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電子發燒友網>可編程邏輯>PLD技術>Xilinx將業界最大容量器件翻番達到440萬邏輯單元 密度優勢領先整整一代

Xilinx將業界最大容量器件翻番達到440萬邏輯單元 密度優勢領先整整一代

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2019-11-23 10:01:40595

英特爾量產全球密度最高的FPGA,擁有1020 邏輯單元

英特爾 Stratix 10 GX 10M FPGA共有 1020 邏輯單元,是第款使用 EMIB 技術兩個 FPGA構造晶片在邏輯和電氣上實現整合的英特爾 FPGA
2019-11-26 15:46:534574

USB4引領行業變革,它的優勢是什么

USB4由于使用了雙通道傳輸,所以理論上最高傳輸速度可以達到40Gbps,這相比起上代的USB 3.2提升了整整一倍有多。
2019-12-02 13:47:092049

電池技術獲得新突破,電子存儲的容量翻番

據外媒報道,加拿大滑鐵盧大學Linda Nazar教授宣布,其研究團隊首次實現四電子轉換(four-electron conversion),該技術實現鋰-氧電池(lithium-oxygen,Li-O2)的電子存儲容量翻番
2019-12-18 11:48:023055

全球最大FPGA的問世將給IC設計帶來便利

英特爾公司在京發布了Stratix 10 GX 10M FPGA,這款擁有1020邏輯單元的產品,打破了業界先前的紀錄,成為了世界上最大容量的FPGA。
2020-01-14 16:11:421054

國微思爾芯發布FPGA驗證仿真云系統,滿足新一代FPGA原型驗證需求

開發的驗證仿真云系統,支持業界最大容量的 FPGA 元件 Xilinx Virtex? UltraScale? VU440 和 Intel? Stratix? 10 GX 10M, 可因需求擴充搭載的容量, 不受時間、地點的限制, 大幅縮短復雜 SoC的設計驗證流程。
2020-07-13 09:18:381030

Altera公司FPGA高端密度范圍增大到820K邏輯單元

Altera公司 宣布,40-nm Stratix? IV E FPGA高端密度范圍增大到業界領先的820K邏輯單元(LE)。Stratix IV EP4SE820 FPGA是業界同類產品中密度最大
2020-08-30 08:22:001257

賽靈思最大的FPGA VU19P批量發貨!

市場上任何其他的 FPGA 大兩倍以上。20nm 節點 賽靈思 Virtex UltraScale VU440 再次延續了這最大容量優勢。如今,憑借 16nm Virtex UltraScale+ VU19P (我們的第三最大容量
2020-10-14 15:23:504999

基于SRAM技術的Xilinx FPGA具有較高的邏輯密度

基于SRAM技術的Xilinx FPGA具有較高的邏輯密度,消耗較高功率; 基于閃存技術的Xilinx CPLD具有較低的邏輯密度,功耗也比較低。為了提高邏輯密度、集成更多功能,PLD廠商的每
2021-06-01 10:55:402853

STM32F1系列產品的器件類型界定及相關話題

STM32F1系列MCU隸屬同ARM CORTEX M3內核,依據其自嵌的Flash 容量大小及互連功能特色,ST 公司將其大致分為5類器件,分別是小容量器件、中等容量器件、大容量器件、超大容量器件
2021-12-08 10:06:120

文詳解xilinx CLB基本邏輯單元

CLB是xilinx基本邏輯單元,每個CLB包含兩個slices,每個slices由4個(A,B,C,D)6輸入LUT和8個寄存器組成。
2022-04-24 14:48:555303

詳解邏輯單元的內部結構

邏輯單元(Logic Element,LE)在FPGA器件內部,用于完成用戶邏輯的最小單元邏輯陣列包含16個邏輯單元以及些其他資源, 在邏輯陣列內部的16個邏輯單元有更為緊密的聯系,可以實現特有的功能。
2022-06-15 16:50:215923

單元密度 MOSFET

單元密度 MOSFET
2022-11-15 19:19:520

款售價約280美元的Xilinx Artix-7100T FPGA開發板

FPGA采用的是ArtyA7,款售價約 280 美元的 Xilinx Artix-7100T FPGA 開發板,采用 28 納米工藝,具有 101,440邏輯單元(FPGA 的邏輯單元包含可以實現任何邏輯功能的查找表,使芯片具有可編程性)
2022-11-17 11:19:262207

索尼半導體激光器技術實現大容量機械硬盤存儲容量翻番

近期,據外媒報道,索尼已順利推出適用于大容量機械硬盤的半導體激光器技術,該技術促使硬盤存儲容量翻番3.5英寸硬盤的儲存空間提升至30TB,相較現有的同類產品容量提升近乎兩倍。
2024-02-19 16:38:551758

三星電子發布業界最大容量HBM

三星電子近日宣布,公司成功研發并發布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,該產品在帶寬和容量上均實現了顯著的提升,這也意味著三星已開發出業界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲器(HBM)。
2024-03-08 10:10:511277

美光出樣業界容量密度最高新一代 GDDR7 顯存

Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達克代碼:MU)今日宣布,出樣業界容量密度最高的新一代 GDDR7 顯存。1?美光 GDDR7 采用美光的 1
2024-06-05 16:52:391849

美光科技發布新一代GDDR7顯存,容量密度業界領先

近日,全球知名的半導體存儲器解決方案供應商美光科技股份有限公司宣布,成功出樣了業界容量密度最高的新一代GDDR7顯存。這款新型的顯存不僅代表了美光在內存技術領域的重大突破,更為廣大用戶帶來了前所未有的性能體驗。
2024-06-13 11:42:151162

新品 | CoolSiC? MOSFET 400V與440V第二器件

新品CoolSiCMOSFET400V與440V第二器件CoolSiCMOSFET400V與440V第二器件兼具高魯棒性、超低開關損耗與低通態電阻等優勢,同時有助于優化系統成本。該系列400V
2025-12-31 09:05:13326

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