控制器（MCU）輸入/輸出（I/O）接腳，方能實現(xiàn)所需控制功能；同時也須將切換頻率從20kHz提高至30kHz，藉以縮減電感體積，讓整體系統(tǒng)成本不至于大幅攀高。

　　郭代塬認為，三級拓撲逆變器出貨量漸增，亦將為功率半導體開發(fā)商帶來新一波商機。特別是600伏特等級的功率元件需求可望顯著增溫，因此英飛凌已計畫于 2013～2014年擴增四顆600伏特MOSFET模組封裝方案、新一代650伏特超接面MOSFET及碳化硅（SiC）JFET等產(chǎn)品陣容，提供業(yè)界整合度更高、更低導通電阻（RDS（on））的功率元件。

　　事實上，以往英飛凌較擅長開發(fā)高電壓功率元件，并在該領(lǐng)域取得不錯的市占表現(xiàn)；近期因應市場趨勢轉(zhuǎn)變，該公司也大舉擴張600伏特左右的中高電壓方案，採多元產(chǎn)品發(fā)展策略。謝東哲指出，雖然600伏特功率元件的市場競爭激烈，但英飛凌擁有獨特封裝技術(shù)，可將四顆600伏特MOSFET封裝成微型功率模組，不僅控制上更加便利，亦能減少系統(tǒng)占位空間，可望吸引逆變器業(yè)者青睞。