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單片機(jī)入門篇 1、學(xué)好電子技術(shù)基礎(chǔ)知識，如電路基礎(chǔ)、模擬電路、數(shù)字電路和微機(jī)原理。這幾門課程都是弱電類專業(yè)的必修課程，學(xué)會這些后能保證你看懂單片機(jī)電路、知道電路的設(shè)計思路和工作原理； 2、學(xué)習(xí)

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1．在常溫下，硅二極管的門檻電壓約為0.5V，導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為0.7V；鍺二極管的門檻電壓約為0.1V，導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為0.2V。 2、二極管的正向電阻小；反向電阻大。 3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦浴＃校谓Y(jié)外加正向電壓時，擴(kuò)散電流大于漂移電流，耗盡層變窄。 4、二極管最主要的電特性是單向?qū)щ娦裕€(wěn)壓二極管在使用時，穩(wěn)壓二極管與負(fù)載并聯(lián)，穩(wěn)壓二極管與輸入電源之間必須加入一個電阻。 5、電子技術(shù)分為模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)兩大部分，其中研究在平滑、連續(xù)變化的電壓或電流信號下工作的電子電路及其技術(shù)，稱為模擬電子技術(shù)。 6、PN結(jié)反向偏置時，PN結(jié)的內(nèi)電場增強(qiáng)。PN具有具有單向?qū)щ娞匦浴? 7、硅二極管導(dǎo)通后，其管壓降是恒定的，且不隨電流而改變，典型值為0.7伏；其門坎電壓Vth約為0.5伏。 8、二極管正向偏置時，其正向?qū)娏饔啥鄶?shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動形成。 9、P型半導(dǎo)體的多子為空穴、N型半導(dǎo)體的多子為自由電子、本征半導(dǎo)體的載流子為電子—空穴對。 10、因摻入雜質(zhì)性質(zhì)不同，雜質(zhì)半導(dǎo)體可為空穴（P）半導(dǎo)體和電子（N）半導(dǎo)體兩大類。 11、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦裕膬蓚€主要參數(shù)是反映正向特性的最大整流電流和反映反向特性的反向擊穿電壓。 12、在常溫下，硅二極管的開啟電壓約為0.5 V，導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為0.7V。 13、頻率響應(yīng)是指在輸入正弦信號的情況下，輸出隨頻率連續(xù)變化的穩(wěn)態(tài)響應(yīng)。 15、N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空穴。 16、按一個周期內(nèi)一只三極管的導(dǎo)通角區(qū)分，功率放大電路可分為甲類、乙類、甲乙類三種基本類型。 17、在阻容耦合多級放大電路中，影響低頻信號放大的是耦合和旁路電容，影響高頻信號放大的是結(jié)電容。 18、在NPN三極管組成的基本共射放大電路中，如果電路的其它參數(shù)不變，三極管的β增加，則IBQ增大，ICQ增大，UCEQ減小。 19、三極管的三個工作區(qū)域是截止，飽和，放大。集成運(yùn)算放大器是一種采用直接耦合方式的放大電路。 20、某放大電路中的三極管，在工作狀態(tài)中測得它的管腳電壓Va = 1.2V， Vb = 0.5V, Vc = 3.6V, 試問該三極管是硅管管（材料），NPN型的三極管，該管的集電極是a、b、c中的C。 21、已知某兩級放大電路中第一、第二級的對數(shù)增益分別為60dB和20dB, 則該放大電路總的對數(shù)增益為80dB，總的電壓放大倍數(shù)為10000。 22、 三極管實現(xiàn)放大作用的外部條件是：發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏。某放大電路中的三極管，測得管腳電壓Va = -1V，Vb =-3.2V, Vc =-3.9V, 這是硅管（硅、鍺），NPN型，集電極管腳是a。 23、三種不同耦合方式的放大電路分別為：阻容（RC）耦合、直接耦合和變壓器耦合，其中直接耦合能夠放大緩慢變化的信號。 24、在多級放大電路中，后級的輸入電阻是前級的負(fù)載，而前級的輸出電阻可視為后級的信號源的內(nèi)阻。多級放大電路總的通頻帶比其中每一級的通頻帶要窄。 25、某放大電路在負(fù)載開路時的輸出電壓為4V，接入12kΩ的負(fù)載電阻后，輸出電壓降為3V，這說明放大電路的輸出電阻為4kΩ。 26、為了保證三極管工作在放大區(qū)，要求： ①發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置。②對于ＮＰＮ型三極管，應(yīng)使VBC＜0。 27、放大器級間耦合方式主要有阻容（RC）耦合、直接耦合和變壓器耦合三大類。 28、在三極管組成的三種不同組態(tài)的放大電路中，共射和共基組態(tài)有電壓放大作用，共射組態(tài)有電流放大作用，共射和共集組態(tài)有倒相作用；共集組態(tài)帶負(fù)載能力強(qiáng)，共集組態(tài)向信號源索取的電流小，共基組態(tài)的頻率響應(yīng)好。 29、三極管放大電路的三種基本組態(tài)是共集、共基、共射。 30、多級放大器各級之間的耦合連接方式一般情況下有直接耦合，阻容耦合，變壓器耦合。 31、在單級共射放大電路中，如果輸入為正弦波形，用示波器觀察VO和VI的波形，則VO和VI的相位差為180°；當(dāng)為共集電極電路時，則VO和VI的相位差為0。 32、放大器有兩種不同性質(zhì)的失真，分別是飽和失真和截止失真。 33、晶體管工作在飽和區(qū)時，發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏；工作在放大區(qū)時，集電結(jié)反偏，發(fā)射結(jié)正偏。 34、在共射、共集和共基三種放大電路組態(tài)中，希望電壓放大倍數(shù)大、輸出電壓與輸入電壓反相，可選用共射組態(tài)；希望輸入電阻大、輸出電壓與輸入電壓同相，可選用共集組態(tài)。 35、場效應(yīng)管同雙極型三極管相比，其輸入電阻大，熱穩(wěn)定性好。 36、影響放大電路通頻帶下限頻率fL的是隔直電容和極間電容。 37、三極管工作在放大區(qū)時，它的發(fā)射結(jié)保持正向偏置，集電結(jié)保持反向偏置。 38、場效應(yīng)管有共源、共柵、共漏三種組態(tài)。 39、在多級放大電路中總的通頻帶比其中每一級的通頻帶窄。 40、場效應(yīng)管從結(jié)構(gòu)上分成結(jié)型FET和MOSFET兩大類型，它屬于電壓控制型器件。 41、場效應(yīng)管屬于電壓控制電流型器件，而雙極型半導(dǎo)體三極管則可以認(rèn)為是 電流控制電流型器件。 42、場效應(yīng)管是電壓控制電流器件，只依靠多數(shù)載流子導(dǎo)電。 43、根據(jù)場效應(yīng)管的輸出特性，其工作情況可以分為可變電阻區(qū)、恒流區(qū)、擊穿區(qū)和截止區(qū)四個區(qū)域。 44、當(dāng)柵源電壓等于零時，增強(qiáng)型FET無導(dǎo)電溝道，結(jié)型FET的溝道電阻最小。 45、FET是電壓控制器件，BJT是電流控制器件。 46、在甲類、乙類和甲乙類功率放大電路中，效率最低的電路為甲類。 47、一個輸出功率為10W的擴(kuò)音機(jī)電路，若用乙類推挽功放，則應(yīng)選額定功耗至少應(yīng)為2W的功率管2只。 48、在甲類、乙類和甲乙類功率放大電路中，效率最低的電路為甲類，為了消除交越失真常采用甲乙類電路。 49、乙類功放的主要優(yōu)點是效率高，但出現(xiàn)交越失真，克服交越失真的方法是 采用甲乙類。 50、乙類互補(bǔ)對稱功率放大電路產(chǎn)生特有的失真現(xiàn)象叫交越失真。

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資料介紹 從實際應(yīng)用入手，以實驗過程和實驗現(xiàn)象為主導(dǎo)，循序漸進(jìn)地講述51單片機(jī)C語言編程方法以及51單片機(jī)的硬件結(jié)構(gòu)和功能應(yīng)用。全書共分5篇，分別為入門篇、內(nèi)外部資源操作篇、提高篇、實戰(zhàn)篇和拓展篇

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