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飛虹MOS管在同步整流電路中的應用

廣州飛虹半導體 ? 來源:廣州飛虹半導體 ? 2025-05-28 16:34 ? 次閱讀
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同步整流電路作為現(xiàn)代高效電源設(shè)計的核心,在選擇MOS管的效率性能以及可靠性都有嚴格的要求。在工程師進行電路設(shè)計時,究竟如何選擇對的MOS管來代換IRF3710型號參數(shù)呢?

目前市場中IRF3710是使用的典型型號,但2025年有一款新的國產(chǎn)化MOS管,是可以作為替代方案來使用的,它可以進一步優(yōu)化同步整流電路的效率。它就是飛虹半導體研發(fā)的FHP70N11V型號MOS管。

為何選用國產(chǎn)FHP70N11V型號代換IRF3710?

因為同步整流電路是一種電路拓撲技術(shù),用于替代傳統(tǒng)二極管整流,通過主動控制MOS管的開關(guān)時序,降低導通損耗,提升電源轉(zhuǎn)換效率(尤其在低壓大電流場景)。

而飛虹半導體研發(fā)的這一款70A、110V的MOS管產(chǎn)品,它是能適配同步整流電路的應用需求,并提升產(chǎn)品的效率,穩(wěn)定供應鏈。

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具體我們可以詳細了解其參數(shù)特點:它采用先進的溝槽技術(shù),結(jié)合更優(yōu)的工藝條件、精細優(yōu)化器件結(jié)構(gòu),使產(chǎn)品擁有極低的導通電阻并優(yōu)化了開關(guān)特性和可靠性。

FHP70N11V場效應管的具體參數(shù):Vgs(±V):20;VTH(V):3;ID(A):70A;BVdss(V):110V。RDS (on) = 18mΩ(max)@V GS =10V、RDS (on) = 12.4mΩ(typ)@V GS =10V。

正是上述參數(shù),讓FHP70N11V場效應管是能更好用于同步整流電路的電路。

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FHP70N11V型號產(chǎn)品的高可靠性設(shè)計:通過100% UIS(雪崩能量測試)、Rg(柵極電阻測試)及DVDS動態(tài)熱阻測試,確保寬SOA(安全工作區(qū))與強抗沖擊能力,滿足嚴苛環(huán)境需求。

市場在高速增長,如研發(fā)中有選型的問題,歡迎溝通交流。需要選擇70A、110V的MOS管用于同步整流電路的選型問題,建議選用FHP70N11V場效應管。

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除參數(shù)適合外,飛虹的工程師還會提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品測試服務。飛虹致力于半導體器件、集成電路、功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售,給廠家提供可持續(xù)穩(wěn)定供貨。至今已經(jīng)有35年半導體行業(yè)經(jīng)驗以及20年研發(fā)、制造經(jīng)驗。除可提供免費試樣外,更可根據(jù)客戶需求進行量身定制MOS管產(chǎn)品。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:2025年國產(chǎn)70A、110V高可靠性MOS管,優(yōu)化效率用于同步整流電路設(shè)計!

文章出處:【微信號:廣州飛虹半導體,微信公眾號:廣州飛虹半導體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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