Cypress憑借在分立存儲(chǔ)器半導(dǎo)體領(lǐng)域近40年的經(jīng)驗(yàn)，以同類最佳的存儲(chǔ)器產(chǎn)品、解決方案和技術(shù)引領(lǐng)行業(yè)。于1982年推出第一款隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，并從這個(gè)吉祥的開(kāi)端發(fā)展為涵蓋NOR閃存、pSRAM、SRAM、nvSRAM和FRAM的廣泛產(chǎn)品，其密度范圍從4Kbit到4Gbit。賽普拉斯易失性和非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品組合具有以下特性：超低功耗、高性能、可靠的FRAM產(chǎn)品。Cypress代理可提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。

功能概述

FM25V01A-G是一個(gè)采用高級(jí)鐵電工藝的128Kbit非易失性存儲(chǔ)器。FRAM是非易失性的；與RAM相同，它能夠執(zhí)行讀和寫(xiě)操作。它提供151年的可靠數(shù)據(jù)保留時(shí)間，并解決了由串行閃存、EEPROM和其他非易失性存儲(chǔ)器造成的復(fù)雜性、開(kāi)銷和系統(tǒng)級(jí)可靠性的問(wèn)題。

與串行閃存和EEPROM不同，F(xiàn)M25V01A-G以總線速度執(zhí)行寫(xiě)操作。并且它不會(huì)引起任何寫(xiě)操作延遲。每個(gè)字節(jié)成功傳輸?shù)狡骷螅瑪?shù)據(jù)立即被寫(xiě)入到存儲(chǔ)器陣列內(nèi)。這時(shí)可以開(kāi)始執(zhí)行下一個(gè)總線周期而不需要輪詢數(shù)據(jù)。與其他非易失性存儲(chǔ)器相比的是該產(chǎn)品提供了更多的擦寫(xiě)次數(shù)。FM25V01A-G能夠支持1014次讀/寫(xiě)周期，或支持比EEPROM多1億次的寫(xiě)周期。

由于具有這些特性，因此FM25V01A-G適用于需要頻繁或快速寫(xiě)入的非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用。應(yīng)用的范圍包括從數(shù)據(jù)采集（其中寫(xiě)周期數(shù)量是非常重要的）到苛刻的工業(yè)控制（其中串行閃存或EEPROM的較長(zhǎng)寫(xiě)時(shí)間會(huì)使數(shù)據(jù)丟失）。

作為硬件替代時(shí)，F(xiàn)M25V01A-G為串行EEPROM或閃存的用戶提供大量便利。FM25V01A-G使用高速的SPI總線，從而可以改進(jìn)FRAM技術(shù)的高速寫(xiě)入功能。該器件包含一個(gè)只讀的器件ID，通過(guò)該ID，主機(jī)可以確定制造商、產(chǎn)品容量和產(chǎn)品版本。在–40℃到+85℃的工業(yè)級(jí)溫度范圍內(nèi)，該器件規(guī)范得到保證。

特性

128Kbit鐵電性隨機(jī)存儲(chǔ)器（FRAM）被邏輯組織為16K×8

高耐久性：100萬(wàn)億（1014）次的讀/寫(xiě)操作

151年的數(shù)據(jù)保留時(shí)間（請(qǐng)參考數(shù)據(jù)保留時(shí)間與耐久性表）

NoDelay?寫(xiě)操作

高級(jí)高可靠性的鐵電工藝

非常快的串行外設(shè)接口（SPI）

工作頻率可高達(dá)40MHz

串行閃存和EEPROM的硬件直接替代

持SPI模式0（0，0）和模式3（1，1）

精密的寫(xiě)入保護(hù)方案

使用寫(xiě)保護(hù)（WP）引腳提供硬件保護(hù)

使用寫(xiě)禁用指令提供軟件保護(hù)

可為1/4、1/2或整個(gè)陣列提供軟件模塊保護(hù)

器件ID

制造商ID和產(chǎn)品ID

低功耗

當(dāng)頻率為40MHz時(shí)，有效電流為2.5mA

待機(jī)電流為150mA

睡眠模式電流為8mA

工作電壓較低：VDD=2.0V到3.6V

工業(yè)溫度范圍：–40℃到+85℃

8引腳小型塑封集成電路（SOIC）封裝

符合有害性物質(zhì)限制（RoHS）

引腳分布

FM25V01A-G是一個(gè)串行FRAM存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器陣列被邏輯組織為16，384×8位，使用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行外設(shè)接口（SPI）總線可以訪問(wèn)它。FRAM和串行閃存以及串行EEPROM的功能操作是相同的。FM25V01A-G與串行閃存或具有相同引腳分布的EEPROM的主要區(qū)別在于FRAM具有更好的寫(xiě)性能、高耐久性和低功耗。

存儲(chǔ)器架構(gòu)

當(dāng)訪問(wèn)FM25V01A-G時(shí)，用戶尋址16K地址的每8個(gè)數(shù)據(jù)位。這些8位數(shù)據(jù)被連續(xù)移入或移出。通過(guò)使用SPI協(xié)議可以訪問(wèn)這些地址，該協(xié)議包含一個(gè)芯片選擇（用于支持總線上的多個(gè)器件）、一個(gè)操作碼和一個(gè)兩字節(jié)地址。該地址范圍的高2位都是‘無(wú)需關(guān)注’的值。14位的完整地址獨(dú)立指定每個(gè)字節(jié)的地址。

FM25V01A-G的大多數(shù)功能可以由SPI接口控制，或者通過(guò)板上電路自動(dòng)處理。存儲(chǔ)器的訪問(wèn)時(shí)間幾乎為零，該時(shí)間小于串行協(xié)議所需要的時(shí)間。因此該存儲(chǔ)器以SPI總線的速度進(jìn)行讀/寫(xiě)操作。與串行閃存或EEPROM不同的是，不需要輪詢器件的就緒條件，這是因?yàn)閷?xiě)操作是以總線速度進(jìn)行的。新的總線數(shù)據(jù)操作移入器件前需要完成寫(xiě)操作。

賽普拉斯鐵電RAM（FRAM）存儲(chǔ)器，通過(guò)將超低功耗操作與高速接口、即時(shí)非易失性和無(wú)限讀/寫(xiě)相結(jié)合，提供業(yè)界功耗最低的關(guān)鍵任務(wù)非易失性存儲(chǔ)器循環(huán)耐力。這使得FRAM成為便攜式醫(yī)療、可穿戴、物聯(lián)網(wǎng)傳感器、工業(yè)和汽車應(yīng)用的理想數(shù)據(jù)記錄存儲(chǔ)器。

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