近年來，我國國內市場中高端IGBT產能嚴重不足，長期依賴國際巨頭，導致“一芯難求”。盡管在下游市場需求的推動下，我國國內企業在IGBT產品領域的研發投入呈明顯上升的趨勢，行業整體產量由2010年的190萬只增長至2018年的1115萬只，但是國內需求量也從2010年的2252萬只增長至2018年的7898萬只。

　　由此可見，我國國內IGBT市場的需求量正在逐步擴大，而生產量卻遠遠低于需求量。這也導致中國大陸功率半導體市場占世界市場的50%以上，但在中高端MOSFET及IGBT主流器件市場上，90％主要依賴進口，基本被國外歐美、日本企業壟斷。

　　也許有人會不理解為什么要這么重視IGBT，這是因為IGBT是能量轉換和傳輸的核心器件，同時也是電力電子裝置的“CPU”。通過應用IGBT進行功率的變換，可以提高用電效率和質量，具有高效節能和綠色環保的特點，是解決能源短缺問題和降低碳排放的關鍵支撐技術。 IGBT被廣泛應用于工業、家用電器、軌道交通、新能源、醫學、軍用航天等領域，具體如變頻器、逆變焊機、變頻空調、洗衣機、冰箱、動車、地鐵、輕軌、新能源汽車、風力發電、醫療設備穩壓電源、飛機、艦艇等。

　　接下來由小編帶領大家了解一下IGBT的全球發展狀態。

　　從市場競爭格局來看，美國功率器件處于世界領先地位，擁有一批具有全球影響力的廠商，例如 TI、Fairchild、NS、Linear、IR、Maxim、ADI、ONSemiconductor、AOS 和 Vishay 等廠商。歐洲擁有 Infineon、ST 和 NXP 三家全球半導體大廠，不僅產品線齊全，而且無論是功率 IC 還是功率分離器件均具有領先實力。

　　日本功率器件主要有Toshiba、Renesas、NEC、Ricoh、Sanke、Seiko、Sanyo、Sharp、Fujitsu、Toshiba、Rohm、Matsushita、Fuji Electric等廠商。日本廠商在分立功率器件方面做的較好，但是在功率芯片方面，雖然廠商數量眾多，但大多數廠商并非主營功率芯片。

　　而中國國內功率半導體市場占世界市場的50%以上，但在中高端MOSFET及IGBT主流器件市場上，90％主要依賴進口，基本被歐美、日本企業所壟斷。

　　目前，國外企業如英飛凌、 ABB、三菱等廠商研發的IGBT器件產品規格已涵蓋電壓600V-6500V，電流2A-3600A，并形成完善的IGBT產品系列。可以說，國際市場供應鏈已基本成熟，但隨著新能源等市場需求增長，市場鏈條正逐步演化。

　　在國內，盡管我國擁有最大的功率半導體市場，但是目前國內功率半導體產品的研發與國際大公司相比還存在很大差距，特別是IGBT等高端器件差距更加明顯，核心技術均掌握在發達國家企業手中。跟國內廠商相比，英飛凌、 三菱和富士電機等國際廠商占有絕對的市場優勢。形成這種局面的原因主要是：

　　（1）國際廠商起步早，同時研發投入大，從而形成了較高的專利壁壘。

　　（2）國外高端制造業水平比國內要高很多，一定程度上支撐了國際廠商的技術優勢。

　　（3）高鐵、智能電網、新能源與高壓變頻器等領域所采用的IGBT模塊規格在6500V以上，技術壁壘較強.

　　（4）IGBT芯片設計制造、模塊封裝、失效分析、測試等IGBT產業核心技術仍掌握在發達國家企業手中。

　　所以中國功率半導體產業的發展必須改變目前技術處于劣勢的局面，特別是要在產業鏈上游層面取得突破，改變目前功率器件領域封裝強于芯片的現狀，使中國芯走向世界，讓其在國際IGBT市場占據有利地位并取得競爭優勢。

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