對比實驗

1. 初級 VCC 對 GNDA 以及次級 VISO 對 GNDB 的 PCB拼接電容各為約 500pF(參考圖 2 和圖 10)。 分立器件只有 10μF 儲能電容， 無去耦電容， 輻射測試結(jié)果如下圖 16;

2. 初級 VCC 對 GNDA 以及次級 VISO 對 GNDB 的 PCB拼接電容各為約 400pF+400pF(參考圖 2 和圖 10)。分立器件只有 10μF 儲能電容， 無去耦電容， 輻射測試結(jié)果如下圖 17;

3. 初級 VCC對 GNDA 以及次級 VISO 對 GNDB 的 PCB 拼接電容各為約 400pF+400pF。 分立器件除了 10μF儲能電容外， 加入 10nF+470pF 去耦電容， 參考圖18， 輻射測試結(jié)果如下圖 19;

4. 初級 VCC對 GNDA 以及次級 VISO 對 GNDB 的 PCB 拼接電容各為約 400pF+400pF。 分立器件除了 10μF儲能電容外， 加入型號為 FBG1005-601Y 的磁珠，參考圖 20， 輻射測試結(jié)果如下圖 21。

實驗表明：

1． 初級地 GNDA 和次級地 GNDB 的 PCB 拼接電容對30MHz-1GH 整體頻段內(nèi)的輻射有大幅度的改善， 約降低 20dBμ V/m;

2． 初級 VCC對 GNDA 以及次級 VISO 對 GNDB 的 PCB 拼接電容 30MHz-1GH 整體頻段的輻射有大幅度的改善， 約降低 10dBμ V/m;

3． 初級 VCC對 GNDA 以及次級 VISO 對 GNDB 的分立器件去耦電容 10nF 和 470pF 對 150MHz 處的輻射約降低 20 dBμ V/m，對其他頻段也有不同幅度的改善；

4． 型號為 FBG1005-601Y 的磁珠對 70MHz 處的輻射約降低 3dBμ V/m。

示例

綜上所述，下面是CA-IS3092W的4層PCB的布線實例。PCB長和寬都為99mm，厚度為1.0mm。第一層信號層和第二層信號層之間的絕緣層厚度為0.2mm，第二層和第三層之間的絕緣層厚度為0.465mm，第三層和第四層信號層之間的厚度為0.2mm。初級地GNDA和次級地GNDB的拼接電容約為180pF；VCC對GNDA以及VISO對GNDB的拼接電容約為400pF+400pF；做了相應(yīng)的邊緣防護(hù)。PCB的各個層布線如下所示。FBL1和FBL2選取型號為FBG1005-601Y的磁珠，C2和C5分別選取10μF，C3、C6和C4、C7分別選取10nF和470pF，測試結(jié)果如圖21所示，滿足EN55032的classA類輻射標(biāo)準(zhǔn)，比其限值低了10.4dBμV/m。

總結(jié)

以上提出了抑制輻射干擾的方法，總結(jié)如下：

1.初級地 GNDA 和次級地 GNDB 之間的 PCB 拼接電容對抑制輻射的作用比較大， 其拼接電容的好壞將直接決定整體輻射水平的高低；

2. 初級 VCC 對 GNDA 以及次級 VISO 對 GNDB 的 PCB 拼接電容對抑制輻射的作用也很大， 分立器件的供電電容和耦合電容的擺放位置、選型及 PCB 布線對輻射的影響相對比較關(guān)鍵；

3.邊緣防護(hù)的設(shè)計以及磁珠的合理選用可進(jìn)一步降低輻射干擾。

　　審核編輯：鄢孟繁