整流二極管參數

（1）最大平均整流電流IF：指二極管長期工作時允許通過的最大正向平均電流。該電流由PN結的結面積和散熱條件決定。使用時應注意通過二極管的平均電流不能大于此值，并要滿足散熱條件。例如1N4000系列二極管的IF為1A。

（2）最高反向工作電壓VR：指二極管兩端允許施加的最大反向電壓。若大于此值，則反向電流（IR）劇增，二極管的單向導電性被破壞，從而引起反向擊穿。通常取反向擊穿電壓（VB）的一半作為（VR）。例如1N4001的VR為50V，1N4002-1n4006分別為100V、200V、400V、600V和800V，1N4007的VR為1000V。

（3）最大反向電流IR：它是二極管在最高反向工作電壓下允許流過的反向電流，此參數反映了二極管單向導電性能的好壞。因此這個電流值越小，表明二極管質量越好。

（4）擊穿電壓VB：指二極管反向伏安特性曲線急劇彎曲點的電壓值。反向為軟特性時，則指給定反向漏電流條件下的電壓值。

（5）最高工作頻率fm：它是二極管在正常情況下的最高工作頻率。主要由PN結的結電容及擴散電容決定，若工作頻率超過fm，則二極管的單向導電性能將不能很好地體現。例如1N4000系列二極管的fm為3kHz。另有快恢復二極管用于頻率較高的交流電的整流，如開關電源中。

（6）反向恢復時間trr：指在規定的負載、正向電流及最大反向瞬態電壓下的反向恢復時間。

（7）零偏壓電容CO：指二極管兩端電壓為零時，擴散電容及結電容的容量之和。值得注意的是，由于制造工藝的限制，即使同一型號的二極管其參數的離散性也很大。手冊中給出的參數往往是一個范圍，若測試條件改變，則相應的參數也會發生變化，例如在25°C時測得1N5200系列硅塑封整流二極管的IR小于10uA，而在100°C時IR則變為小于500uA。

整流二極管的作用

整流二極管的作用具有明顯的單向導電性。整流二極管可采用半導體鍺或硅等材料制造。硅整流二極管的作用可以有效的擊穿電壓高，反向漏電流小，高溫性能優良。整流二極管的作用是利用PN結單向導電特性，把交流電轉變成脈動直流電。整流二極管的電流較大，大多采用面接觸性料封裝。那么整流二極管的作用主要有哪些呢？下面就是小編對于整流二極管的作用的具體介紹。

整流二極管的作用最為突出的就是其正向性，整流二極管外加正向電壓時，正向特性起始部分中的正向電壓很小，不能有效的克服PN結內電場的阻擋作用，當整流二極管的正向電流幾乎為零，這一段稱為死區，不能使二極管導通的正向電壓稱為死區電壓。當整流二極管正向電壓大于死區電壓以后，PN結內電場被有效克服，整流二極管的正向導通，電流隨電壓增大而快速上升。在正常的電流范圍內，導通時整流二極管端電壓幾乎維持不變。

整流二極管的作用中的反向性，是當整流二極管外加反向電壓不超過一定范圍時，通過整流二極管的電流少數載流子漂移運動從而形成的反向電流。由于整流二極管的作用反向電流很小，整流二極管處于截止狀態。整流二極管的反向飽和電流受溫度影響。一般硅整流二極管的作用反向電流比鍺整流二極管的作用小得多，小功率硅整流二極管的反向飽和電流在nA數量級，小功率鍺整流二極管在μA數量級。當整流二極管溫度升高時，半導體受熱激發，少數載流子數目也會增加。

整流二極管的作用中的反向擊穿，反向擊穿按機理原理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。整流二極管在高摻雜濃度的情況下，整流二極管因勢壘區寬度很小，反向電壓較大會破壞勢壘區內共價鍵結構，使電子脫離共價鍵束縛，產生電子空穴，整流二極管的作用中的另一種擊穿為雪崩擊穿。當整流二極管反向電壓增加到較大數值時，外加電場會使電子漂移速度加快，從而使整流二極管共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產生新的電子空穴對。

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