隨著目前美國對我國各個行業的限制，特別是在包括Sub-1G的自組網等射頻通信領域的限制更加嚴格，我們需要發展自己的好性能芯片，尤其是通信裝備就更加敏感了，現在我們就來介紹下一種新的微波大功率放大器的研發思路與產業化狀況。

微波大功率放大器的研制中，常需要采取多級功率放大器級聯工作，來達到理想的增益、輸出功率和效率，并對該微波功放模塊進行內匹配電路設計，將其輸入輸出特征阻抗匹配到系統阻抗，然后采用混合微波集成電路的封裝技術，將多個功率器件、內匹配電路等封裝在一起。

對于混合集成微波功放的設計者來說，有兩個問題需要優先考慮：半導體器件的選用、基板材料的選用。

要設計一款高頻率、高增益、大功率輸出的微波功率放大器，從器件的選用上可以采用混合集成電路工藝，將GaAs器件作為驅動級，LDMOS/GaN器件作為功率輸出級，設計一種GaAs和LDMOS/GaN混合集成微波功率放大器，將能夠得到更小的尺寸與更優的性能。但是，LDMOS/GaN功率芯片輸出功率很大，對散熱的要求非常高，對基板材質的性能要求也相應提高。因此，在基板材料的選擇上，常用的傳統基板已不符合要求，需要一種耐熱性高、損耗小、熱膨脹系數低的高性能基板材料。

為克服上述現有技術的缺陷與不足，蘇州英諾迅推出了一款基于自有創新專利(專利號：CN201520451482.2)的GaAs和GaN混合集成微波功率放大器YPM04074540。

YPM04074540是高增益、高功率、高效率、高集成度的功率放大器模塊（PAM），封裝尺寸僅1cm*1cm，旨在用于需要高達8W的輸出功率的TETRA通信。PAM通過CW信號輸入可提供45 dB的典型增益和10W的輸出功率，典型靜態偏置條件是60mA時為28V，輸入和輸出內部匹配，并且內部集成了電源檢測單元和ESD保護單元。

主要性能指標：工作頻段：400-678MHz；典型增益：45dB；典型輸出功率：40dBm；輸入回波損耗：>15dB；工作電壓：28V；靜態電流：60mA；輸入輸出內部匹配 ；內部集成功率檢測單元 ；內部集成ESD保護單元 ；工藝：InGaP/GaAs HBT和GaN pHEMT工藝 ；封裝：LGA 10mm*10mm*1.1mm。

fqj