1.MOS管的并聯對走線的規定

大伙兒了解，好幾個MOS管并聯，漏極和源極的布線都必須根據好幾個MOS管的總電流，理論上測算，假如要做到單獨MOS管的電流不偏位均值電流的10%，那麼系統總線上的總特性阻抗一定要操縱在全部MOS管并聯后的內阻的10%之內。例如過50A的電流，由大家的RU75N08R 4顆并聯, RU75N08典型性是8米Ω,并聯后便是2 mΩ，那麼漏極或源極的布線電阻器必須操縱在2 mΩ*10%=0.2 mΩ之內才可以確保10%的均流出現偏差的原因。假如PCB銅泊薄厚和總寬比較有限，我們可以加焊銅心線或根據散熱器做到這一低的布線內阻。

2.MOS管并聯的可行性方案

由下邊的某顆MOS管的溫度曲線圖能夠看得出MOS管的內阻的溫度特點是隨溫度的上升內阻也擴大，假如在并聯全過程中因為種種原因（例如RDSON較為低，電流途徑較為短等）造成 某顆MOS管的電流較為大，這顆MOS管會發燙情況嚴重，內阻會上升比較多，電流便會降下去，從而能夠剖析出MOS管有全自動均流的特點而便于并聯。

3.MOS管的并聯電源電路

理論上MOS管能夠由N顆并聯，事實上MOS管并聯多了非常容易造成布線較長，遍布電感器電容器增加，針對高頻電路工作中造成不好的危害。下邊以4顆為例子表明MOS管的運用。并聯的一般原理圖以下

從圖中，R1-4為柵極驅動器電阻器，每一個MOS管都由單獨的柵極驅動器電阻器防護驅動器，主要是能夠避免 每個MOS管的寄生振蕩，具有減振的功效。R1-4的取值如何取呢？假如取值過小，很有可能就起不上避免 每個MOS管的寄生振蕩的功效，假如取值變大，電源開關速率會減緩，因為每一個MOS管的結電容會出現微小的不一樣，結果取值過大還會繼續造成 每個MOS管的通斷速率相距較為大，因此 R1-4在可以避免 每個MOS管的寄生振蕩的狀況下盡可能小到能夠考慮電源開關速率。

有關R5-R8的柵極下拉電阻，關鍵功效是在驅動器IC毀壞引路的狀況下能夠避免 MOS管的欺詐通。在一些獨特的運用場所下，例如看待機電流有限定的電池保護板，這一電阻器通常取值非常大乃至沒有，那樣柵極的特性阻抗會較為高，非常容易磁感應較為高的靜電感應毀壞MOS管的柵極。這類運用在柵源極中間并聯一個15V上下的穩壓極管，這樣就起到保護作用。

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