引言
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隨著LSI的精細化，晶片的清洗技術越來越重要。晶片清洗技術的一個重要特性是如何在整個過程中去除刨花板或重金屬，以及在這個清洗過程本身中抑制刨花板的去除和缺陷的發生。作為晶片的清洗技術，目前也在使用水槽式清洗，用于清洗的藥品從鐘來看，RCA清洗是主流。

本文為了防止晶片暴露在大氣中，使用從清洗到干燥的方法——封閉系統和IPA Vapor的干燥方法，對該gate氧化前的清洗進行可用性確認，同時評估系統作為晶片清洗的性能。

封閉系統

晶片所有藥液的處理都是用一組完全封閉的狀態進行的。圖1(a)是藥液處理和純水引起的LINS時的狀態，藥液從組的下部進入，向上排出。藥液處理過程中，喬上下安裝的閥門交叉，以此狀態維持一定時間。藥液的置換是從下半部向純水推出的形式，晶片從洗滌丸料到洗滌丸料都不會接觸到所有大氣。圖1(b)處于干燥狀態，加熱到45℃的IPA的Vapor由萬億上部供應，同時純的排水(drain)從萬億下部開始，純數和IPA蒸發(vapor)的界面形成IPA的層寬約1.5厘米。隨著這一層IPA穿過晶片表面，晶片表面的純價值被IPA取代。最后，喬內部被氮氣挖走，晶片表面完全干燥。像這樣，晶片從清潔開始到干燥結束，不暴露在大氣中。

圖1 封閉系統的橫截面視圖 (a)清洗步驟(b)干燥步驟

明顯地，在傳統的清洗方法中，內壓很低，一般稱為A模式不良的情況發生了很多，但在封閉的房間儀式中，A模式不良得到了改善。傳統的自旋吹風機引起的Si表面干燥是由干燥不足引起的水位標記。接下來，對狀態良好的樣品和次品進行了電子發光分析的年度調查。這種分析手段可以直接觀測電流大量流動的地方的熱電子的發光，因此可以很好地了解氧化膜不良的情況。可以看出，這種FN電流作為均勻流動在前端形成了均勻的絕緣膜。在不良樣品中，以2.2V的低電壓局部領先。這表明這部分與周圍的氧化膜相比，膜質差，絕緣性變得很小。

樣品在苯酰基里康韋片上用噴槍附著粒子，梳理了0.2um以上的東西。傳統的這種評價是粒子原，使用了大量的蠟質顆粒，但這種顆粒易于用清潔去除，清潔能力的評價不適合。 接下來，對成為重金屬污染的晶片的SC-2世定義的藥液比對重金屬去除能力進行調查的結果顯示在圖2中。重金屬去除能力沒有差異，結果良好。

圖2 重金屬濃度與SC-2混合比的依賴性

接著比較了封閉方式和噴霧方式及傳統帕特針方式的藥液用量。標準的COMS流程，在每月處理6英寸晶片10000頁的情況下，在表2中顯示藥液用量。從這一結果可以看出，封閉方式比傳統的重量基準方式低20%，約液體使用量少，但與噴霧方式相比，使用量高。

總結

對新的清洗方法：封閉方式和IPAVapor干燥方法進行了評價。在HF整理處理對氧化最小壓力的評價中，很少出現傳統的清洗方法引起的干燥不足引起的water-mark。此外，還可以看出，該water-mark還影響了TDDB特性。SC-1的藥液比例與傳統的清潔不同，NH4OH:H2O2:H2O=1:1:10左右是最佳的。提出了消除SC-2清洗的可能性。另外，我們認為藥液使用量與噴霧方式相比，紋理和單行多，需要很多改善。

Closed方式還是新的清洗方法時，在硬件上也有問題，但我們認為以后會成為非常有前途的清洗方式。

　　審核編輯：湯梓紅