開(kāi)關(guān)電源高性能低待機(jī)功耗的原邊反饋控制ICSM7205替換芯朋微SM7205 是應(yīng)用于離線式小功率? AC/DC 開(kāi)關(guān)電源的高性能低待機(jī)功耗的原邊反饋控制功率開(kāi)關(guān)，內(nèi)部集成了高壓 730V 的功率 MOS，在全電壓輸入范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高精度恒壓輸出， 精度小于±5% ， 待機(jī)功耗小于30mW@230Vac，無(wú)需環(huán)路補(bǔ)償，可使系統(tǒng)節(jié)省光耦和 TL431 等元件，降低成本，并且提供了準(zhǔn)諧振以及抖頻功能以改善系統(tǒng)的 EMI 特性，同時(shí)滿足六級(jí)能效。芯片內(nèi)部集成了逐周期峰值電流限制，過(guò)流保護(hù)、VDD 欠壓保護(hù)、VDD 過(guò)壓保護(hù)等功能，以提高系統(tǒng)的可靠性。

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原邊反饋控制ICSM7205待機(jī)功耗<30mW@230Vac

無(wú)需環(huán)路補(bǔ)償

內(nèi)置可編程的線網(wǎng)電壓檢測(cè)功能

內(nèi)置前沿消隱電路（LEB）

內(nèi)置準(zhǔn)諧振

內(nèi)置±7%抖頻

內(nèi)置 730V 高壓功率 MOS

滿足六級(jí)能效

具有過(guò)流保護(hù)、過(guò)載保護(hù)

VDD 過(guò)壓保護(hù)等多種保護(hù)

封裝形式：SOP7、DIP8

原邊反饋控制ICSM7205應(yīng)用領(lǐng)域

DVD、DVB、適配器

打印機(jī)電源

手機(jī)/無(wú)繩電話、PAD、數(shù)碼相機(jī)、MP3 等產(chǎn)品的充電器、適配器

小功率電源適配器

電腦、電視等產(chǎn)品的輔助電源或待機(jī)電源

原邊反饋控制ICSM7205功能表述

SM7205 是一款高效率超低待機(jī)功耗內(nèi)置高壓 730V 功率 MOS 的恒壓原邊控制開(kāi)關(guān)。它采用變頻控制方式來(lái)調(diào)節(jié)輸出電壓。該芯片內(nèi)部包括一個(gè)振蕩器、反饋電路、頻率調(diào)制、電流限流電路、前沿消隱功能以及用于恒壓控制的邏輯控制電路。

恒壓工作方式

控制器通過(guò)變頻來(lái)調(diào)節(jié)反饋引腳電壓，使其維持在 VFB 的水平。在高壓開(kāi)關(guān)關(guān)斷?2.5us 后，對(duì)反饋引腳電壓進(jìn)行采樣。輕載條件下，還會(huì)降低電流限流點(diǎn)，從而降低變壓器磁通密度。

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原邊反饋控制ICSM7205自動(dòng)重啟動(dòng)和開(kāi)環(huán)保護(hù)一旦出現(xiàn)故障，例如在輸出短路或開(kāi)環(huán)情況下，SM7205 芯片會(huì)進(jìn)入相應(yīng)的保護(hù)模式，具體情況如下所述。如果反饋引腳電壓在反激期間降低到 VFB 以下，反饋引腳在采樣延遲時(shí)間超過(guò) 50 ms 之前， 轉(zhuǎn)換器進(jìn)入自動(dòng)重啟模式， 此時(shí)功率 MOS 被禁止 1 秒。自動(dòng)重啟動(dòng)電路對(duì)功率 MOSFET 進(jìn)行交替使能和關(guān)閉，直到故障排除為止。

原邊反饋控制ICSM7205電流限流點(diǎn)

原邊反饋控制ICSM7205電流限流電路檢測(cè)功率 MOS 的電流。當(dāng)電流超過(guò)內(nèi)部閾值(ILIMIT)時(shí)，在該周期剩余階段會(huì)關(guān)斷功率 MOS。在功率 MOS 開(kāi)啟后，前沿消隱電路會(huì)將電流限流比較器抑制片刻(tLEB)。通過(guò)設(shè)置前沿消隱時(shí)間，可以防止由電容及整流管反向恢復(fù)時(shí)間產(chǎn)生的電流尖峰引起導(dǎo)通的 MOS 提前誤關(guān)斷。

恒壓原理

邏輯控制器調(diào)節(jié)反饋引腳電壓，使其維持在VFB的水平。在高壓開(kāi)關(guān)關(guān)斷延時(shí)一段時(shí)間后，對(duì)反饋引腳電壓進(jìn)行采樣。輕載條件下，還會(huì)降低電流限流點(diǎn)，從而降低變壓器磁通密度。

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原邊反饋控制ICSM7205的 5、6 腳需要鋪銅散熱（如果是雙面板，頂層與底層均需要鋪銅），可采用網(wǎng)格狀或線性漏銅，以降低芯片的溫度及提高系統(tǒng)的性能。DRAIN 腳布線時(shí)到變壓器的環(huán)路距離盡量短，環(huán)路面積要小，不能采用大面積鋪銅。VDD 電容的地要靠近芯片的地。FB 分壓電阻的地要靠近芯片的地。Y 電容要單點(diǎn)接地（從輸入電解電容直接接一條線）。初次級(jí)的安規(guī)距離要大于 6mm，不足 6mm 需要開(kāi)槽處理。

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